Экзамен Электроника

Категории: ДО СИБГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
Добавлен: 07.02.2018
Размер: 142 KB
Покупок: 1
Добавил:
andreyan

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

63 руб.

Скачать

Состав работы

0E4A034B-AD00-460A-9F6F-27410E3EB14B.zip [ 142 KB ]

Экзамен.docx [ 156 KB ]

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

1. Аналоговые ключи на транзисторах.

2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Экзамен. Электроника

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом

Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная

lisii : 21 марта 2019

65 руб.

Экзамен. Электроника

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

AlexBrookman : 3 февраля 2019

90 руб.

Экзамен . Электроника

1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

DEKABR1973 : 2 декабря 2017

110 руб.

Экзамен "Электроника"

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

svh : 26 сентября 2016

220 руб.

Экзамен: Электроника

1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

shpion1987 : 3 октября 2011

50 руб.

Экзамен. Электроника. билет №18

1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристи

ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника

nasiknice : 2 декабря 2020

500 руб.

Экзамен. Электроника. Билет №19

Вопрос №1 Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. Вопрос №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите переда

******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная

sxesxe : 15 января 2017

100 руб.

Экзамен. Электроника. Вариант №2.

1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Антон133 : 6 декабря 2016

150 руб.

Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 2.10 Вариант И

Вода с расходом Q подается по трубе длиной l и диаметром d1 в напорный бак, где избыточное давление равно p0, а уровень жидкости находится на высоте Н. Определить показание манометра рм*, который установлен в начале трубопровода на участке диаметром d2 (высота установки h). При решении учесть потери на сужение русла (переход с d2 на d1) ζсуж = 0,2, на поворот русла ζ = 0,5, на выход из трубы в бак (внезапное расширение) и на трение по длине λ = 0,03. Потерями на участке от места установки мано

Задачи Гидравлика

Z24 : 18 декабря 2025

200 руб.

Зачет по дисциплине "Введение в специальность"

Вариант 23 1. С какой частотой следует дискретизировать аналоговый сигнал? 2. Какова структура устройства передачи сообщений? 3. Опишите принцип коммутации пакетов. Его достоинства и недостатки. 4. Перечислите основные направления развития документальной электросвязи. 5. Какова основная особенность транкинговых систем мобильной связи?

Информационные технологии и системы СибГУТИ Работа Зачетная

promokahca : 13 декабря 2010

Гидравлика Задача 2.369

Для измерения падения давления в вентиляционной трубе применяется наклонный чашечный микроманометр, наполненный спиртом плотностью 800 кг/м³. Наклон трубки α = 30º. Определить необходимую длину l манометрической шкалы для измерения падения давления Δр = 98,1 Па (рис. 2.1). Как изменится длина l, если спирт заменить ртутью?

Задачи Гидравлика

Z24 : 10 декабря 2025

150 руб.