Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
26.09.2015
-
Размер:
705 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
alexip23
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Exam.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
наташ
: 29 ноября 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, п
наташ
: 29 ноября 2011
300 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
ramzes14
: 11 октября 2013
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
ramzes14
: 11 октября 2013
200 руб.
Экзамен по дисциплине Электротехника и Электроника. Билет № 16 (4-й семестр)
xtrail
: 9 апреля 2013
Билет № 16
для зачета по дисциплине «Электротехника и электроника»
1. Основные элементы дискретной цепи.
2. Рассчитать i1 до коммутации.
Е=20 В,
R=2 кОм.
xtrail
: 9 апреля 2013
250 руб.
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
Ирина16
: 19 декабря 2017
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Ирина16
: 19 декабря 2017
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
CDT-1
: 17 марта 2015
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные х
CDT-1
: 17 марта 2015
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
Студенткааа
: 19 февраля 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Политология (2-й семестр)
Roma967
: 24 ноября 2014
Вопросы к экзамену:
1. Проблема создания харизмы. Технологии создания образа харизматического политика. Харизматический лидер Фидель Кастро
2. Консерватизм и неоконсерватизм. Э.Берк, Ж.де Местр
Roma967
: 24 ноября 2014
120 руб.
Экзамен по дисциплине: Философия (1-й семестр)
Roma967
: 21 ноября 2014
1. Онтология (определение). Понятие бытия. Диалектика бытия.
Диалектика бытия
Закон отрицания отрицания
Закон перехода количественных изменений в качественные
Закон взаимодействия противоположностей
2. Волькенштейн М.В., Трактат о лженауке.
Вопросы к статье:
1. Каковы причины возникновения научных заблуждений?
Где проходит граница между наукой и лженаукой?
Какие факторы способствуют появлению лженауки?
Как относится лженауки к научным дискуссиям?
Как можно классифицировать людей поддерживающих л
Roma967
: 21 ноября 2014
200 руб.
Другие работы
Гидравлика УрИ ГПС МЧС Задание 6 Вариант 31
Z24
: 23 марта 2026
Ответить на теоретические вопросы:
Объясните причины сжатия струи при истечении жидкости через отверстия. Какие бывают виды сжатия? Что такое инверсия струи и в каких случаях наблюдается это явление?
Как определяются скорость и расход жидкости при истечении через отверстие? Связь между коэффициентами скорости, расхода и степени сжатия.
Решить задачу:
В бак, разделенный перегородкой на два отсека, поступает расход воды Q (5.рис. 12). В перегородке имеется отверстие диаметром d1 = 75 мм. И
Z24
: 23 марта 2026
120 руб.
Расчет газового цикла МИИТ Задача 1 Вариант 17
Z24
: 20 октября 2025
ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ ГАЗОВОГО ЦИКЛА
Для заданного кругового процесса (цикла), совершающегося с рабочим телом, определить:
1 Параметры состояния рабочего тела по заданному составу смеси.
2 Параметры состояния (р, υ, Т) в переходных точках цикла.
3 Изменение внутренней энергии, энтальпии и энтропии в отдельных процессах цикла.
4 Величину работы и теплоты для всех процессов (lмех, lтех, q).
5 Термический и относительный термический КПД для прямого цикла или холодильный коэффиц
Z24
: 20 октября 2025
500 руб.
Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Архитектура телекоммуникационных систем и сетей. Вариант №03 Др*
IT-STUDHELP
: 18 июля 2023
Лабораторная работа No1
СИНХРОНИЗАЦИЯ В СИСТЕМАХ ПЕРЕДАЧИ ДИСКРЕТНЫХ СООБЩЕНИЙ
ЦЕЛЬ ЗАНЯТИЯ
Приобретение навыков расчета устройств поэлементной синхронизации.
Выполнение работы:
Задача No1. Коэффициент нестабильности ЗГ устройства синхронизации и передатчика k=10-6. Исправляющая способность приемника μ=40%. Краевые искажении отсутствуют. Постройте зависимость времени нормальной работы (без ошибок) приемника от скорости телеграфирования после выхода из строя ФД устройства синхронизации. Будут
IT-STUDHELP
: 18 июля 2023
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Теория вероятностей и математическая статистика
pvv1962
: 4 апреля 2015
I. Задачи 521-530.
II. Задачи № 541-550.
III. Задачи 551-560.
pvv1962
: 4 апреля 2015
75 руб.
