Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №3
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля (в нашем случае 3), номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля (в нашем случае 0).
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW=0,6 эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (в нашем случае 3). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания: Uпит=5 В
Номинал ограниченного сопротивления, Ом: 510
Список литературы
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW=0,6 эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (в нашем случае 3). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания: Uпит=5 В
Номинал ограниченного сопротивления, Ом: 510
Список литературы
Дополнительная информация
Работа успешно зачтена!
Дата сдачи: март 2016 г.
Помогу выполнить Ваш вариант.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Дата сдачи: март 2016 г.
Помогу выполнить Ваш вариант.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №3
snrudenko
: 31 января 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Данные фотоприемников:
тип ПП материала – Ge;
квантовая эффективность η=0,2;
ширина запрещенной зоны ΔW=
100 руб.
Вариант №3. Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
MK
: 16 сентября 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния
130 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Устройства оптоэлектроники". Вариант №3
wowan1190
: 7 декабря 2013
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2
40 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Другие работы
Проект металлического моста на автомобильной дороге через реку Урал.
Aronitue9
: 26 мая 2012
Введение
1. Анализ исходных данных
2. Описание местных условий района строительства
2.1 Климатические характеристики района строительства
2.2 Гидротехнические условия района строительства
2.3 Инженерно-геологические условия района строительства
3. Вариантное проектирование
3.1 Детальное описание варианта No1
3.2 Детальное описание варианта No2
3.3 Детальное описание варианта No3
4. Технико-экономическое сравнение вариантов
4.1 Эксплуатационный показатель
4.2 Технический показатель
4.3 Производс
450 руб.
Задачи для курсовой работы по математическому анализу №2
anderwerty
: 30 января 2014
Задача 1. Применение систем алгебраических линейных уравнений для описания и анализа модели межотраслевого баланса
Задача 2. Применение определенного интеграла для решения экономических задач
Задача 3. Применение систем дифференциальных уравнений для описания процесса ценообразования.
Задача 4. Определение оптимального объема выпуска продукции.
Задача 5.а Применение дифференциальных уравнений в модели формирования равновесной цены
Задание 5б. Расчет параметров в односекторной модели экономичес
110 руб.
Усовершенствование конструкции клапана глубинного штангового насоса вставного RHBM-30-225-ЧЕРТЕЖИ-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-Графическая часть-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
lenya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 19 июня 2018
Усовершенствование конструкции клапана глубинного штангового насоса вставного RHBM-30-225-ЧЕРТЕЖИ:
1 Скважинная штанговая насосная установка. Вид общий (А1)
2 Схема компоновки глубинного оборудования (А1)
3 Насос вставной 30-225 - RHBM. Сборочный чертеж (А1)
4 Типичные конструкции глубинных штанговых насосов. Схема комбинированная общая (А1)
5 Конструкция клапанов скважинных насосов. Схема комбинированная общая (А1)
6.1 Всасывающий клапан базовой конструкции. Сборочный чертеж (А2)
6.2 Всасывающи
924 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа №1. Вариант 4
SibGUTI2
: 11 января 2020
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Вариант No4
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА No 1
“Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
1.1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и пере-ходные характеристики).
1.2. Подготовка к работе
1.2.1. Изучить следующие вопросы курса:
- цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов усиления;
- св
170 руб.