Биполярный транзистор
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением:
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1)
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1)
Дополнительная информация
2017г.
Похожие материалы
Биполярный транзистор
vilkiber
: 21 сентября 2018
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением:
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1
2000 руб.
Биполярные транзисторы
alfFRED
: 13 ноября 2012
ТЕМА 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1 Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности.
Выпускаемые в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим признакам:
Ø по материалу: германиевые и кремниевые;
Ø по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n;
Ø по мощности: малой (Рмах £ 0,3Вт), средней (Рмах £ 1,5Вт) и большой мо
10 руб.
Биполярный транзистор KT605А
marilottar
: 24 марта 2017
Дан биполярный транзистор КТ605А, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=2,4∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=240В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора
500 руб.
«Исследование усилителя на биполярном транзисторе»
vovan1441
: 10 апреля 2019
Цель работы:
Исследовать
принцип
работы
усилителя
на биполярном
транзисторе
для схемы с
ОЭ и влияние параметров биполярного транзистора и элементов схемы на параметры и частотные характеристики усилителя.
200 руб.
Расчет усилителей на биполярных транзисторах
evelin
: 14 ноября 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Расчет усилительного каскада
1. Исходные данные к курсовой работе
2. Характеристики используемого транзистора
3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора
4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току
5. Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке
6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора
7. Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора
8. Определение сопротивления нагрузки транзистора по переме
19 руб.
Ключевые элементы на биполярних транзисторах
ostah
: 13 ноября 2012
Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Биполярный транзистор уже давно используется в импульсных источниках электропитания, поэтому не будут подробно рассматриваться особенности его работы в ключевом режиме, а только необходимые для практики сведения.
Как известно, свойства транзистора как усилителя тока описываются следующим уравнением:
где h21 — коэффициент усиления по току;
iб—ток базы;
iк — ток коллектора.
Линейная область работы транзистора хороша тем, что позволяет, регулируя сравн
5 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
50 руб.
Другие работы
Зачет по дисциплине Основы оптической связи. Билет 5
xtrail
: 7 ноября 2023
Билет на зачет № 5
1. Найдите оптическую и геометрическую длину пути света за время распространения t=0.2с, если свет распространяется в диэлектрике с n=1.46.
2. Дифракционная решетка используется в качестве демультиплексора группового сигнала ВОСП – WDM, разделяя его на 10 каналов. Работа производится в диапазоне «1520-1540» нм оптического волокна. Ширина спектра лазеров, вырабатывающих канальные сигналы, равна 1.2 нм. Определите максимально возможную величину периода дифракционной решетки, е
500 руб.
Оптические мультисервисные сети. Зачет. Билет № 15
ElenaA
: 2 марта 2018
1 Принципы и методы восстановления сети тактовой синхронизации
2 Технология транспортной сети АТМ. Ячейки АТМ и их коммутация
Задача
Определить число возможных кроссовых соединений типа «точка-точка» в коммутаторе для виртуальных трактов АТМ при диапазоне идентификатора VPI от 0000 0011 0111 до 0110 0001 1111. Младшие разряды справа.
Технология разработки программного обеспечения. Экзаменационная работа
wchg
: 15 августа 2013
Вопрос 1. Общие вопросы и коллективная разработка (гл. 1, 5 и 7)
Вариант 7. На какие основные этапы можно разделить жизненный цикл программ? Чем характеризуются этапы?
Вопрос 2. Разработка требований
Вариант 7. На какие группы можно разбить формальные языки спецификаций?
Вопрос 3. Проектирование
Вариант 7. Какими основными чертами и достоинствами обладает проектирование с повторным использованием компонентов. Какой размер компонент, используемых для повторного использования?
Вопрос 4. Программир
79 руб.
Экзамен по дисциплине: Системы и сети связи с подвижными объектами. Билет №6
DreaMaster
: 16 января 2016
1. Приведите полосу частот расширенного EGSM .............................
2. Мультикадр каналов трафика в стандарте GSM включает ....... TDMA кадров
3. В интервале временной синхронизации стандарта GSM синхропоследовательность составляет .............бит
4. В стандарте GSM повторяющиеся интервалы временной синхронизации образуют канал ..............(приведите английскую аббревиатуру)
5. Перечислите основные недостатки технологии HSCSD
6. В методе модуляции сигнала QPSK один символ соот
145 руб.