Электроника, экзамен

Цена:
297 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 920F785B-E3CD-4BC6-875B-5508400F6F52.doc [ 520 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вопросы:
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

дата сдачи: ноябрь 2016
оценка: отлично!
Преподаватель: Игнатов
Александр Николаевич

Похожие материалы

Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Gila : 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User seka : 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.

Другие работы

Сад-ясли
Содержание 1. Исходные данные …………………………………………………………….4. 2. Общая характеристика зданий ………………………………………..4 3. Объемно-планировочное решение …………………………………………..5 4. Конструктивные решения ……………………………………………………..6 5. Теплотехнический расчет наружной стены……………………………………………….8 6. Теплотехнический расчет перекрытия над холодным чердаком …………………………………………………………….9 7. Описание конструктивных элементов ……………………………………………………..10 7.1 Фундаменты ……………………………………………………………..11 7.2 Стены и пе
Архитектура Работа Курсовая
User Рики-Тики-Та : 1 июля 2012
55 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Теория вероятностей. Вариант №08
10.8. Вероятность хотя бы одного попадания при двух выстрелах равна 0,99. Найти вероятность четырёх попаданий при пяти выстрелах. 11.8. Вероятность появления события в каждом из независимых испытаний равна 0,2. Найти вероятность того, что событие наступит 12 раз в 100 испытаниях. 12.8. Требуется найти: а) математическое ожидание; б) дисперсию; в) среднее квадратическое отклонение дискретной случайной величины X по заданному закону её распределения, заданному таблично (в первой строке таблицы у
Теория вероятности СибГУТИ Работа Контрольная
User Roma967 : 25 сентября 2015
350 руб.
promo
Гидравлика БГИТУ 2020 Задача 2.2 Вариант 04
Квадратное отверстие со стороной а в наклонной стенке резервуара с водой закрыто поворотным щитом. Определить натяжение каната Т, если известны b, H, α1=α2 (рисунок 5).
Задачи Гидравлика
User Z24 : 21 ноября 2025
200 руб.
Гидравлика БГИТУ 2020 Задача 2.2 Вариант 04
Основные векторы египетско-китайских международных отношений в начале XXI века
Одним из векторов активной внешней политики Арабской Республики Египет (АРЕ) является сотрудничество с ведущими державами Азии. На рубеже XX–XXI вв. связи с ними получили дополнительный импульс к развитию, что было во многом связано с увеличением темпов роста экономики в странах азиатского региона и заинтересованностью АРЕ в установлении с ними тесных торгово-экономических связей. С другой стороны, активизация азиатского вектора внешней политики Египта вызвана соображениями политической целесооб
Международные отношения и мировая экономика Работа Контрольная
User alfFRED : 12 сентября 2013
5 руб.
up Наверх