Контрольная работа по дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №3
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Данные фотоприемников:
тип ПП материала – Ge;
квантовая эффективность η=0,2;
ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) 3. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр .
Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр.
Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения
Тип светодиода: АЛ102В;
напряжение питания Uпит = 5 В;
номинал ограничительного сопротивления Rогр = 510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Данные фотоприемников:
тип ПП материала – Ge;
квантовая эффективность η=0,2;
ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля) 3. Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр .
Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр.
Определить длину волны, соответствующую максимуму спектрального распределения
Тип светодиода: АЛ102В;
напряжение питания Uпит = 5 В;
номинал ограничительного сопротивления Rогр = 510 Ом
Дополнительная информация
2016, СибГУТИ, Игнатов А. Н., зачет
Похожие материалы
Вариант №3. Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
MK
: 16 сентября 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния
130 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №3
Roma967
: 16 апреля 2016
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля (в нашем случае 3), номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля (в нашем случае 0).
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинн
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Устройства оптоэлектроники". Вариант №3
wowan1190
: 7 декабря 2013
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2
40 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Другие работы
Задание 21. Вариант 27 - Проекции круга
Чертежи по сборнику Боголюбова 2007
: 13 ноября 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d
Любая программа для ПДФ файлов.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007.
Задание 21. Вариант 27 - Проекции круга
По заданным размерам построить горизонтальную проекцию круга, расположенного во фронтально-проецирующей плоскости Pv.
В состав выполненной работы входят 2 файла:
1. Чертеж формата А4, выполненный
50 руб.
Моделирование устройств телекоммуникаций. Лабораторная работа. Вариант №2
hedgehog
: 14 апреля 2014
Составить схемный файл для моделирования следующих независимых источников сигналов:
а) синусоидального напряжения;
б) экспоненциального напряжения;
в) импульсного напряжения;
г) кусочно-линейного напряжения;
д) частотно- модулированного напряжения
Постоянная составляющая - 0.3
Амплитуда -1
Частота (кГц) - 1.5
200 руб.
Контрольная работа по менеджменту. Вариант №5
ДО Сибгути
: 29 января 2016
Задача 1
Условие задачи:
Оценить систему управления предприятия связи или структурного подразделения (филиала ОАО «Электросвязь», подразделения УФПС).
Задача 2
Оценка деловых качеств руководителя или специалиста
Практическое задание №5
В четырех городских телефонных сетях имеются недостатки в организации и проведении совещаний. В данном предприятии составлены мероприятия по совершенствованию работы совещаний. Показатели, характеризующие работу совещаний до и после внедрения мероприятий, привед
100 руб.
Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов. Лабораторная работа № 3. Ввод информации через параллельный порт. Вариант 16 (2018)
rmn77
: 10 марта 2018
Лабораторная работа № 3
по дисциплине
«Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов»
Ввод информации через параллельный порт
Вариант 16
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ.
1.1. Изучить особенности работы параллельных портов микроконтроллера.
1.2. Изучить схемы подключения кнопок и датчиков к цифровым микросхемам.
1.3. Научиться определять состояние кнопок при помощи программы.
1.4. Изучить способы отладки программ на лабораторном стенде ЛЭСО1.
2. ЗАДАНИЕ К РАБОТЕ В ЛАБОРАТОРИИ
2.1. Разработать программу, анали
50 руб.