Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 13B9F610-4AB6-4522-9BBA-62AF60ACABC7.zip [ 705 KB ]
material.view.file_icon Exam.doc [ 792 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
СибГУТИ Электроника Работа Зачетная
User ramzes14 : 11 октября 2013
200 руб.
Экзамен по дисциплине Электротехника и Электроника. Билет № 16 (4-й семестр)
Билет № 16 для зачета по дисциплине «Электротехника и электроника» 1. Основные элементы дискретной цепи. 2. Рассчитать i1 до коммутации. Е=20 В, R=2 кОм.
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User xtrail : 9 апреля 2013
250 руб.
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ирина16 : 19 декабря 2017
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User CDT-1 : 17 марта 2015
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Политология (2-й семестр)
Вопросы к экзамену: 1. Проблема создания харизмы. Технологии создания образа харизматического политика. Харизматический лидер Фидель Кастро 2. Консерватизм и неоконсерватизм. Э.Берк, Ж.де Местр
СибГУТИ Политология Работа Экзаменационная
User Roma967 : 24 ноября 2014
120 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Философия (1-й семестр)
1. Онтология (определение). Понятие бытия. Диалектика бытия. Диалектика бытия Закон отрицания отрицания Закон перехода количественных изменений в качественные Закон взаимодействия противоположностей 2. Волькенштейн М.В., Трактат о лженауке. Вопросы к статье: 1. Каковы причины возникновения научных заблуждений? Где проходит граница между наукой и лженаукой? Какие факторы способствуют появлению лженауки? Как относится лженауки к научным дискуссиям? Как можно классифицировать людей поддерживающих л
СибГУТИ Философия Работа Экзаменационная
User Roma967 : 21 ноября 2014
200 руб.

Другие работы

Сети и системы радиосвязи. Цифры 09
Исходные данные и задание Исходные данные (вариант 9). Город: Ангарск Количество БС: 4 Количество секторов: 12 Диапазон частот: 4-5 ГГц. Задание к контрольной работе. 1. Подобрать оборудование базовой станции стандарта WiMAX: - определить климатические характеристики города; - в соответствие с рабочим диапазоном частот в Вашем варианте подобрать оборудование базовой станции стандарта WiMAX из основных вендоров (Airspan, Proxim, Aperto, InfiNET); 2. Разработать структурную схему сети: - Определ
СибГУТИ Сети и системы радиосвязи Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 2 декабря 2021
900 руб.
promo
Лабораторная работа № 1-3. Физические основы оптической связи (ДВ 2.1). Вариант 03. 3 курс, 6 семестр. ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ИСТОЧНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ. ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОДИОДОВ. ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВ ПОСТРОЕНИЯ ВОСП-WDM
Лабораторная работа No 1 Изучение основных характеристик источников излучения 1. Цель работы: Целью работы является знакомство с принципом действия светоизлучающего диода (СИД), суперлюминисцентного диода (СЛД) и лазерного диода (ЛД); исследование их ваттамперных характеристик (зависимости мощности излучения от тока), спектральных характеристик и диаграмм направленности. Лабораторная работа No 2 Изучение основных характеристик фотодиодов Цель работы: Целью работы является знакомство с принципом
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы оптической связи
User virtualman : 9 января 2020
717 руб.
Лабораторная работа № 1-3. Физические основы оптической связи (ДВ 2.1). Вариант 03. 3 курс, 6 семестр. ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ИСТОЧНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ. ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОДИОДОВ. ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВ ПОСТРОЕНИЯ ВОСП-WDM
Исследование оптоэлектронной интегральной микросхемы
Кафедра Технической электроники ОТЧЕТ По лабораторной работе № 4 Исследование оптоэлектронной интегральной микросхемы По дисциплине: Квантовая и оптическая электроника
Квантовая и оптическая электроника СибГУТИ Работа Лабораторная
User LanaTol : 26 марта 2023
100 руб.
Исследование оптоэлектронной интегральной микросхемы
Психологічний розвиток колективу
ЗМІСТ Вступ Розділ 1. Теоретичний аналіз проблеми стосунків і переваг в класному колективі 1.1 Роль емоційних переваг і референтних стосунків в структуризації колективу 1.2 Міжособові стосунки і відношення до спільної діяльності як показники психологічного клімату класного колективу Розділ 2. Опис дослідження переваг і стосунків в класному колективі 2.1 Методичні основи дослідження, контингент випробовуваних 2.2 Представлення даних, результати і виводи ВИСНОВОК БІБЛІОГРАФІЧНИЙ СПИСОК В
Психология Работа
User alfFRED : 18 октября 2013
10 руб.
up Наверх