Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
наташ
: 29 ноября 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, п
300 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
ramzes14
: 11 октября 2013
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
200 руб.
Экзамен по дисциплине Электротехника и Электроника. Билет № 16 (4-й семестр)
xtrail
: 9 апреля 2013
Билет № 16
для зачета по дисциплине «Электротехника и электроника»
1. Основные элементы дискретной цепи.
2. Рассчитать i1 до коммутации.
Е=20 В,
R=2 кОм.
250 руб.
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
Ирина16
: 19 декабря 2017
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
CDT-1
: 17 марта 2015
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные х
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Политология (2-й семестр)
Roma967
: 24 ноября 2014
Вопросы к экзамену:
1. Проблема создания харизмы. Технологии создания образа харизматического политика. Харизматический лидер Фидель Кастро
2. Консерватизм и неоконсерватизм. Э.Берк, Ж.де Местр
120 руб.
Экзамен по дисциплине: Философия (1-й семестр)
Roma967
: 21 ноября 2014
1. Онтология (определение). Понятие бытия. Диалектика бытия.
Диалектика бытия
Закон отрицания отрицания
Закон перехода количественных изменений в качественные
Закон взаимодействия противоположностей
2. Волькенштейн М.В., Трактат о лженауке.
Вопросы к статье:
1. Каковы причины возникновения научных заблуждений?
Где проходит граница между наукой и лженаукой?
Какие факторы способствуют появлению лженауки?
Как относится лженауки к научным дискуссиям?
Как можно классифицировать людей поддерживающих л
200 руб.
Другие работы
Общий расчёт одноковшового экскаватора ЭО-4121
donecarleone
: 5 марта 2016
Содержание
1. Введение...........................................................................................................3
2. Общий расчёт экскаватора ЭО-4121.............................................................4
3. Расчёт гидроцилиндра стрелы........................................................................6
4. Список литературы..........................................................................................7
30 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Менеджмент в телекоммуникациях. Билет № 8
ksn4
: 9 марта 2012
1. Организация проектирования в хозяйстве связи.
2. Вторичные сети связи, их классификация.
3. Задача 5.2
Задача 5.2
По типу транспортной задачи решить вопрос закрепления абонентов жилых районов города (А, В, С) за станциями (1, 2, 3, 4), обеспечивая min протяженность абонентских линий.
От К 1 2 3 4 Qi
А 6 1 4 8 7000
В 9 3 12 5 6000
С 2 3 7 6 8000
qj 5500 4500
150 руб.
Контрольная работа по дискретной математике. 14 (4) вариант. ДО СибГУТИ
igoriceg
: 31 марта 2016
Задание No1
Задано универсальное множество U и множества A,B,C,D Найти результаты действий a) - д) и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера-Венна.
U = {2,4,6,8,10}
A = {2,4} B = {4,6,8} C = {2,6,10} D = {4}
A ∩ D ̅; б) (A∪C ) ̅ ; в) (B \ C) ∩ D; г)(A\B) ∩ U\D; д)(( B) ̅∩ C) ̅.
Задание No2
Ввести необходимые элементарные высказывания и записать логической формулой следующее предложение.
“Если дискриминант квадратного уравнения неотрицательный, то уравнение имеет один корен
80 руб.
Основы построения телекоммуникационных систем и сетей. Курсовая работа №1. Вариант №3
karimoverkin
: 26 января 2013
2. Введение.
Теория передачи дискретных сообщений представляет наиболее разработанную часть общей теории связи. Основной проблемой этой теории является отыскание методов передачи и приема, обеспечивающих получение требуемой верности принятого сообщения, повышение скорости передачи и понижение ее стоимости. Эти задачи нельзя рассматривать в отрыве друг от друга. Действительно, каждую из них можно было бы решать за счет остальных. Так, например, можно легко .
500 руб.