Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №5
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика. Спецглавы., Работа Лабораторная
-
Добавлен:
30.06.2017
-
Размер:
163 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
Учеба "Под ключ"
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
1C0F48E6-8534-4884-A0E8-047B2727D8B4.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока равна 6,2мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока равна 6,2мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: май 2017 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Дата сдачи: май 2017 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
SemenovSam
: 3 мая 2016
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ!
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
SemenovSam
: 3 мая 2016
100 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Другие работы
Определение мощности потерь в диэлектрике прямоугольной формы.
Sanni
: 10 апреля 2023
К образцу прямоугольной формы из диэлектрического материала размерами a×b и толщиной h приложено постоянное напряжение. Напряжение подводится к граням ab, покрытым слоями металла.
Известны удельное объемное сопротивление ρ, удельное поверхностное сопротивление ρS, диэлектрическая проницаемость ε, тангенс угла диэлектрических потерь tg δ.
Требуется определить:
– ток утечки;
– мощность потери;
– удельные диэлектрические потери;
– удельные диэлектрические потери при включении образца на переменно
Sanni
: 10 апреля 2023
220 руб.
Контрольная работа №1 по Теории Информации
fominovich
: 5 сентября 2015
1. Построить код Хаффмана для набора букв ФИО. Для оценки вероятностей символов использовать частоты вхождения букв в ФИО. Подсчитать среднюю длину кодового слова построенного кода.
2. Построить код Фано для набора букв ФИО. Для оценки вероятностей символов использовать частоты вхождения букв в ФИО. Подсчитать среднюю длину кодового слова построенного кода.
3. Построить код Шеннона для набора букв ФИО. Для оценки вероятностей символов использовать частоты вхождения букв в ФИО. Подсчитать сред
fominovich
: 5 сентября 2015
Визначення площі між функціями інтегралом за методом трапеції на мові Pascal
evelin
: 3 октября 2013
Зміст
1. Постановка задачі 3
2. Математичний опис рішення задачі 4
3. Алгоритм програми. 6
4. Лістинг програми. 7
5. Контрольний приклад. 10
Список використаної літератури. 11
Постановка задачі
Скласти програму на мові Pascal розрахунку за методом трапецій площі між графіками функцій F1(x) = cos x2 + 1 i F2(x) = 2x^2 з точністю е = 0,0001.
2. Математичний опис рішення задачі
Розрахунок за методом трапецій площі між графіками функцій F1(x) = cos x2 + 1 i F2(x) = 2x^2 (рис.1) здійснюється в
evelin
: 3 октября 2013
5 руб.
Решение кейса №2. Гражданское право
IVANOVA
: 8 февраля 2018
Кейс 2
Ситуация 1.
После смерти дедушки к десятилетнему Саше перешел в собственность автомобиль «Жигули». Автомобиль стоял в гараже, и им никто не пользовался более двух лет со дня смерти дедушки. Через некоторое время Саша был вызван в налоговую инспекцию, где ему было предложено заплатить налог с владельцев транспортных средств. Родители Саши полагали, что недееспособный сын не может признаваться субъектом налоговых правоотношений и платить налоги. Налоговая инспекция передала документы на ра
IVANOVA
: 8 февраля 2018
120 руб.
