Задача №4 из контрольной работы №1 (вариант 4)

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 6FFEB4D1-DE43-45C6-8612-B3D00AB25458.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 4

 1. Укажите преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники.
 2. Приведите полную техническую характеристику заданного эле-мента оптоэлектроники.
 3. Приведите УГО заданного оптрона и укажите область применения, расшифруйте маркировку.

 1. Оптоэлектроникой называют научно-техническое направление, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются электрические и оптоэлектрические средства и методы.
 К достоинствам оптоэлектронных устройств относится полная галь-ваническая развязка между входными и выходными цепями, отсутствие обратного влияния приемника сигнала на его источник, легко согласуются цепи с разными входными импедансами, широкополосность, большое быстродействие, высокая информативная емкость оптических каналов свя-зи, отсутствие взаимодействия с магнитными и электрическими полями.
 Недостатки: плохая временная и температурная стабильность харак-теристик, сравнительно большая потребляемая электрическая мощность, сложность изготовления универсальных устройств.
 Фотоприемники – это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии оптического излучения в электрическую энергию. Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фо-тодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и т. д. Для получения макси-мального преобразования оптического излучения в электрический сигнал необходимо согласовывать спектральные характеристики фотоизлучателей и фотоприемников.
 Работа фотоприемников основана на одном их трех видов фотоэлек-трических явлений:
- внутреннем фотоэффекте – изменении электропроводности веще-ства при его освещении,
- внешнем фотоэффекте – испускании веществом электронов под действием света (используется в вакуумных и газонаполненных фотоэлементах).
- фотоэффекте в запирающем слое – возникновении ЭДС на границе двух материалов под действием света.
2. ФР-Г-310
ФР – фоторезистор, Г-310 – номер прибора.

Фоторезистор

Фоторезисторами называют полупроводниковые приборы, прово-димость которых меняется под действием света. Если фоторезистор вклю-чен последовательно с источником напряжения и не освещен, то в его цепи будет протекать темновой ток:

где E – э. д. с. источника питания; RT – величина электрического со-противления фоторезистора в темноте, называемая темновым сопротивле-нием; RН – сопротивление нагрузки.
При освещении фоторезистора энергия фотонов расходуется на пе-ревод электронов в зону проводимости. Количество свободных электрон-но-дырочных пар возрастает, сопротивление фоторезистора падает и че-рез него течет световой ток:

Разность между световым и темновым током дает значение тока Iф, получившего название первичного фототока проводимости

Основными характеристиками фоторезисторов являются:
- вольтамперная;
- cветовая.

Основные параметры фоторезисторов:
- рабочее напряжение Uр;
- максимально допустимое напряжение фоторезистора Umax;
- темновое сопротивление Rс;
-  световое сопротивление Rс;
- кратность изменения сопротивления KR;
- допустимая мощность рассеяния;
- общий ток фоторезистора;
- фототок;
- удельная чувствительность;
- интегральная чувствительность;
- постоянная времени.

3. АОТ115Б – предназначен для использования в качестве управляе-мого ключа в узлах радиоэлектронной аппаратуры.

1 элемент – А – соединение галлия;
2 элемент – О – оптопара;
3 элемент – Т – транзистор;
115 – номер прибора;
Б – разновидность.
Предназначен для использования в качестве управляемого ключа в узлах радиоэлектронной аппаратуры, в которых требуется гальваническая развязка между выходной цепью и цепями управления.
Задача №4 из контрольной работы №1 (вариант 9)
Контрольная работа 1 Вариант 9 Задача 4 1. Укажите преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники. 2. Приведите полную техническую характеристику заданного элемента оптоэлектроники. 3. Приведите УГО заданного оптрона и укажите область применения, расшифруйте маркировку. Решение. 1. Оптоэлектроникой называют научно-техническое направление, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются электрические и оптоэлектрические средства и методы. К достоинствам оптоэлектро
User ilya01071980 : 28 августа 2017
50 руб.
Задача №4 из контрольной работы №1 (вариант 10)
Контрольная работа 1 Вариант 10 Задача 4 1. Укажите преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники. 2. Приведите полную техническую характеристику заданного элемента оптоэлектроники. 3. Приведите УГО заданного оптрона и укажите область применения, расшифруйте маркировку. Решение. 1. Оптоэлектроникой называют научно-техническое направление, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются электрические и оптоэлектрические средства и методы. К достоинствам оптоэлектр
User ilya01071980 : 27 августа 2017
50 руб.
Задача №4 из контрольной работы №1 (вариант 5)
Контрольная работа 1 Вариант 5 Задача 4 1. Укажите преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники. 2. Приведите полную техническую характеристику заданного элемента оптоэлектроники. 3. Приведите УГО заданного оптрона и укажите область применения, расшифруйте маркировку.
User ilya01071980 : 25 августа 2017
50 руб.
Задача №1 из контрольной работы №1 (вариант 4)
Решение: 1. Выбираем диод 2Д213А, так как у него максимальная величина Iпр max=10 A и Uобр max=200 В, где Iпр max – максимальное значение прямого тока, а Uобр max – максимальное значение обратного напряжения. 2. 1 элемент 2 – кремниевый 2 элемент Д – выпрямительный диод 3 элемент 2 – большой мощности 13 – порядковый номер разработки А – классификация. 3. По вольт-амперной характеристике определим следующие пара-метры: Uпр=1 В, Iпр=9 мА, Uобр=1 В, Iобр=0.5 мкА, U=0.2 В,
User ilya01071980 : 2 сентября 2017
50 руб.
Задача №1 из Контрольной работы №3 (Вариант №4)
Контрольная работа No 3 Вариант No4 Задача No 1 Рассчитать частоту генерируемого сигнала, соответствующую оптимальному углу пролета, при заданной ширине обедненной области W=5 мкм в лавинно-пролетном диоде (ЛПД). Пояснить принцип работы автогенератора на ЛПД, нарисовать ВАХ с указанием рабочей точки. Полупроводниковый материал – Si. Решение. Так как W=5 мкм>>xЛ=0.2 мкм, то частота генерируемого сигнала, соответствующая оптимальному углу пролета равна Сочетание процесса ударной ионизации и пр
User ilya01071980 : 15 сентября 2017
50 руб.
Задача №3 из контрольной работы №1 (вариант 4)
Задача 3 1. Начертить схему включения полевого транзистора с общим исто-ком в динамическом режиме. 2. Приведите стоковую и стоко-затворную характеристику транзи-стора. 3. Приведите статические параметры полевого транзистора. Решение. 1. ПТ с управляющим p-n переходом и n каналом В таком транзисторе на затвор необходимо подавать отрицательное напряжение а на сток положительное. 2. Стоко-затворная характеристика транзистора. Стоковая характеристика транзистора. 3. (при
User ilya01071980 : 2 сентября 2017
50 руб.
Задача №5 из контрольной работы №1 (вариант 4)
Задача 5 1. Перечислите электронные приборы, служащие для отображения информации. 2. Поясните принцип действия и устройство заданного индикаторно-го прибора, поясните маркировку. 1. Электронные приборы, служащие для отображения информации: - электронно-лучевые трубки (ЭЛТ); - знаковые газоразрядные индикаторы; - вакуумные накаливаемые индикаторы; - полупроводниковые индикаторы; - жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ). 2. Полупроводниковый индикатор. Этот прибор является активным. Он выполнен
User ilya01071980 : 2 сентября 2017
50 руб.
Термодинамика и теплопередача ДВГУПС 2004 Контрольная работа 1 Задача 4 Вариант 4
М кг воздуха совершает цикл Карно в пределах температур t1 и t3, причем наивысшее давление составляет pmax, а наинизшее – pmin. Определить параметры воздуха в характерных точках цикла, количество подведенной и отведенной теплоты и термический КПД цикла. Изобразить цикл в координатах p-υ.
User Z24 : 1 января 2026
150 руб.
Термодинамика и теплопередача ДВГУПС 2004 Контрольная работа 1 Задача 4 Вариант 4
Контрольная работа по дисциплине: Алгоритмы и структуры данных. Вариант № 11
Вариант № 11 Выполнение работы Таблица 1. Варианты заданных предметных областей (ХХ – 2 последние цифры пароля) ХХ Предметная область Атрибуты информации Критерий отбора 11 36 61 86 Сведения о студентах фамилия студента, имя, отчество, факультет, количество братьев и сестер Студенты с ненулевым числом братьев и сестер Часть I – Статические структуры 1. На основе материалов конспекта лекций, рекомендуемой литературы и материалов сети Интернет изучить теоретический материал по программировани
User IT-STUDHELP : 14 апреля 2021
850 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Алгоритмы и структуры данных. Вариант № 11 promo
Страхование предпринимательских рисков в деятельности государственного посредника в сфере военно-технического сотрудничества
Ключевыми тенденциями развития мировой экономической системы на современном этапе являются непрерывный, постоянно ускоряющийся инновационный процесс и расширяющаяся глобализация рынков. К настоящему времени мирохозяйственные связи стали всеохватывающей системой, включающей в себя не только обмен сырьем и готовой продукцией, но и другие стадии воспроизводственного процесса, такие как НИОКР, производственная специализация, кооперативные и другие формы взаимосвязей национальных хозяйств. Поскольку
User Aronitue9 : 5 ноября 2012
10 руб.
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 8 Вариант 52
Определить поверхность нагрева стального рекуперативного газовоздушного теплообменника (толщина стенок δс=3 мм) при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей (рис. 6.2 и 6.3), если объемный расход воздуха при нормальных условиях Vн, средний коэффициент теплоотдачи от воздуха к поверхности нагрева α1, от поверхности нагрева к воде α2=500 Вт/(м²·К), коэффициент теплопроводности материала стенки трубы (стали) λ=50 Вт/(м·К), теплоемкость топочных газов сг=1,15 кДж/(кг·К), плотность
User Z24 : 27 января 2026
300 руб.
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 8 Вариант 52
Интуитивизм
; чувственная, интеллектуальная и мистическая интуиция Для более полного понимания гносеологических воззрений Н. О. Лосского необходимо изложение метафизических построений философа, наиболее полно изложенных в статье “Типы мировоззрений”. Возвращаясь к традиции классической европейской философии, он видит в философии науку, отличающуюся от частных наук всеобщностью и глубиной оснований: “Метафизика есть наука о мире как целом; она даёт общую картину мира как основу для всех частных утверждений
User Qiwir : 29 августа 2013
5 руб.
up Наверх