Экзамен. Электроника. Вариант №2.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
06.12.2016
-
Размер:
434 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
Антон133
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2016г
Похожие материалы
Электроника. Экзамен. Вариант №2
donkirik
: 30 января 2015
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
donkirik
: 30 января 2015
150 руб.
Электроника. Экзамен. Вариант №2
hedgehog
: 25 ноября 2014
1.Применение генераторов тока в ОУ
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходим
hedgehog
: 25 ноября 2014
100 руб.
500 руб.
Электроника. Экзамен.
banderas0876
: 15 марта 2020
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и
banderas0876
: 15 марта 2020
200 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
lisii
: 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Gila
: 17 января 2019
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
Gila
: 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
seka
: 11 ноября 2018
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики..
Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите
seka
: 11 ноября 2018
90 руб.
Другие работы
Финансовый менеджмент СИБИТ
OLGA555
: 9 января 2020
Интерактивная деятельность.
При решении конкретной ситуации обучающиеся должны:
1) проанализировать предложенную ситуацию, выделить проблему, факторы влияющие на её решение, и дать им оценку;
2) сформулировать и предложить возможные пути решения ситуации, выбрать лучшие из них.
Письменное решение ситуации должно быть выполнено в виде ответов на вопросы.
Ситуация: Фирма производит 250 единиц товара А, 100 единиц товара Б и 200 единиц товара В. Информация о ценах и затратах на единицу каждого т
OLGA555
: 9 января 2020
100 руб.
Инженерная графика. Графическая работа №3. Вариант №9
Чертежи
: 20 декабря 2019
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Миронов Б.Г., Миронова Р.С., Пяткина Д.А., Пузиков А.А. - Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере.
Графическая работа №3. Вариант №9.
Тема: Уклон и конусность.
Задание: Вычертить по заданным размерам контур детали. Линии построения уклона и конусности сохранить.
В состав работы входит один файл – чертеж контура детали с простановкой размеров и сохраненными линиями построения уклона и конусности.
Помогу с д
Чертежи
: 20 декабря 2019
30 руб.
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 3.3 Вариант 8
Z24
: 4 января 2026
Определить потери давления на единицу длины в воздуховодах: круглого — диаметром d и квадратного — со стороной a поперечного сечения при одинаковой длине периметра и заданном расходе воздуха Q. Эквивалентная шероховатость стенок воздуховодов кэ=0,2 мм. Дать заключение, какой воздуховод более выгоден.
Плотность воздуха ρ=1,2 кг/м³; кинематический коэффициент вязкости ν=0,157·10-4 м²/c.
Z24
: 4 января 2026
200 руб.
Теплотехника 19.03.04 КубГТУ Задача 4 Вариант 69
Z24
: 20 января 2026
Определить поверхность нагрева рекуперативного газовоздушного теплообменника при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей, если объемный расход нагреваемого воздуха при нормальных условиях Vн, средний коэффициент теплопередачи от продуктов сгорания к воздуху k, начальные и конечные температуры продуктов сгорания и воздуха соответственно равны t′1, t″1, t′2, t″2.
Изобразить для обоих случаев графики изменения температуры теплоносителей от величины поверхности теплообмена.
Z24
: 20 января 2026
200 руб.
