Контрольная работа по дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №3
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Данные фотоприемников:
тип ПП материала – Ge;
квантовая эффективность η=0,2;
ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) 3. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр .
Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр.
Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения
Тип светодиода: АЛ102В;
напряжение питания Uпит = 5 В;
номинал ограничительного сопротивления Rогр = 510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Данные фотоприемников:
тип ПП материала – Ge;
квантовая эффективность η=0,2;
ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) 3. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр .
Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр.
Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения
Тип светодиода: АЛ102В;
напряжение питания Uпит = 5 В;
номинал ограничительного сопротивления Rогр = 510 Ом
Дополнительная информация
2016, СибГУТИ, Игнатов А. Н., зачет
Похожие материалы
Вариант №3. Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
MK
: 16 сентября 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния
130 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №3
Roma967
: 16 апреля 2016
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля (в нашем случае 3), номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля (в нашем случае 0).
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинн
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Устройства оптоэлектроники". Вариант №3
wowan1190
: 7 декабря 2013
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2
40 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Другие работы
Совершенствование процесса изготовления вала сеялки СПУ-3 494314Д в условиях ОАО «Лидагропроммаш
Shloma
: 25 мая 2020
Дипломный проект
Пояснительная записка в 136 страниц, в том числе 17 таблиц,
3 приложения,26 библиограф, 9 листов формата А1 графической части,1 лист графической части формата А2.
Ключевые слова: вал, ремонт, износ, дефектация, дефект, восстановление, контроль, маршрут.
В дипломной работе произведен анализ загрязнении, определены характерные дефекты, способы их определения, а также разработан процесс восстановления вала.Были произведены: выбор и обоснование способов восстановления дета
1590 руб.
Бюджетная политика администрации Уильяма Джефферсона Клинтона
alfFRED
: 11 сентября 2013
Введение
1. Общественная актуальность. Цели и задачи исследования
Актуальность заявленной нами темы в наши дни трудно переоценить. В наши дни, в дни глобального финансово-экономического кризиса, правительства всех государств пытаются как можно скорее выйти из кризиса и начать восстанавливать национальную экономику. Выход из кризиса предусматривает вливание дополнительных средств в экономику.
Вышеупомянутые вливания в экономику означают увеличение расходной части бюджета государства при сокращ
10 руб.
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 2.3 Вариант 5
Z24
: 16 октября 2025
В закрытом сосуде емкостью V=0,5 м³ содержится воздуха при давлении р1 и температуре t1. В результате охлаждения сосуда воздух, содержащийся в нем, теряет Q=100 кДж. Принимая теплоемкость воздуха постоянной, определить какое давление р2 и температура t2 устанавливаются после этого в сосуде.
150 руб.
ТЕСТ Экономика отрасли инфокоммуникаций
sibguti-help
: 21 ноября 2024
Вопрос №1
В какой момент при расчете налога на прибыль признается доход от реализации товаров по договору купли-продажи, если компания применяет кассовый метод?
на дату подписания договора
на дату отгрузки товаров
на дату перехода права собственности на товары
на дату оплаты товаров
Вопрос №2
В каком случае будет наблюдаться рост показателя фондоотдачи?
темпы роста основных производственных фондов выше, чем темпы роста объема выпуска продукции
темпы роста основных производственных фондов выше,
350 руб.