Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов

Вывод:Построенный график даёт понятие о температурной зависимости различных областей проводимости полупроводников. У Ge наблюдается яркий переход от области истощения примесей к области собственной электропроводности. Si находится у порога собственной электропроводности при 125, что соответствует достаточно высокому содержанию примесей. SiC находится в области ионизации примесей на всём температурном диапазоне, что соответствует достаточно высокой энергии ионизации примесей и большой ширине запрещённой зоны (приведена в таблице для справки). График InSb не имеет чётких границ, на нём наблюдается 2 промежутка возрастания проводимости – в области низких и в области высоких температур. Расчёты, согласующиеся с табличным значением ширины запрещённой зоны говорят о том, что на графике изображён переход от примесной к собственной электропроводности.