Экзамен Электроника
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Похожие материалы
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
90 руб.
Экзамен . Электроника
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
110 руб.
Экзамен "Электроника"
svh
: 26 сентября 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p
220 руб.
Экзамен: Электроника
shpion1987
: 3 октября 2011
1. Статические характеристики полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные ха
50 руб.
Экзамен. Электроника. билет №18
nasiknice
: 2 декабря 2020
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристи
500 руб.
Экзамен. Электроника. Билет №19
sxesxe
: 15 января 2017
Вопрос №1
Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
Вопрос №2
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите переда
100 руб.
Экзамен. Электроника. Вариант №2.
Антон133
: 6 декабря 2016
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выхо
150 руб.
Другие работы
Метрология, стандартизация и сертификация, Контрольная работа, Вариант 06
Devide
: 12 декабря 2011
Задача No 1
Для определения расстояния до места повреждения кабельной линии связи был использован импульсный рефлектометр. С его помощью получено n результатов однократных измерений (результатов наблюдений) расстояния l_i до места повреждения.
Считая, что случайная составляющая погрешности рефлектометра распределена по нормальному закону, определить:
1. Результат измерения с многократными наблюдениями расстояния до места повреждения кабеля l ̅.
2. Оценку среднего квадратического отклонения (СКО
100 руб.
Зачет по дисциплине: Основы инфокоммуникационных технологий. Билет №9
ZhmurovaUlia
: 25 сентября 2016
Билет №9
1. Укажите достоинства сетей с коммутацией каналов
:возможность ведения непосредственных переговоров между
абонентами
:отсутствие задержки в передаче сообщений после установления соединения
:относительная простота и меньшая стоимость оборудования
:высокая чувствительность к перегрузкам
:низкое использование каналов
2. Пусть передается сообщение, указанное на рисунке. Чему будет равна скорость передачи информации?
3. Каковы преимущества беспров
120 руб.
Жуков М.Ф. (ред), Неронов В.А., Лукашов В.П. и др. Новые материалы и технологии. Экстримальные технологические процессы
GnobYTEL
: 13 октября 2012
Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1992. - 183 с.
Монография, обобщающая результаты работ по программе "Сибирь" (разд. "Новые материалы и технологии"), издана в трех книгах. в первой из них изложены перспективы развития методов получения дисперсных материалов, синтеза ультрадисперсных порошков тугоплавких соединений и алмазов, их свойства и области применения. Обсуждаются плазменные технологии получения азотной кислоты, утилизации органических отходов,обработки строительных и тугоплавких м
15 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 1.3 Вариант Ж
Z24
: 17 декабря 2025
Определить давление р1 в жидкости под диафрагмой, если известна сила F, приложенная к штоку. Принять площадь диафрагмы S. Упругостью диафрагмы пренебречь. (Величины F и S взять из таблицы 1).
120 руб.