Биполярный транзистор
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением:
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1)
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1)
Дополнительная информация
2017г.
Похожие материалы
Биполярный транзистор
vilkiber
: 21 сентября 2018
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением:
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1
2000 руб.
Биполярные транзисторы
alfFRED
: 13 ноября 2012
ТЕМА 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1 Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности.
Выпускаемые в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим признакам:
Ø по материалу: германиевые и кремниевые;
Ø по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n;
Ø по мощности: малой (Рмах £ 0,3Вт), средней (Рмах £ 1,5Вт) и большой мо
10 руб.
Биполярный транзистор KT605А
marilottar
: 24 марта 2017
Дан биполярный транзистор КТ605А, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=2,4∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=240В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора
500 руб.
«Исследование усилителя на биполярном транзисторе»
vovan1441
: 10 апреля 2019
Цель работы:
Исследовать
принцип
работы
усилителя
на биполярном
транзисторе
для схемы с
ОЭ и влияние параметров биполярного транзистора и элементов схемы на параметры и частотные характеристики усилителя.
200 руб.
Расчет усилителей на биполярных транзисторах
evelin
: 14 ноября 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Расчет усилительного каскада
1. Исходные данные к курсовой работе
2. Характеристики используемого транзистора
3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора
4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току
5. Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке
6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора
7. Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора
8. Определение сопротивления нагрузки транзистора по переме
19 руб.
Ключевые элементы на биполярних транзисторах
ostah
: 13 ноября 2012
Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Биполярный транзистор уже давно используется в импульсных источниках электропитания, поэтому не будут подробно рассматриваться особенности его работы в ключевом режиме, а только необходимые для практики сведения.
Как известно, свойства транзистора как усилителя тока описываются следующим уравнением:
где h21 — коэффициент усиления по току;
iб—ток базы;
iк — ток коллектора.
Линейная область работы транзистора хороша тем, что позволяет, регулируя сравн
5 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
50 руб.
Другие работы
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 1.1 Вариант 69
Z24
: 6 января 2026
В баллоне емкостью V при температуре t и давлении p содержится газовая смесь, объемный состав которой следующий: RO2, RN2 и RCO2.
Определить массу газа.
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Оптические мультисервисные сети. Билет №39
IT-STUDHELP
: 10 февраля 2020
Билет №39
Оптические мультисервисные сети (ПК-1)
1 Из каких этапов состоит проектирование оптической транспортной сети?
2 Какие варианты топологий должны рассматриваться при проектировании оптической транспортной сети?
3 Какие технологии оптических сетей позволяют наименьшими затратами физических и финансовых ресурсов реализовать гибкий доступ к отдельным оптическим каналам в промежуточных станциях?
Задача
Составить схему организации связи оптической транспортной сети кольцевого типа с гарант
800 руб.
Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №14
IT-STUDHELP
: 3 декабря 2022
Лабораторная работа No1
по дисциплине:
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых ба
700 руб.
Экзамен. Основы схемотехники. Билет №1-10
aleksei84
: 4 ноября 2014
Привести схему двухкаскадного усилителя на биполярных транзисторах типа n-p-n с RC – связью. Рассчитать частотные искажения первого каскада в области высоких частот, если известно Rвых Э1 = 10 кОм; RК1 = 2 кОм; R’б1 = 8 кОм; R’’б1 = 8 кОм; RВХ Э2 = 3 кОм; СВЫХ1 = 30 пФ; Сб’ЭДИН = 1000 пФ. Влиянием второй цепи первого каскада - пренебречь.
2. Понятие площади усиления резистивных каскадов. Перечислить способы и дать характеристику их, способствующих увеличению площади усиления.
29 руб.