Устройства оптоэлектроники\Контрольная работа 1\Вариант03\СибГУТИ
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 03. Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные:
Тип полупроводникового материала Ge;
Квантовая эффективность, ;
Ширина запрещенной зоны = 0,6эВ;
Найти: λгр; SФ.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 03. Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные:
Тип полупроводникового материала Ge;
Квантовая эффективность, ;
Ширина запрещенной зоны = 0,6эВ;
Найти: λгр; SФ.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 23.10.2015
Рецензия:Уважаемый Сухинин Денис Юрьевич,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 23.10.2015
Рецензия:Уважаемый Сухинин Денис Юрьевич,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Другие работы
План экологического мониторинга выбросов лесозаготовительного предприятия
ostah
: 31 декабря 2015
Введение
Типы лесопромышленных предприятий и характеристика лесозаготовительного производства
Источники древесной пыли и её характеристика
Воздействие на человека
Измерение содержания древесной пыли в воздухе
Приборы для определения запыленности воздуха
Заключение
15 руб.
Приобретение практических навыков мониторинга оптического бюджета сети - Лабораторная работа №2 по дисциплине: Распределенные системы в телекоммуникациях. Вариант 18
Roma967
: 3 марта 2024
Лабораторная работа №2
«Оценка оптического бюджета мощности на отдельных участках сети связи»
Цель работы:
Приобретение практических навыков мониторинга оптического бюджета сети.
1. Определение общих потерь в тестируемом образце
1.1 Основные характеристики тестируемого объекта
Исходные данные (вариант 18):
Тип SFP: SFP-G-S1550/110
Стандарт ОВ: G652 D
Л, нм: SM 1310/1550
Уровни мощности на выходе ИИ SFP модуля, Pии, дБм:
- max: -8
- min: -2
Уровни мощности на входе ФПУ SFP модуля, Pфпу, дБм:
m
500 руб.
Молодёжная политика. Анализ
Elfa254
: 9 января 2014
По всей республике в рамках «Единого политдня» обсуждали «молодежную политику». Молодежь действительно нуждается в государственной поддержке. Она только начинает самостоятельную (политическую, профессиональную, семейную) жизнь и, как всякий начинающий, нуждается в совете и помощи – при получении образования, трудоустройстве, строительстве жилья, просто в сложной житейской ситуации. Не обладая моральной и физической устойчивостью, молодые люди в большей степени подвержены пагубным привычкам и увл
15 руб.
«Колоссальный магниторезистивный эффект»
anderwerty
: 13 октября 2014
План
1. Введение
2. Спин-поляризованное рассеяние носителей тока в металлических ферромагнетиках
3. Экспериментальное обнаружение и изучение гигантского магнитосопротивления
4. Объяснение гигантского магнитного сопротивления на основе зонной теории
5. Техническое использование датчиков гигантского магнитосопротивления
6. Спин-поляризованный перенос электрического заряда в магнитных полупроводниках
7. Приложения ГМС в индустрии памяти
8. Считывающие головки для жестких дисков
9. Магнитная опер
50 руб.