Контрольная работа по дисциплине: «Устройство оптоэлектроники».Вариант №12

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon F7A2C9F9-40C6-4307-836E-E00BE3E3E8C5.rar [ 258 KB ]
material.view.file_icon Контральная работа (Устройства оптоэлектроники).doc [ 575 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1
 
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 12 - фотодиод с барьером Шоттки.

Задача No 2

Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.

Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No 4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: **.**.2016
Рецензия:Уважаемый студент,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №12
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Для варианта 12 - фотодиод с барьером Шоттки. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников Вариант
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User rahatlukum1 : 13 августа 2016
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1 – Исходные данные № варианта: 7 Тип фотоприемника: Фототранзистор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 0 Тип ПП материала: Ge Кван
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SibGOODy : 14 сентября 2018
400 руб.
promo

Другие работы

Курсовая работа по дисциплине: Информатика (часть 2). Вариант №2
Содержание 1. Текст задания 3 2. Описание процесса проектирования базы данных 4 3. Структура таблиц базы данных 5 4. Схема связей между таблицами 6 5. Содержание таблиц 7 6. Структуры двух запросов 8 7. Результаты запросов 10 8. Структура отчета 11 9. Результаты вывода отчетов 12 10. Список литературы 13 1. Текст задания Разработать базу данных: 2. Предметы на пункте проката и их выдача. Требования: База данных должна быть разработана в среде MS Access и должна содержать как минимум две таблиц
ДО СИБГУТИ Информатика Работа Курсовая
User Учеба "Под ключ" : 9 ноября 2016
600 руб.
Судебная реформа 1864года
Судебная реформа в развитии страны играет одну из основных ролей, потому что государство только через суд обеспечивает права и свободы населения. Суд-это гарантия соблюдения права граждан. Судебная реформа 1864 года явилась первой демократической реформой в нашей стране. Впервые в России отделить суд от администрации попробовал Петр I, именно при нем в 1713 году в губерниях появились должности судьи. Однако права судей не были четко определены, поэтому наиболее сложные дела решались в юстиц-к
Правоведение Работа
User Aronitue9 : 21 марта 2013
5 руб.
Розрахунок перекриття монолітної та збірної залізобетонної конструкції
Завдання....................................................................................3 Вступ.........................................................................................4 Варіанти проектування............................................................5 Розділ 1. Розрахунок монолітного перекриття 1.1. Розрахунок монолітної плити..............................13 1.2. Розрахунок другорядної балки......
Материаловедение Работа Курсовая
User OstVER : 5 октября 2013
40 руб.
Розрахунок перекриття монолітної та збірної залізобетонної конструкції
Экзаменационная работа по курсу: Электромагнитные поля и волны. Билет №4
Токи в стенках прямоугольного волновода. Затухание волн в волноводах. Задача 1 Плоская электромагнитная волна распространяется вдоль оси в немагнитной среде, обладающей относительной диэлектрической проницаемостью eотн=3. Удельная проводимость среды q=9*10^(-2). Амплитуда напряженности магнитного поля в точке z=0, H=1А/м, частота колебаний f = 100 МГц. Определить: 1.Амплитуду напряженности электрического поля E0 в точке z=0. 2.Сдвиг по фазе между составляющими поля E и H. 3.Коэффициент затух
СибГУТИ Электромагнитные поля и волны Работа Экзаменационная
User Roma967 : 6 декабря 2015
500 руб.
promo
up Наверх