Контрольная работа. "Устройство оптоэлектроники." Вариант №2
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
01.10.2016
-
Размер:
140 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
svh
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа_УСТР_ОПТЭЛ.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные
Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные
Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
Дополнительная информация
2014 г.
Зачёт
Зачёт
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2.
Антон133
: 3 апреля 2016
Вариант 02
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с барьером Шоттки
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Ge 0,2 0,6
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводниковог
Антон133
: 3 апреля 2016
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. контрольная работа. Вариант №2
Vokut
: 21 декабря 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
0,6
1.41
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикато
Vokut
: 21 декабря 2015
350 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
1ked
: 13 декабря 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать
1ked
: 13 декабря 2015
250 руб.
Контрольная работа. Вариант №2. Устройство оптоэлектроники
marucya
: 14 апреля 2014
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Для варианта 02 - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Дано:
Для варианта 02
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны: W = 0,6 эВ
Задача N
marucya
: 14 апреля 2014
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №2
ser378
: 19 октября 2013
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
ser378
: 19 октября 2013
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №2
BuKToP89
: 31 марта 2016
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника (ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней
Тип ПП материала -
Квантовая эффективной
Ширина запрещённой зоны .
см. скриншот
Задача №3.
Изобразить принципиальную схему включения семи сегментного полупроводникового индикатор
BuKToP89
: 31 марта 2016
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Другие работы
Равновесие пространственной произвольной системы сил СибГИУ Задача 5.02.1
Z24
: 20 ноября 2025
Равновесие пространственной произвольной системы сил СибГИУ Задача 5.02.1
Исходные данные: G=200 Н, а=2 м, b=2 м, СЕ=2/3а м.
Z24
: 20 ноября 2025
250 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Исследование операций (ДВ 6.2). Вариант №10.
teacher-sib
: 17 марта 2019
Зачетная работа по курсу
"Исследование операций"
Вариант 10
Задание 1
Ипотечный фонд только что вступил во владение стоянкой для яхт. Стоянка была заложена и не выкуплена ввиду банкротства хозяина. Причина банкротства - отсутствие достаточного количества арендаторов из-за отсутствия хороших волнорезов и надежной защиты от штормов. Владелец фонда рассматривает три варианта реализации стоянки:
• немедленно продать, прибыль составит 400 тыс. долл.;
• перестроить доки и построить волнорезы - стоим
teacher-sib
: 17 марта 2019
500 руб.
Зачетная работа по Культорологии
NeoN
: 8 марта 2015
Зачетные вопросы к курсу “Культурология”
Определение культурной динамики. Соотношение понятий динамика – прогресс.
NeoN
: 8 марта 2015
250 руб.
Шпаргалка: Хронология исторических событий в России XVI-XVII
Slolka
: 4 сентября 2013
Хронология исторических событий в России XVI-XVII вв.
1501. Иван III предпринял поход на Ливонский орден.
1505. К Москве присоединены Пермские земли.
1505. Умер Иван III. Великим князем Московским стал его сын Василий III.
1510. Василий III присоединил Псков.
1515. Голод .
1521. Крымско-казанское войско совершило поход на Москву.
1530-25 августа У Василия III и его новой супруги Елены Глинской родился сын Иван.
1533. Умер Василий II. Правительницей (регентшей) государства становится мать
Slolka
: 4 сентября 2013
30 руб.
