Все разделы / Микроэлектроника /


Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

(300 )

Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов

ID: 175261
Дата закачки: 26 Ноября 2016
Продавец: muradza (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Сдано в учебном заведении: СПбГЭТУ "ЛЭТИ"

Описание:
Вывод:Построенный график даёт понятие о температурной зависимости различных областей проводимости полупроводников. У Ge наблюдается яркий переход от области истощения примесей к области собственной электропроводности. Si находится у порога собственной электропроводности при 125, что соответствует достаточно высокому содержанию примесей. SiC находится в области ионизации примесей на всём температурном диапазоне, что соответствует достаточно высокой энергии ионизации примесей и большой ширине запрещённой зоны (приведена в таблице для справки). График InSb не имеет чётких границ, на нём наблюдается 2 промежутка возрастания проводимости – в области низких и в области высоких температур. Расчёты, согласующиеся с табличным значением ширины запрещённой зоны говорят о том, что на графике изображён переход от примесной к собственной электропроводности.

Размер файла: 151,5 Кбайт
Фаил: Microsoft Word (.doc)

   Скачать

   Добавить в корзину


        Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Контрольная работа + Лабораторные по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №9
Контрольная работа + Лабораторные по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №16
Контрольная работа "Химия радиоматериалов" 19 вариант
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Лабораторные работы № № 1-2 по дисциплине: Физические основы электроники
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №03.
Физические основы электроники. Лабораторные работы 1-3. Все варианты (Вариант № 03). 3 курс, 6 семестр. Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупровод
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !



Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Микроэлектроника / Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов

Вход в аккаунт:

Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
Ю-Money WebMoney SMS оплата qiwi PayPal Крипто-валюты

И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках


Сайт помощи студентам, без посредников!