Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №19
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Зачетная
-
Добавлен:
15.07.2018
-
Размер:
292 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
SibGOODy
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
8DD50671-809D-4C7E-A2A8-EA57E42F2E68.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Типы электронных переходов.
Раздел Излучатели.
2. Конструкция и схема включения светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового регулятора.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Типы электронных переходов.
Раздел Излучатели.
2. Конструкция и схема включения светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового регулятора.
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: июнь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Дата сдачи: июнь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники»
te86
: 10 июня 2013
1.Диаграмма направленности излучателя.
2. Электрическая модель светоизлучающего диода
3. Характеристики и параметры фотоприемников.
4. Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
te86
: 10 июня 2013
200 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники
alexkrt
: 9 ноября 2012
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Особенности оптической электроники.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототиристора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора изменяющегося напряжения.
alexkrt
: 9 ноября 2012
150 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники
yans
: 6 ноября 2012
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
РАБОТА ВЫПОЛНЕНА САМОСТОЯТЕ
yans
: 6 ноября 2012
350 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №13
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Закон Ламберта.
Раздел Излучатели.
2. Параметры светоизлучающего диода как компоненты электронных устройств.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Принцип работы полупроводниковых фотоприемных устройств.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности.
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
400 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №18
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Определение числовой апертуры.
Раздел Излучатели.
2. Процессы в излучателе на основе моно p-n перехода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотодиодов с барьером Шоттки.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового ключа.
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
400 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №11
SibGOODy
: 7 августа 2018
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Излучатели на основе моноперехода.
Раздел Излучатели.
2. Ввод излучения в световоды.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия сканистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Устройство и принцип действия оптических устройств считывания информации.
SibGOODy
: 7 августа 2018
400 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №15
SibGOODy
: 18 марта 2018
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Типы световодов.
Раздел Излучатели.
2. Характеристики светоизлучающего диода: спектральная, яркостная, излучательная.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Электрические модели фотоприемников.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Применение оптронов для выполнения цифровых функций.
SibGOODy
: 18 марта 2018
350 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Билет №4
Учеба "Под ключ"
: 24 октября 2017
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Фотометрические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2. Устройство и принцип действия гетеро-лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия приборов на основе составного фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Устройство и принцип действия электролюминесцентного индикатора.
Учеба "Под ключ"
: 24 октября 2017
350 руб.
Другие работы
Зачетная работа по дисциплине: химия радиоматериалов
barjel
: 25 февраля 2012
Как связана ширина запрещенной зоны с электропроводностью полупроводниковых материалов ?
С ростом ширины запрещенной зоны число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление увеличивается.
Запрещённая зона — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. В полупроводниках запрещённой зоной называют область энергий, отделяющую полностью заполненную электронами валентную зон
barjel
: 25 февраля 2012
75 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Проектирование линейных сооружений телекоммуникационных систем. Билет №2
IT-STUDHELP
: 30 апреля 2021
Билет № 2
2. Наименьший уровень мощности на входе приемного устройства, при котором коэффициент ошибок ТКС находится в пределах нормы, это…
• коэффициент отражения
• уровень перегрузки
• чувствительность
• защищенность
• затухание
4. Определит затухание линии связи, если уровень мощности на входе
-15 дБм, а уровень мощности на выходе -23 дБм
• - 6 дБ
• - 7 дБ
• - 8 дБ
• - 38 дБ
• - 40 дБ
7. Сколько мВт(мкВт) составляет мощность сигнала, уровень которого в относительных единицах равен Р =
IT-STUDHELP
: 30 апреля 2021
600 руб.
Вал-шестерня (малая).
tami
: 22 января 2012
3D модель вала-шестерни выполнена в программе Компас 3D V12. Чертеж вала-шестерни прилагается.
tami
: 22 января 2012
50 руб.
Курсовая работа по Экономике связи, Вариант №17
natbd
: 29 марта 2018
Вариант 17
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
Индекс инфляции – 1,088 %
Годовая норма дисконта –1%
ММОТ в соответствии с законодательством в 2010 году – 1 136,99 руб.
Удельный вес материальных затрат, облагаемых НДС и входящих в состав прочих затрат в текущем периоде – 30%
Удельный вес оборотных средств в общей стоимости ОПФ – 3,5%
Коэффициент перевода капвложений в основные фонды – 0,97
Активная часть стоимости ОПФ – 85%
Удельный вес работников основной деятельности, занятых непосредственно обслуживанием средс
natbd
: 29 марта 2018
150 руб.
