Экзамен по электронике
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
11.06.2017
-
Размер:
728 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
ZhmurovaUlia
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен Электроника.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Оценка:хорошо
Дата оценки: 23.04.2017
Дата оценки: 23.04.2017
Похожие материалы
Экзамен по электронике.
albanec174
: 9 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
П
albanec174
: 9 апреля 2013
70 руб.
Экзамен по электронике. Билет 3.
sanco25
: 1 февраля 2012
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем.
2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
sanco25
: 1 февраля 2012
90 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
Deamon
: 12 марта 2011
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выхо
Deamon
: 12 марта 2011
250 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
lisii
: 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
andreyan
: 7 февраля 2018
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные харак
andreyan
: 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен "Электроника"
svh
: 26 сентября 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p
svh
: 26 сентября 2016
220 руб.
Другие работы
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 24 Вариант 3
Z24
: 14 октября 2025
Определить требуемую площадь теплообменной поверхности охладителя надувочного дизеля на основании следующих данных:
— температура воздуха на входе в охладитель t′в=115 ºС;
— температура воздуха на выходе из охладителя t″в=65 ºС;
— расход воздуха Gв;
— температура охлаждающей воды на входе в охладитель t′ω;
— расход охлаждающей воды Gω=1,25 кг/c;
— коэффициент теплопередачи k=100 Вт/(м²·К).
Схемы движения теплоносителей:
а) противоточная;
б) прямоточная.
Z24
: 14 октября 2025
200 руб.
Объектно-ориентированное программирование. Курсовая работа. Вариант №10
Bodibilder
: 2 апреля 2019
Вариант 10
Курсовая работа состоит из одного задания. Вид графического объекта, движение которого надо будет реализовать в работе, выбирается согласно своему варианту (см. далее таблицу вариантов).
Задание:
Написать программу, используя объектно-ориентированный подход, которая двигает по экрану изображение заданного графического объекта.
Допускается: замена некоторых элементов графического объекта, изменение его цветовой гаммы.
Реализовать два вида движения: случайное и по нажатию на клавиши со
Bodibilder
: 2 апреля 2019
140 руб.
Задание 2 Финансовые электронные системы
atm87
: 9 сентября 2022
Задание 2
Тема 6. Финансовые электронные системы на фондовом рынке
Ответить на вопросы:
1) Какие существуют программы для проведения технического анализа?
2) Какие индикаторы и осциляторы технического анализа вы знаете?
3) Охарактеризуйте скользящую среднюю. Какие типы скользящих средних бывают и как они рассчитываются?
4) Опишите общие правила работы со скользящими средними. Каковы преимущества и недостатки использования скользящей средней?
5) На представленных ниже графиках (рисунок 1 и
atm87
: 9 сентября 2022
100 руб.
Основы схемотехники. Лабораторная работа №3. Исследование свойств и характеристик схем интегратора и дифференциатора на основе операционного усилителя (ОУ). СБТ/МБТ. Вариант №2
sanco25
: 21 августа 2013
Содержание отчета:
1. Краткие теоретические сведения.
2. Принципиальные схемы интегратора и дифференциатора на ОУ.
3. Полученные в ходе работы амплитудно-частотные и переходные характеристики схем.
4. Выводы по проделанной работе.
Интегратор и дифференциатор - это две схемы из числа наиболее важных аналоговых вычислительных схем. Интегратор используется в схемах управления во всех тех случаях, когда надо решать дифференциальное уравнение или надо вычислить интеграл напряжения. Дифференциатор исп
sanco25
: 21 августа 2013
99 руб.
