Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
-
Категории:
Электротехника, ДО СИБГУТИ, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
22.01.2017
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
karapulka
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
F7D8ACF8-22F9-42C1-B6A7-A807A3BBBDCE.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Сдавалась в 2015 г.
Оценка: хорошо
Оценка: хорошо
Похожие материалы
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
gnv1979
: 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 3-й семестр. 11-й билет
karapulka
: 2 июня 2016
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы.
2. Определить переходную характеристику g(t).
R=1000 Oм,
C=1 мкФ
karapulka
: 2 июня 2016
45 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
SOKOLOV
: 2 марта 2025
ЭКЗАМЕН по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника»
БИЛЕТ №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада
SOKOLOV
: 2 марта 2025
150 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Экзамен. Электротехника, электроника и схемотехника. Билет № 4
gnv1979
: 13 июня 2016
Задание № 1. Сущность временного анализа цепей. Интеграл Дюамеля.
Задание № 2. Рассчитать частоты нулей спектра заданного сигнала.
gnv1979
: 13 июня 2016
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Другие работы
«Исследование преобразователя частоты»
vovan1441
: 2 апреля 2019
Изучение
теории
преобразования
на
транзисторах
и диодах.
Экспериментальное
исследование различных
схем
преобразователей
частоты.
vovan1441
: 2 апреля 2019
200 руб.
Термодинамика и теплопередача ИРНИТУ Задача 8 Вариант 27
Z24
: 14 июля 2026
Определить потребную поверхность рекуперативного теплообменника, в котором вода нагревается горячими газами. Расчет произвести для прямоточной и противоточной схемы. Привести графики изменения температур для обеих схем движения. Значения температур газа t’1 и t”1, воды t’2 и t”2, расхода воды М и коэффициента теплопередачи К выбрать из таблицы 8.
Z24
: 14 июля 2026
250 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Архитектура телекоммуникационных систем и сетей. Вариант 7
Учеба "Под ключ"
: 25 августа 2022
Введение
Данная курсовая работа содержит четыре раздела, посвященные вопросам регистрации сигналов, синхронизации, кодирования, рассмотрены вопросы, связанные системами ПДС с обратной связью, в частности, с решающей обратной связью и ожиданием. Помимо кратких теоретических сведений в курсовой работе приведены решения задач, иллюстрирующие методы расчета вероятности ошибки при регистрации, расчет параметров систем синхронизации, формирование кодовых комбинаций и построение кодера и декодера цикл
Учеба "Под ключ"
: 25 августа 2022
1300 руб.
Термодинамика ПетрГУ 2009 Задача 1 Вариант 64
Z24
: 6 марта 2026
В резервуар объемом V компрессором нагнетается воздух. Начальное избыточное давление воздуха p1, а начальная температура его T1.
Конечное избыточное давление и температура воздуха соответственно равны p2 и T2. Определить массу воздуха, поступившего в резервуар, если давление внешней среды равно рбар.
Z24
: 6 марта 2026
150 руб.
