Экзамен Электроника

Цена:
63 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Экзамен.docx
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Аналоговые ключи на транзисторах.

2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен "Электроника"
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p
User svh : 26 сентября 2016
220 руб.
Экзамен: Электроника
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
User shpion1987 : 3 октября 2011
50 руб.
Экзамен. Электроника. билет №18
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристи
User nasiknice : 2 декабря 2020
500 руб.
Экзамен. Электроника. билет №18
Экзамен. Электроника. Билет №19
Вопрос №1 Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. Вопрос №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите переда
User sxesxe : 15 января 2017
100 руб.
Экзамен. Электроника. Вариант №2.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
User Антон133 : 6 декабря 2016
150 руб.
Метрология, стандартизация и сертификация, Контрольная работа, Вариант 06
Задача No 1 Для определения расстояния до места повреждения кабельной линии связи был использован импульсный рефлектометр. С его помощью получено n результатов однократных измерений (результатов наблюдений) расстояния l_i до места повреждения. Считая, что случайная составляющая погрешности рефлектометра распределена по нормальному закону, определить: 1. Результат измерения с многократными наблюдениями расстояния до места повреждения кабеля l ̅. 2. Оценку среднего квадратического отклонения (СКО
User Devide : 12 декабря 2011
100 руб.
Зачет по дисциплине: Основы инфокоммуникационных технологий. Билет №9
Билет №9 1. Укажите достоинства сетей с коммутацией каналов :возможность ведения непосредственных переговоров между абонентами :отсутствие задержки в передаче сообщений после установления соединения :относительная простота и меньшая стоимость оборудования :высокая чувствительность к перегрузкам :низкое использование каналов 2. Пусть передается сообщение, указанное на рисунке. Чему будет равна скорость передачи информации? 3. Каковы преимущества беспров
User ZhmurovaUlia : 25 сентября 2016
120 руб.
Жуков М.Ф. (ред), Неронов В.А., Лукашов В.П. и др. Новые материалы и технологии. Экстримальные технологические процессы
Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1992. - 183 с. Монография, обобщающая результаты работ по программе "Сибирь" (разд. "Новые материалы и технологии"), издана в трех книгах. в первой из них изложены перспективы развития методов получения дисперсных материалов, синтеза ультрадисперсных порошков тугоплавких соединений и алмазов, их свойства и области применения. Обсуждаются плазменные технологии получения азотной кислоты, утилизации органических отходов,обработки строительных и тугоплавких м
User GnobYTEL : 13 октября 2012
15 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 1.3 Вариант Ж
Определить давление р1 в жидкости под диафрагмой, если известна сила F, приложенная к штоку. Принять площадь диафрагмы S. Упругостью диафрагмы пренебречь. (Величины F и S взять из таблицы 1).
User Z24 : 17 декабря 2025
120 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 1.3 Вариант Ж
up Наверх