Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
13.12.2015
-
Размер:
101 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
1ked
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Устройства оптоэлектроники .doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дополнительная информация
СибГУТИ.2015г
Похожие материалы
Контрольная работа. "Устройство оптоэлектроники." Вариант №2
svh
: 1 октября 2016
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные
Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
svh
: 1 октября 2016
220 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2.
Антон133
: 3 апреля 2016
Вариант 02
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с барьером Шоттки
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Ge 0,2 0,6
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводниковог
Антон133
: 3 апреля 2016
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. контрольная работа. Вариант №2
Vokut
: 21 декабря 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
0,6
1.41
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикато
Vokut
: 21 декабря 2015
350 руб.
Контрольная работа. Вариант №2. Устройство оптоэлектроники
marucya
: 14 апреля 2014
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Дано:
Для варианта 02
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ
Задача N
marucya
: 14 апреля 2014
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
ser378
: 19 октября 2013
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
ser378
: 19 октября 2013
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №2
BuKToP89
: 31 марта 2016
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника (ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней
Тип ПП материала -
Квантовая эффективной
Ширина запрещённой зоны .
см. скриншот
Задача №3.
Изобразить принципиальную схему включения семи сегментного полупроводникового индикатор
BuKToP89
: 31 марта 2016
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Другие работы
Насос нефтяной 12 НДс-Н-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 13 мая 2016
Насос нефтяной 12 НДс-Н-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 13 мая 2016
500 руб.
Сущность антикризисного управления
alfFRED
: 28 марта 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………………...……………18 2
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ……………………………………………………….20 2
3.1 Скрытое банкротство 13
3.2 Стадии и признаки банкротства 16
Заключение 18
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………………...……………18 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ……………………………………………………….20
Введение
Тема данной работы сущность антикризисного управления.
Актуальность и практическая значимость темы исследования настоящей работы обусловлена рядом причин:
они порождены прежде всего непродуманностью экономической концепции и с
alfFRED
: 28 марта 2014
10 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 39
Z24
: 4 февраля 2026
Определение плотности лучистого теплового потока между двумя параллельным плоскими стенками
Определить плотность лучистого теплового потока между двумя, параллельно расположенными, плоскими стенками, имеющими температуры t1, ºС и t2, ºС, а степени черноты поверхностей соответственно равны ε1 и ε2. Как изменится интенсивность теплообмена при наличии между стенками экрана, со степенями черноты с обеих сторон εэк = 0,025. Условия теплообмена считать стационарными. Теплопроводностью и конвектив
Z24
: 4 февраля 2026
250 руб.
Английский язык. часть 2-я
perveeva
: 28 марта 2019
I. Переведите следующие предложения на русский язык, обращая внимание на инфинитив.
1. He’d like to stay in Novosibirsk for a month.
2. To understand the difference between these interesting phenomena means to solve this actual problem.
3. It takes the rays of the sun eight minutes to get to the Earth.
4. To appreciate the advantage of this device you should use it in practice.
5. Not to be damaged the device should be carefully operated.
6. This substance can be made by methods to be described
perveeva
: 28 марта 2019
200 руб.
