Контрольная работа по дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №3
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Данные фотоприемников:
тип ПП материала – Ge;
квантовая эффективность η=0,2;
ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) 3. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр .
Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр.
Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения
Тип светодиода: АЛ102В;
напряжение питания Uпит = 5 В;
номинал ограничительного сопротивления Rогр = 510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Данные фотоприемников:
тип ПП материала – Ge;
квантовая эффективность η=0,2;
ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) 3. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр .
Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр.
Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения
Тип светодиода: АЛ102В;
напряжение питания Uпит = 5 В;
номинал ограничительного сопротивления Rогр = 510 Ом
Дополнительная информация
2016, СибГУТИ, Игнатов А. Н., зачет
Похожие материалы
Вариант №3. Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
MK
: 16 сентября 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния
130 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №3
Roma967
: 16 апреля 2016
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля (в нашем случае 3), номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля (в нашем случае 0).
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинн
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Устройства оптоэлектроники". Вариант №3
wowan1190
: 7 декабря 2013
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2
40 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Другие работы
Сети электросвязи и методы их защиты (часть 1). Контрольная работа. Вариант 14. 2020 год
SibGUTI2
: 2 апреля 2020
Сети электросвязи и методы их защиты (часть 1).
Контрольная работа.
Вариант 14.
1. Поясните назначение протокола ICMP. Приведите структуру ICMP-заголовка, содержание каждого из полей.
2. Охарактеризуйте классы услуг АТМ реального масштаба времени.
150 руб.
Контрольная работа по схемотехнике: "Расчет многокаскадного усилителя с ООС"
Amor
: 8 октября 2013
Исходные данные
Вход/ООС БТ/ БТ(WC) h21Э/h21Э(WC) ЕК, В UH, B RH, кОм RГ, кОм KU.HOM fНЧ.ОС Гц fВЧ.ОС кГц
БТ-AC KT3102V/ KT315E 340/220 18 3.5 0.35 0.75 0.7 40 100
Структурная схема усилителя одинакова для всех вариантов задания и содержит в себе следующие элементы:
1 - Входной каскад
2 - Промежуточный каскад
3 - Выходной каскад
ОС – цепь обратной связи
200 руб.
Устинова Е.В. Основы гидравлики ДВГУПС 2022 Задача 5.2 Вариант 8
Z24
: 1 февраля 2026
В вертикальном цилиндрическом резервуаре, имеющем диаметр D, хранится нефть, вес ее G, плотность ρ = 850 кг/м³. Определить объем нефти в резервуаре при температуре 0ºС и изменение уровня нефти в резервуаре, если температура повысится до t,ºС. Расширение стенок резервуара не учитывать. Коэффициент температурного расширения βt = 0,00072 1/ºС.
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Вариант 34
Учеба "Под ключ"
: 16 июля 2025
Задание контрольной работы
Номер варианта заданий рассчитывается исходя из пароля и фамилии студента по следующей формуле:
вариант = пароль + весовой коэффициент первой буквы фамилии +
+ весовой коэффициент второй буквы фамилии
№ варианта: 34
3.1 Проводники:
- Задание 1: 1.3
- Задание 2: 1.8
3.2 Полупроводники:
- Задание 3: 2.6
- Задание 4: 2.10
3.3 Диэлектрики:
- Задние 5: 3.6
- Задние 6: 3.23
3.4 Магнитные материалы:
- Задние 7: 4.3
- Задние 8: 4.5
3.5 Радиокомпоненты:
- Задние 9: 5.14
- З
1000 руб.