Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.2).
Решение
Таблица 2. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А B C D E F G
7 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать, какую силу света обеспечивает светодиод при заданных и . Определить длину волны, соответственно максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице 2.
Таблица 2
№ варианта Тип Светодиода Напряжение питания ,
Номинал ограничительного сопротивления,
0 АЛ102В 5 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.2).
Решение
Таблица 2. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А B C D E F G
7 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать, какую силу света обеспечивает светодиод при заданных и . Определить длину волны, соответственно максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице 2.
Таблица 2
№ варианта Тип Светодиода Напряжение питания ,
Номинал ограничительного сопротивления,
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
Игнатов Александр Николаевич, 2018
Похожие материалы
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
Алексей1222
: 12 февраля 2018
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр
Тип ПП материала – Ge;
Квантовая эффективность,y-0,2;
Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6
3
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
SibGOODy
: 14 сентября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Кван
400 руб.
Контрольная работа №1. Вариант 07. Устройства оптоэлектроники
Lanisto
: 12 марта 2015
1.Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
2.Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
3.Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходо
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. Вариант 07.
mirsan
: 15 мая 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
150 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Другие работы
Физика. Лабораторная работа 7.3 Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера. Вариант №4
MN
: 23 января 2014
Цель работы: Исследовать явление дифракции электромагнитных волн. С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн видимого диапазона
Задание
1. Выбрать линзу “Л2”, задав фокусное расстояние L от 25 до 35 см.
2. Получить интерференционную картину на экране.
3. Установить красный светофильтр. Измерить расстояние l1 от середины максимума первого порядка до середины центрального максимума по шкале экрана. Записать полученное значение в отчет по лабораторной раб
100 руб.
Относительность закона Хаббла
Lokard
: 10 августа 2013
В 1929 г. американский астроном Эдвин Хаббл на основе эффекта Доплера подтвердил расширение видимой части Вселенной. Закон, по которому скорость удаления галактик пропорциональна расстоянию, носит название закона Хаббла. Из него следует, что галактики находятся от нас на огромном расстоянии – десятки, сотни миллионов световых лет, и скорость их удаления сравнима со скоростью света. Коэффициент расширения Вселенной (постоянная Хаббла) равен 75 км/сек. Слабым звеном этого закона является отсутстви
10 руб.
Вычислительные машины системы и сети. Шпаргалки
VikkiROY
: 31 октября 2012
Список тем: Принципы организации ЭВМ,Многоуровневая организация ЭВМ, Архитектуры CISC и RISC,Классисификация архитектуры SISD, Основные типы данных,Логическая и регистровая структура ЦП,Обобщенная структура АЛУ, характеристики МП 8080 и МП
808626. Методы распределения памяти, Способы управления обменом данными.
ТПУ,Россия,2010 г.,78стр.
2 руб.
Организация и планирование производства на механическом (сборочном) участке.
jk-81
: 31 октября 2012
РЕФЕРАТ
Курсовой проект содержит: 33 страницы компьютерного текста, 4 таблицы, 3 рисунка, 5 источников литературы, графическая часть 2 листа формата А4 (1.Планировка оборудования на участке 2. Подетальный и пооперационный план).
Объект исследования – организация и планирование производства на механическом (сборочном) участке.
Цель курсовой работы — организация производственного процесса во времени и пространстве на внутрицеховом уровне.
Практическое применение курсовой работы заключается в том
500 руб.