Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2

Состав работы

34543476-3AEB-484D-9E46-0519E003E02E.rar [ 101 KB ]

Устройства оптоэлектроники .doc [ 149 KB ]

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.

Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Дополнительная информация

СибГУТИ.2015г

Контрольная работа. "Устройство оптоэлектроники." Вариант №2

Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Исходные данные Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки Задача 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные Тип материала – Ge; Квантовая эффективность = 0,2; Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.

ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

svh : 1 октября 2016

220 руб.

Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2.

Вариант 02 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с барьером Шоттки 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Ge 0,2 0,6 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводниковог

СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

Антон133 : 3 апреля 2016

150 руб.

Устройства оптоэлектроники. контрольная работа. Вариант №2

******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

Vokut : 21 декабря 2015

350 руб.

Контрольная работа. Вариант №2. Устройство оптоэлектроники

Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Дано: Для варианта 02 Тип ПП материала – Ge Квантовая эффективность = 0,2 Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ Задача N

******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

marucya : 14 апреля 2014

100 руб.

Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2

Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника. Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки. Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.

СибГУТИ Электроника Работа Контрольная

ser378 : 19 октября 2013

50 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №2

Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника (ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника. Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней Тип ПП материала - Квантовая эффективной Ширина запрещённой зоны . см. скриншот Задача №3. Изобразить принципиальную схему включения семи сегментного полупроводникового индикатор

ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

BuKToP89 : 31 марта 2016

50 руб.

Устройство оптоэлектроники Контрольная работа

Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.

СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная

Галилео : 15 марта 2018

40 руб.

Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа

Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка

Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

Сергейds : 6 февраля 2014

59 руб.

Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача Д2 Рисунок 5 Вариант 9

Применение принципа Даламбера к определению реакций связи Вертикальный вал АК (рис. Д2.0–Д2.9), вращающийся с постоянной угловой скоростью ω = 10 c-1, закреплен подпятником в точке А и цилиндрическим подшипником в точке, указанной в таблице Д2, в столбце 2. При этом АВ = ВD = DЕ = ЕК = а. К валу жестко прикреплены однородный стержень 1 длиной l = 0,6 м, имеющий массу m1 =3 кг, и невесомый стержень 2 длиной l2 = 0,4 м и с точечной массой m2 = 5 кг на конце. Оба стержня лежат в одной плоскости.

Задачи Теоретическая механика

Z24 : 9 ноября 2025

250 руб.

Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант

Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор

******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная

thelive4u : 6 апреля 2015

300 руб.

Техническая термодинамика и теплопередача ГАУСЗ (ТГСХА) Задача 3 Вариант 7

Показать сравнительным расчётом целесообразность применение пара высоких начальных параметров и низкого конечного давления на примере паросиловой установки, работающей по циклу Ренкина, определив располагаемый теплоперепад, термический КПД цикла и удельный расход пара для двух различных значений начальных и конечных параметров пара. Указать конечное значение степени сухости. Изобразить схему простейшей паросиловой установки и дать краткое описание её работы. Представить цикл Ренкина в диаграм

Задачи Теплотехника

Z24 : 25 декабря 2025

200 руб.