Электроника. Экзамен

Категории: СибГУТИ, Билеты экзаменационные, Электроника
Добавлен: 09.03.2016
Размер: 109 KB
Покупок: 1
Добавил:
arkadij

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

100 руб.

Скачать

62448876-C0F8-43BE-8937-6C82E683EBC3.rar [109 KB]

электроника Экзамен.doc [Office 2010, 12 стр., 218 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

билет 11. Экзамен Отлично Игнатов А.Н. Март 2016

Электроника экзамен

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Антон28 : 8 августа 2025

500 руб.

Электроника. Экзамен.

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и

ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника

banderas0876 : 15 марта 2020

200 руб.

Экзамен. Электроника

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом

Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная

lisii : 21 марта 2019

65 руб.

Экзамен. Электроника

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

AlexBrookman : 3 февраля 2019

90 руб.

Электроника. Экзамен.

Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Gila : 17 января 2019

250 руб.

Электроника. Экзамен.

Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

seka : 11 ноября 2018

90 руб.

Экзамен Электроника

1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

andreyan : 7 февраля 2018

63 руб.

Экзамен . Электроника

1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

DEKABR1973 : 2 декабря 2017

110 руб.

Физика. Контрольная работа №2. Вариант №4

ЗАДАЧА 364 При внешнем сопротивлении R1 = 8 Ом сила тока в цепи I1 = 0,8 А, при сопротивлении R2 = 15 Ом сила тока I2 = 0,5 А, Определить силу тока Iкз короткого замыкания источника ЭДС. ЗАДАЧА 374 В проводнике за время t = 10 с при равномерном возрастании силы тока от I1 = 1 А до I2 = 2 А выделилось количество теплоты Q = 5 кДж. Найти сопротивление R проводника. ЗАДАЧА 404 По бесконечно длинному проводу, изогнутому так, как это показано на рис. 52, течет ток I=200 А, Определить магнитную инд

СибГУТИ Физика Работа Контрольная

lekatus : 20 ноября 2013

200 руб.

Миграционные потоки из Средней Азии

Миграции отдельных людей и целых обществ являются важнейшей характеристикой развития цивилизации. Миграции формируют новое качество и новый облик прежних человеческих обществ, создают новые. В процессах создания, разрушения и трансформации государств миграция населения всегда играла важную роль. В одни эпохи миграция была не очень значимым, зато в другие - важнейшим фактором изменения облика цивилизации. В последние годы миграция все большее становится вызовом, иногда угрозой безопасности личнос

Социология Работа

alfFRED : 2 февраля 2014

10 руб.

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах. Вариант 24. 2023 год

Лабораторная работа No1. "Математическая модель измерения по методу обратного рассения" ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1 Изучить: Теоретические основы метода обратного рассеяния; Особенности измерений по методу обратного рассеяния; 2 Получить практические навыки идентификации параметров оптических кабелей по рефлектограммам. Инструкция по установке программы лабораторной работы Нажмите левой кнопкой мыши на ссылку "Лабораторная работа OTDR". В появившемся диалоговом окне выберите "Сохранить эту программу на

ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах

ilya2213 : 20 февраля 2023

550 руб.