Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №3

Цена:
600 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 79FAC300-C549-45C3-A6D2-8DF74E148F1C.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля (в нашем случае 3), номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля (в нашем случае 0).

Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой

Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW=0,6 эВ

Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (в нашем случае 3). Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания: Uпит=5 В
Номинал ограниченного сопротивления, Ом: 510

Список литературы

Дополнительная информация

Работа успешно зачтена!
Дата сдачи: март 2016 г.
Помогу выполнить Ваш вариант.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Контрольная работа по дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №3
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Данные фотоприемников: тип ПП материала – Ge; квантовая эффективность η=0,2; ширина запрещенной зоны ΔW=
User snrudenko : 31 января 2017
100 руб.
Вариант №3. Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния
User MK : 16 сентября 2016
130 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Устройства оптоэлектроники". Вариант №3
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант: 3 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2
User wowan1190 : 7 декабря 2013
40 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Проект металлического моста на автомобильной дороге через реку Урал.
Введение 1. Анализ исходных данных 2. Описание местных условий района строительства 2.1 Климатические характеристики района строительства 2.2 Гидротехнические условия района строительства 2.3 Инженерно-геологические условия района строительства 3. Вариантное проектирование 3.1 Детальное описание варианта No1 3.2 Детальное описание варианта No2 3.3 Детальное описание варианта No3 4. Технико-экономическое сравнение вариантов 4.1 Эксплуатационный показатель 4.2 Технический показатель 4.3 Производс
User Aronitue9 : 26 мая 2012
450 руб.
Задачи для курсовой работы по математическому анализу №2
Задача 1. Применение систем алгебраических линейных уравнений для описания и анализа модели межотраслевого баланса Задача 2. Применение определенного интеграла для решения экономических задач Задача 3. Применение систем дифференциальных уравнений для описания процесса ценообразования. Задача 4. Определение оптимального объема выпуска продукции. Задача 5.а Применение дифференциальных уравнений в модели формирования равновесной цены Задание 5б. Расчет параметров в односекторной модели экономичес
User anderwerty : 30 января 2014
110 руб.
Усовершенствование конструкции клапана глубинного штангового насоса вставного RHBM-30-225-ЧЕРТЕЖИ-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-Графическая часть-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Усовершенствование конструкции клапана глубинного штангового насоса вставного RHBM-30-225-ЧЕРТЕЖИ: 1 Скважинная штанговая насосная установка. Вид общий (А1) 2 Схема компоновки глубинного оборудования (А1) 3 Насос вставной 30-225 - RHBM. Сборочный чертеж (А1) 4 Типичные конструкции глубинных штанговых насосов. Схема комбинированная общая (А1) 5 Конструкция клапанов скважинных насосов. Схема комбинированная общая (А1) 6.1 Всасывающий клапан базовой конструкции. Сборочный чертеж (А2) 6.2 Всасывающи
924 руб.
Усовершенствование конструкции клапана глубинного штангового насоса вставного RHBM-30-225-ЧЕРТЕЖИ-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-Графическая часть-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа №1. Вариант 4
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Вариант No4 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА No 1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” 1.1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и пере-ходные характеристики). 1.2. Подготовка к работе 1.2.1. Изучить следующие вопросы курса: - цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов усиления; - св
User SibGUTI2 : 11 января 2020
170 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Лабораторная работа №1. Вариант 4
up Наверх