Микроэлектроника
Результатов: 32
Тормоз электромагнитный 02.31.00.00 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 27 июня 2023
Тормоз электромагнитный 02.31.00.00
Электромагнитный тормоз применяется в накопителе на магнитной ленте ЭВМ Минск 32 для затормаживании привода касеты при прекращении движения магнитной ленты.
Тормоз имеет сборочные единицы: тормозной диск 1, катушку 2 и контактную колодку 3. К тормозному диску, изготовленному из стали 45, приклепана пустотелыми заклепками 4х10 (по ГОСТ 12639-80) пластмасавая накладка. Катушка 2 состоит из пластмассового каркаса, провода и лакоткани ЛХМ-105 ГОСТ 2214-70. Колод
1000 руб.
Электромагнит 02.46.00.00 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 17 мая 2023
Электромагнит 02.46.00.00
Устройство применяется в качестве пускового электромагнита в лентопротяжном механизме накопителя информации на магнитной ленте ЭВМ Минск-22.
В корпусе 8 электромагнита находится катушка поз.5,6,19 и 20, сердечник 3, якорь 11, колодка 1 и другие детали.
Колодка 1 - пластмассовое армированное изделие. Арматура в виде резьбовой втулки выполнена из латуни марки Л63.
При поступлении сигнала Пуск через обмотку катушки протекает ток и якорь 11 втягивается, поворачивая связ
1000 руб.
Электромагнит 02.38.00.00 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 20 мая 2023
Электромагнит 02.38.00.00
Электромагнит предназначен для работы в накопители информации на магнитном барабане, входящем в состав электронно-вычислительной машины. Он состоит из корпуса 9, сердечника 10, катушки (поз. 7, 8,16 и 17), якоря 1, гайки 4, пружины 3 и других деталей. При прохождении по обмотке катушки форсирующего тока якорь 1 притягивается к сердечнику 10, убирая фиксатор адресной системы (на чертеже фиксатор не показан). После форсирующего тока через электромагнит протекает ток удер
1200 руб.
Ролик прижимной 02.30.00.00 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 6 марта 2024
Ролик прижимной 02.30.00.00
Ролик находится в лентопротяжном механизме накопителя на магнитной ленте ЭВМ Минск 22 и используется при записи информации на магнитную ленту, обеспечивая перемещение ленты мимо магнитных головок. движение ленты влево или вправо осуществляется роликом 4, который прижимает ее к левому или правому валу ведущего электродвигателя.
Ролик закреплен на рычаге 10, соединенном тягами с сердечниками пусковых электромагнитов (на чертеже не показаны).
При поступлении сигнала Пу
1200 руб.
Проектирование управляемого выпрямителя с двигателем постоянного тока в качестве нагрузки по заданным техническим условиям
lolpop
: 11 сентября 2019
Систематизация и закрепление знаний по основным разделам изучаемого курса путем самостоятельного решения комплексной задачи проектирования управляемого выпрямителя с двигателем постоянного тока в качестве нагрузи по заданным техническим условиям.
300 руб.
Задачи по разделу «Статистика электронов и дырок в полу-проводниках» курса «Микрооптоэлектроника»
23071827
: 4 марта 2019
Задачи по разделу «Статистика электронов и дырок в полу-проводниках» курса «Микрооптоэлектроника»
1.1. Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии (Si), германии (Ge), арсениде галлия (GaAs) и антимониде индия (InSb) при комнатной температуре T = 300K и температуре жидкого азота T = 77 K.
Кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs) легированы донорной примесью до концентрации Nd = 1017 см-3. Считая примесь полностью ионизованной, найти концентрацию основных и неос-
300 руб.
Разработка топологии интегральной схемы 142ЕН10
Orlandovich
: 1 декабря 2018
Основное отличие от предыдущих работ: полностью переработана принципиальная электрическая схема, топология и отчет.
Работа сдавалась в 2018 году. Новосибирский Государственный Технический Университет. Кафедра Полупроводниковых Приборов и Микроэлектроники. Принимал - Богомолов Борис Константинович. Оценка работы высокая.
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и
400 руб.
Разработка топологии интегральной схемы 142ЕН1-2
Orlandovich
: 1 декабря 2018
Основное отличие от предыдущих работ: полностью переработана принципиальная электрическая схема, топология и отчет.
Работа сдавалась в 2018 году. Новосибирский Государственный Технический Университет. Кафедра Полупроводниковых Приборов и Микроэлектроники. Принимал - Богомолов Борис Константинович. Оценка работы высокая.
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и
400 руб.
Разработка топологии интегральной схемы ua78xx (обновленный вариант)
Orlandovich
: 11 декабря 2017
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических знаний, полученных на предыдущих этапах обучения в ВУЗе.
Задание:
1. Провести схемотехническое моделирование интегральной схемы трехвыводной стабилизатор положительного напряжения ua78xx, взятого из в программе MicroCap. В результате моделирования получить значения токов, напряжений и выделяемую мо
400 руб.
Разработка топологии интегральной схемы µA79G
Orlandovich
: 11 декабря 2017
Целью данной работы является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических знаний, полученных на предыдущих этапах обучения в ВУЗе.
Задание:
1. Провести моделирование интегральной схемы (ИС) четырехвыводного регулируемого стабилизатора отрицательного напряжения µA79G в программе MicroCap 9.0 / 10.0. Определить токи, напряжения и выделяемую мощность всех элементов ИС.
2. Рассч
400 руб.
Разработка топологии интегральной схемы LM2931
Orlandovich
: 11 декабря 2017
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических знаний, полученных на предыдущих этапах обучения в ВУЗе.
Задание:
1. Провести моделирование интегральной схемы (ИС) «Low drop» стабилизатор положительного напряжения LM2931 в программе MicroCap 10. Определить токи, напряжения и выделяемую мощность всех элементов.
2. Провести расчет топологии резист
400 руб.
Разработка топологии интегральной схемы MC79Lxx
Orlandovich
: 11 декабря 2017
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических знаний, полученных на предыдущих этапах обучения в ВУЗе.
Задание:
1. Провести моделирование интегральной схемы (ИС) трехвыводного слаботочного стабилизатора отрицательного напряжения MC79Lxx в программе MicroCap 9.0. Определить токи, напряжения и выделяемую мощность всех элементов.
2. Провести расч
400 руб.
Исследование свойств конденсаторных материалов
muradza
: 26 ноября 2016
Лабораторная работа 6 вариант. Исходные данные. Расчеты. Графики. Выводы.
В данной работе исследуются конденсаторы из следующих материалов:
1 Неорганическое стекло; 2 Слюда; 3 Тиконд; 4 Полипропилен; 5 Сегнетокерамика.
300 руб.
Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов
muradza
: 26 ноября 2016
Вывод: выполнив данную работу на примере образца 1 (фоторезистор на основе сульфида кадмия (CdS), я пришел к выводу, что при увеличении длины волны сопротивление уменьшается и увеличивается фотопроводимость полупроводника, но до определенного значения, после которого оно снова увеличивается до значения, близкого к первоначальному, так как возрастает интенсивность оптических переходов и показатель оптического поглощения и уменьшается глубина проникновения света в полупроводник.
300 руб.
Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов
muradza
: 26 ноября 2016
Вывод:Построенный график даёт понятие о температурной зависимости различных областей проводимости полупроводников. У Ge наблюдается яркий переход от области истощения примесей к области собственной электропроводности. Si находится у порога собственной электропроводности при 125, что соответствует достаточно высокому содержанию примесей. SiC находится в области ионизации примесей на всём температурном диапазоне, что соответствует достаточно высокой энергии ионизации примесей и большой ширине запр
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
freelancer
: 22 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
70 руб.