Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (часть 2-я). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №1

Цена:
240 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5F737B4E-8904-44DA-A38A-DB56BA44DF70.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант No1
Сила тока, мА = 3

Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.

6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 28.12.2016
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа # 4 проверена. Экспериментальный результат правильный. В ответах на контрольные вопросы ошибки не найдены.

Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович

Помогу с выполнением других работ и дисциплин.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Коммунистическое движение в Тюменском регионе после 1991 года
Реферат на тему «Коммунистическое движение в Тюменском регионе после 1991 года» Введение Коммунистическая идеология, господствовавшая в Советском Союзе практически весь XX век, до сих пор находит немало приверженцев среди населения России. Но с начала 2000-х годов партии социалистического спектра постепенно утрачивают свои позиции. В связи с этим возникла тема реферата, основной целью которого является изучение коммунистических партий и поиск причин их кризиса коммунистическое движение после 19
User Aronitue9 : 16 февраля 2013
19 руб.
Технологический процесс механической обработки детали «Шестерня промежуточная» от трактора МТЗ-50
Содержание Введение 5 1. Описание объекта производства и назначение его в узле 7 2. Анализ технологичности конструкции детали 4 2.1 Качественная оценка технологичности конструкции 4 2.2 Количественная оценка технологичности конструкции 5 3. Выбор типа и организационной формы производства 6 3.1. Определение типа производства 6 3.2. Определение организационной формы производства 7 4. Выбор метода получения заготовки с экономическим обоснованием проектируемого варианта 9 5. Анализ базового варианта
User dex89 : 7 июня 2012
3000 руб.
Технологический процесс механической обработки детали «Шестерня промежуточная» от трактора МТЗ-50
HITACHI.2.1.Руководство по ДВС ISUZU 6HK1 и 4HK1 часть 2.рус
HITACHI.2.1.Руководство по ДВС ISUZU 6HK1 и 4HK1 часть 2.рус Двигатели внутреннего сгорания Hitachi экскаваторы бульдозеры самосвалы погрузчики Руководство полное с иллюстрациями Диплом
User LISKAM : 9 декабря 2015
1700 руб.
HITACHI.2.1.Руководство по ДВС ISUZU 6HK1 и 4HK1 часть 2.рус
Будущее одной иллюзии
Вступление Зигмунд Фрейд родился 6 мая 1856 года в Австрии, во Фрейнберге, в семье мелкого торговца. З. Фрейд рос в семье, в которой религиозные традиции и обычаи уже утратили силу. Его отец придерживался либерально-просветительских взглядов и еще до рождения сына перестал посещать синагогу, а впоследствии и вовсе отказался от культовых и бытовых предписаний иудаизма. З. Фрейд получил типичное для выходца из мелкобуржуазной еврейской семьи образование: частная школа, гимназия, университет. В г
User Qiwir : 30 августа 2013
10 руб.
up Наверх