Задача №4 из контрольной работы №1 (вариант 4)

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 6FFEB4D1-DE43-45C6-8612-B3D00AB25458.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 4

 1. Укажите преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники.
 2. Приведите полную техническую характеристику заданного эле-мента оптоэлектроники.
 3. Приведите УГО заданного оптрона и укажите область применения, расшифруйте маркировку.

 1. Оптоэлектроникой называют научно-техническое направление, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются электрические и оптоэлектрические средства и методы.
 К достоинствам оптоэлектронных устройств относится полная галь-ваническая развязка между входными и выходными цепями, отсутствие обратного влияния приемника сигнала на его источник, легко согласуются цепи с разными входными импедансами, широкополосность, большое быстродействие, высокая информативная емкость оптических каналов свя-зи, отсутствие взаимодействия с магнитными и электрическими полями.
 Недостатки: плохая временная и температурная стабильность харак-теристик, сравнительно большая потребляемая электрическая мощность, сложность изготовления универсальных устройств.
 Фотоприемники – это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии оптического излучения в электрическую энергию. Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фо-тодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и т. д. Для получения макси-мального преобразования оптического излучения в электрический сигнал необходимо согласовывать спектральные характеристики фотоизлучателей и фотоприемников.
 Работа фотоприемников основана на одном их трех видов фотоэлек-трических явлений:
- внутреннем фотоэффекте – изменении электропроводности веще-ства при его освещении,
- внешнем фотоэффекте – испускании веществом электронов под действием света (используется в вакуумных и газонаполненных фотоэлементах).
- фотоэффекте в запирающем слое – возникновении ЭДС на границе двух материалов под действием света.
2. ФР-Г-310
ФР – фоторезистор, Г-310 – номер прибора.

Фоторезистор

Фоторезисторами называют полупроводниковые приборы, прово-димость которых меняется под действием света. Если фоторезистор вклю-чен последовательно с источником напряжения и не освещен, то в его цепи будет протекать темновой ток:

где E – э. д. с. источника питания; RT – величина электрического со-противления фоторезистора в темноте, называемая темновым сопротивле-нием; RН – сопротивление нагрузки.
При освещении фоторезистора энергия фотонов расходуется на пе-ревод электронов в зону проводимости. Количество свободных электрон-но-дырочных пар возрастает, сопротивление фоторезистора падает и че-рез него течет световой ток:

Разность между световым и темновым током дает значение тока Iф, получившего название первичного фототока проводимости

Основными характеристиками фоторезисторов являются:
- вольтамперная;
- cветовая.

Основные параметры фоторезисторов:
- рабочее напряжение Uр;
- максимально допустимое напряжение фоторезистора Umax;
- темновое сопротивление Rс;
-  световое сопротивление Rс;
- кратность изменения сопротивления KR;
- допустимая мощность рассеяния;
- общий ток фоторезистора;
- фототок;
- удельная чувствительность;
- интегральная чувствительность;
- постоянная времени.

3. АОТ115Б – предназначен для использования в качестве управляе-мого ключа в узлах радиоэлектронной аппаратуры.

1 элемент – А – соединение галлия;
2 элемент – О – оптопара;
3 элемент – Т – транзистор;
115 – номер прибора;
Б – разновидность.
Предназначен для использования в качестве управляемого ключа в узлах радиоэлектронной аппаратуры, в которых требуется гальваническая развязка между выходной цепью и цепями управления.
Задача №4 из контрольной работы №1 (вариант 9)
Контрольная работа 1 Вариант 9 Задача 4 1. Укажите преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники. 2. Приведите полную техническую характеристику заданного элемента оптоэлектроники. 3. Приведите УГО заданного оптрона и укажите область применения, расшифруйте маркировку. Решение. 1. Оптоэлектроникой называют научно-техническое направление, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются электрические и оптоэлектрические средства и методы. К достоинствам оптоэлектро
User ilya01071980 : 28 августа 2017
50 руб.
Задача №4 из контрольной работы №1 (вариант 10)
Контрольная работа 1 Вариант 10 Задача 4 1. Укажите преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники. 2. Приведите полную техническую характеристику заданного элемента оптоэлектроники. 3. Приведите УГО заданного оптрона и укажите область применения, расшифруйте маркировку. Решение. 1. Оптоэлектроникой называют научно-техническое направление, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются электрические и оптоэлектрические средства и методы. К достоинствам оптоэлектр
User ilya01071980 : 27 августа 2017
50 руб.
Задача №4 из контрольной работы №1 (вариант 5)
Контрольная работа 1 Вариант 5 Задача 4 1. Укажите преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники. 2. Приведите полную техническую характеристику заданного элемента оптоэлектроники. 3. Приведите УГО заданного оптрона и укажите область применения, расшифруйте маркировку.
User ilya01071980 : 25 августа 2017
50 руб.
Задача №1 из контрольной работы №1 (вариант 4)
Решение: 1. Выбираем диод 2Д213А, так как у него максимальная величина Iпр max=10 A и Uобр max=200 В, где Iпр max – максимальное значение прямого тока, а Uобр max – максимальное значение обратного напряжения. 2. 1 элемент 2 – кремниевый 2 элемент Д – выпрямительный диод 3 элемент 2 – большой мощности 13 – порядковый номер разработки А – классификация. 3. По вольт-амперной характеристике определим следующие пара-метры: Uпр=1 В, Iпр=9 мА, Uобр=1 В, Iобр=0.5 мкА, U=0.2 В,
User ilya01071980 : 2 сентября 2017
50 руб.
Задача №1 из Контрольной работы №3 (Вариант №4)
Контрольная работа No 3 Вариант No4 Задача No 1 Рассчитать частоту генерируемого сигнала, соответствующую оптимальному углу пролета, при заданной ширине обедненной области W=5 мкм в лавинно-пролетном диоде (ЛПД). Пояснить принцип работы автогенератора на ЛПД, нарисовать ВАХ с указанием рабочей точки. Полупроводниковый материал – Si. Решение. Так как W=5 мкм>>xЛ=0.2 мкм, то частота генерируемого сигнала, соответствующая оптимальному углу пролета равна Сочетание процесса ударной ионизации и пр
User ilya01071980 : 15 сентября 2017
50 руб.
Задача №3 из контрольной работы №1 (вариант 4)
Задача 3 1. Начертить схему включения полевого транзистора с общим исто-ком в динамическом режиме. 2. Приведите стоковую и стоко-затворную характеристику транзи-стора. 3. Приведите статические параметры полевого транзистора. Решение. 1. ПТ с управляющим p-n переходом и n каналом В таком транзисторе на затвор необходимо подавать отрицательное напряжение а на сток положительное. 2. Стоко-затворная характеристика транзистора. Стоковая характеристика транзистора. 3. (при
User ilya01071980 : 2 сентября 2017
50 руб.
Задача №5 из контрольной работы №1 (вариант 4)
Задача 5 1. Перечислите электронные приборы, служащие для отображения информации. 2. Поясните принцип действия и устройство заданного индикаторно-го прибора, поясните маркировку. 1. Электронные приборы, служащие для отображения информации: - электронно-лучевые трубки (ЭЛТ); - знаковые газоразрядные индикаторы; - вакуумные накаливаемые индикаторы; - полупроводниковые индикаторы; - жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ). 2. Полупроводниковый индикатор. Этот прибор является активным. Он выполнен
User ilya01071980 : 2 сентября 2017
50 руб.
Термодинамика и теплопередача ДВГУПС 2004 Контрольная работа 1 Задача 4 Вариант 4
М кг воздуха совершает цикл Карно в пределах температур t1 и t3, причем наивысшее давление составляет pmax, а наинизшее – pmin. Определить параметры воздуха в характерных точках цикла, количество подведенной и отведенной теплоты и термический КПД цикла. Изобразить цикл в координатах p-υ.
User Z24 : 1 января 2026
150 руб.
Термодинамика и теплопередача ДВГУПС 2004 Контрольная работа 1 Задача 4 Вариант 4
Теория сложностей вычислительных процессов и структур. Лабораторная работа №3. Вариант 0.
Графы. Нахождение кратчайшего расстояния между двумя вершинами с помощью алгоритма Форда-Беллмана Написать программу, которая по алгоритму Форда-Беллмана находит кратчайшее расстояние от указанной вершины до всех остальных вершин связного взвешенного неориентированного графа, имеющего 7 вершин (нумерация вершин начинается с 0). Граф задан матрицей весов дуг, соединяющих всевозможные пары вершин (0 означает, что соответствующей дуги нет). Данные считать из файла. Номер варианта выбирается по по
User zhekaersh : 2 марта 2015
40 руб.
Теория сложностей вычислительных процессов и структур. Лабораторная работа №3. Вариант 0.
Операционные системы Microsoft
РЕФЕРАТ по дисциплине «Информатика» по теме: «Операционные системы Майкрософт» Введение В 1975 году Пол Ален и Билл Гейтс, прочитав опубликованную 1 января 1975 г. в журнале «Popular Electronics» статью о новом персональном компьютере Altair 8800, разработали для него интерпретатор языка BASIC. Через месяц – 1 февраля 1975 года – было подписано лицензионное соглашение с компанией Micro Instrumentation and Telemetry Systems (MITS) – производителем этого ПК – об использовании BASIC в составе про
User step85 : 3 декабря 2009
Теория электрических цепей. Лабораторная работа. Исследование длинной линии в стационарном и переходном режимах. 2021 ТУСУР.
Теория электрических цепей. Исследование длинной линии в стационарном и переходном режимах. 2021 ТУСУР. Цель работы: 1. Изучение стационарных режимов работы длинной линии (цепи с распределенными параметрами) при гармоническом воздействии. 2. Экспериментальное исследование распределения напряжения вдоль длинной линии при гармоническом воздействии в режиме стоячих, бегущих и смешанных волн. 3. Исследование длинной линии в переходном режиме. В ходе данной лабораторной работе были изучены стацион
User DiKey : 14 февраля 2023
150 руб.
Теория электрических цепей. Лабораторная работа. Исследование длинной линии в стационарном и переходном режимах. 2021 ТУСУР.
Выбор и расчет оборудования для депарафинизации нефтяных скважин в условиях НГДУ "ЛН"
Введение 1. Геологическая часть 1.1 Орогидрография 1.2 Тектоника 1.3 Стратиграфия 1.4 Коллекторские свойства продуктивных горизонтов 1.5 Физико-химические свойства нефти, газа и воды 1.6 Режим залежи 1.7 Конструкция скважин 2. Технологическая часть 2.1 Характеристика фонда скважин применяемого в ЦДНиГ № 1 НГДУ «ЛН» 2.2 Основные сведения о составе АСПО и условия их образования на нефтепромысловом оборудовании 2.3 Основные методы борьбы с АСПО, используемые в НГДУ “ ЛН” и анализ их эффективности 2
User evelin : 27 октября 2012
19 руб.
up Наверх