Экзамен по электронике
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
11.06.2017
-
Размер:
728 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
ZhmurovaUlia
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен Электроника.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Оценка:хорошо
Дата оценки: 23.04.2017
Дата оценки: 23.04.2017
Похожие материалы
Экзамен по электронике.
albanec174
: 9 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
П
albanec174
: 9 апреля 2013
70 руб.
Экзамен по электронике. Билет 3.
sanco25
: 1 февраля 2012
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем.
2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
sanco25
: 1 февраля 2012
90 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
Deamon
: 12 марта 2011
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выхо
Deamon
: 12 марта 2011
250 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
lisii
: 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
andreyan
: 7 февраля 2018
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные харак
andreyan
: 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен "Электроника"
svh
: 26 сентября 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p
svh
: 26 сентября 2016
220 руб.
Другие работы
Экзаменационная работа по дисциплине Инженерная графика. Вариант №1
Учеба "Под ключ"
: 18 декабря 2016
Вариант 1
Задача №1 – плоские сечения.
По двум заданным проекциям (фронтальной и горизонтальной), построить третью (профильную). Отверстие, показанное на фронтальной плоскости, построить на горизонтальную и профильную плоскость с помощью плоских сечений. Обязательно показав мнимые участки плоских сечений. Все характерные точки обозначить цифрами.
Задача №2 - проекционное черчение
По двум заданным проекциям (фронтальной и горизонтальной) построить третью (профильную), выполнить разрезы на видах
Учеба "Под ключ"
: 18 декабря 2016
700 руб.
Основы технологии машиностроения - тест с ответами - Синергия - 2022
StudentHelp
: 11 ноября 2022
Основы технологии машиностроения - тест с ответами - Синергия - 2022
37 вопросов с ответами
Ответы выделены в тексте
StudentHelp
: 11 ноября 2022
390 руб.
Лабораторные работа №№1-4. Предмет "Вычислительная техника и информационные технологии". Вариант №12
Колька
: 16 ноября 2016
1. Цель работы
Изучение свойств логических элементов «И–НЕ»; приобретение навыков синтеза логических схем.
2. Цель работы
Изучение свойств комбинационных цифровых устройств: шифратора, дешифратора, сумматора, мультиплексора и приобретение навыков выполнения арифметических микроопераций.
3. Цель работы
Экспериментальное исследование работы различных типов триггеров.
4. Цель работы
Экспериментальное исследование работы различных типов двоичных счетчиков.
Колька
: 16 ноября 2016
50 руб.
Арматура фонтанная на рабочее давление 19 МПа Сборочный чертеж-ЗМС 65 21 Сборочный чертеж-Катушка стволовая-Тройник 65-Спецификация-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-Графическая часть-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа-Дипл
lesha.nakonechnyy.92@mail.ru
: 20 сентября 2023
Арматура фонтанная на рабочее давление 19 МПа
Сборочный чертеж-ЗМС 65 21 Сборочный чертеж-Катушка
стволовая-Тройник 65-Спецификация-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
lesha.nakonechnyy.92@mail.ru
: 20 сентября 2023
557 руб.
