Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №3
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля (в нашем случае 3), номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля (в нашем случае 0).
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW=0,6 эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (в нашем случае 3). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания: Uпит=5 В
Номинал ограниченного сопротивления, Ом: 510
Список литературы
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW=0,6 эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (в нашем случае 3). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания: Uпит=5 В
Номинал ограниченного сопротивления, Ом: 510
Список литературы
Дополнительная информация
Работа успешно зачтена!
Дата сдачи: март 2016 г.
Помогу выполнить Ваш вариант.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Дата сдачи: март 2016 г.
Помогу выполнить Ваш вариант.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №3
snrudenko
: 31 января 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Данные фотоприемников:
тип ПП материала – Ge;
квантовая эффективность η=0,2;
ширина запрещенной зоны ΔW=
100 руб.
Вариант №3. Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
MK
: 16 сентября 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния
130 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Устройства оптоэлектроники". Вариант №3
wowan1190
: 7 декабря 2013
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2
40 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Другие работы
Экономическая характеристика Оскольского электрометаллургического комбината
Slolka
: 4 ноября 2013
Содержание
Введение
1. Организационно – экономическая характеристика «ОЭМК»
1.1 Общая характеристика исследуемого предприятия и его продукции
1.2 Финансовая устойчивость и платёжеспособность комбината
1.3 Анализ маркетинговой деятельности на предприятии
2. Товарная политика ОАО «ОЭМК» в системе маркетинга
2.1 Сущность управления товарной политикой
2.2 Обеспечение конкурентоспособности продукции «ОЭМК»
2.3 Анализ обеспечения качества продукции на «ОЭМК»
3. Анализ конкурентных преимущест
10 руб.
Экзамен по дисциплине: Макроэкономика. Билет №5
Елена22
: 5 мая 2016
Билет №5
1. Ниже приводятся данные об объемах производства вина и пива во Франции и в Германии (используется один ресурс – труд). За один час производится (л):
Пиво Вино
Франция 5 10
Германия 15 20
Сравнивая две страны и анализируя возможности торговли между ними, можно сказать, что Франция обладает:
2. По данным предыдущего задания:
Если между двумя странами начнется взаимная торговля, т
100 руб.
Задание 58. Вариант 16 - Тело с отверстиями
Чертежи по сборнику Боголюбова 2007
: 8 апреля 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d
Любая программа для ПДФ файлов.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007.
Задание 58. Вариант 16 - Тело с отверстиями (или тело с двойным проницанием)
Выполнить в трех проекциях чертеж полого геометрического тела с применением профильного разреза. В определенных вариантах так же на горизонтальной проекции тре
100 руб.
Экзамен. Билет №1. Сети и системы документальной электросвязи
Teuserer
: 4 января 2016
1.Какой способ коммутации наиболее распространён сегодня в компьютерных сетях?
11.Назначение зоновой телеграфной сети
21.Что означает вероятность ошибочного приёма комбинации?
37.Рассчитать пропускную способность для стартстопного метода передачи, при скорости телеграфирования 100 Бод, используемый код МТК-2, подтвердить диаграммой передаваемого сигнала.
17.Что общего и в чем различия транспортных сетей разного уровня?
100 руб.