Экзамен по электронике
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
11.06.2017
-
Размер:
728 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
ZhmurovaUlia
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен Электроника.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Оценка:хорошо
Дата оценки: 23.04.2017
Дата оценки: 23.04.2017
Похожие материалы
Экзамен по электронике.
albanec174
: 9 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
П
albanec174
: 9 апреля 2013
70 руб.
Экзамен по электронике. Билет 3.
sanco25
: 1 февраля 2012
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем.
2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
sanco25
: 1 февраля 2012
90 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
Deamon
: 12 марта 2011
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выхо
Deamon
: 12 марта 2011
250 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
lisii
: 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
andreyan
: 7 февраля 2018
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные харак
andreyan
: 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен "Электроника"
svh
: 26 сентября 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p
svh
: 26 сентября 2016
220 руб.
Другие работы
Извлекаемый струйный насос-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 23 мая 2016
Извлекаемый струйный насос-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 23 мая 2016
500 руб.
Основы программирования Pyton
viktoriya199000
: 16 мая 2022
Задание выполнено скриншотами с программы
Задание 3
Усовершенствовать программу «Банкомат» с использованием циклов. Для этого необходимо выявить повторяющиеся фрагменты программ и организовать один универсальный программный блок, который будет выполняться необходимое число раз, то есть выполняться в теле цикла.
viktoriya199000
: 16 мая 2022
50 руб.
Исследование помехоустойчивости методов приема дискретных сигналов.
nik5590585
: 22 января 2015
Цель работы
Изучение методов обработки дискретных сигналов в приемнике и экспериментальное исследование их помехоустойчивости при флуктуационных помехах в канале связи.
Лабораторное задание
1. Ознакомиться с лабораторной установкой.
2.Исследовать зависимость средней вероятности ошибки на выходе решающего устройства приемника от отношения сигнал/шум pош = f(h2) для сигналов с дискретной амплитудной модуляцией при:
- когерентном приеме и оптимальной фильтрации;
- некогерентном приеме и оптималь
nik5590585
: 22 января 2015
120 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Построение беспроводных систем. Вариант 18
Учеба "Под ключ"
: 25 ноября 2022
Содержание
1. Задание и исходные данные 3
2. Характеристика стандарта IEEE 802.16 4
3. Модель расчета 8
4. Расчетная часть 11
Список литературы 15
1. Задание и исходные данные
1. Привести краткую характеристику заданного стандарта;
2. Для заданных параметров станций рассчитать радиус зоны обслуживания БС.
Задание и исходные данные для контрольной работы представлены в таблице 1.
Таблица 1 – Исходные данные к контрольной работе
Предпоследняя цифра номера студенческого билета: 1
Тип местност
Учеба "Под ключ"
: 25 ноября 2022
900 руб.
