Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №3

Цена:
600 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 79FAC300-C549-45C3-A6D2-8DF74E148F1C.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля (в нашем случае 3), номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля (в нашем случае 0).

Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой

Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW=0,6 эВ

Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (в нашем случае 3). Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания: Uпит=5 В
Номинал ограниченного сопротивления, Ом: 510

Список литературы

Дополнительная информация

Работа успешно зачтена!
Дата сдачи: март 2016 г.
Помогу выполнить Ваш вариант.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Контрольная работа по дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №3
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Данные фотоприемников: тип ПП материала – Ge; квантовая эффективность η=0,2; ширина запрещенной зоны ΔW=
User snrudenko : 31 января 2017
100 руб.
Вариант №3. Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния
User MK : 16 сентября 2016
130 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Устройства оптоэлектроники". Вариант №3
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант: 3 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2
User wowan1190 : 7 декабря 2013
40 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 44 Вариант 6
Голый металлический провод диаметром d=4 мм имеет температуру поверхности tст=95 ºС. Активное электрическое сопротивление провода r=4·10³ Ом/м. Коэффициент теплоотдачи от поверхности провода к окружающему воздуху α. Температура воздуха tв. Какой будет температура поверхности этого провода tст под слоем изоляции толщиной δ=3 мм с коэффициентом теплопроводности λ при неизменном токе и прочих равных условиях? Определить также максимальное значение тока в изолированном проводе, если первоначальную т
User Z24 : 14 ноября 2025
150 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 44 Вариант 6
К вопросу о критериях локальной (механической) устойчивости геологической среды
Анализ динамики геологической среды в условиях техногенных воздействий - актуальная проблема. Изучение изменений геологической среды под влиянием техногенных воздействий во времени - одно из средств разработки методики оценки устойчивости. Геологическая среда Криворожского железорудного бассейна подвергается интенсивному техногенному воздействию. По оценкам специалистов объединения Укрюжгеология , состояние геологической среды близко к катастрофическому. Крупнейшей в Украине является природно те
User Elfa254 : 6 сентября 2013
Эпигенетические изменения водовмещающих пород под действием техногенных факторов
Эпигенетические изменения водовмещающих пород имеют широкое распространение в пределах геологической среды. Наиболее полно они изучены в связи с месторождениями полезных ископаемых [1]. Под действием различных эпигенетических процессов формируются разнообразные по структурно-вещественным признакам эпипороды или вторичные породы. Частным случаем проявления эпигенеза являются гидротермально-метасоматические образования (гидротермалиты), с которыми связаны многочисленные месторождения полезных иск
User alfFRED : 25 сентября 2013
10 руб.
Курсовая работа по дисциплине “Информатика”. Вариант №10
Задание на курсовую работу: Создать базу данных, для хранения данных о книгах в библиотеке и выдаче книг читателям. В таблицах базы данных должны быть следующие поля: Код книги, Название книги, Жанр книги, Год издания, Издательство, Номер читателя, ФИО читателя, Дата выдачи книги. Создание таблиц. В окне базы данных нужно щелкнуть по вкладке Таблицы. Для создания новой таблицы необходимо щелкнуть по кнопке Создать, выбрать режим Конструктор, щелкнуть по кнопке ОК или дважды щелкнуть по фразе Со
User Доцент : 25 февраля 2014
300 руб.
up Наверх