Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 07.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.2).
Решение
Таблица 2. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А B C D E F G
7 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать, какую силу света обеспечивает светодиод при заданных и . Определить длину волны, соответственно максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице 2.
Таблица 2
№ варианта Тип Светодиода Напряжение питания ,
Номинал ограничительного сопротивления,
0 АЛ102В 5 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
(Фототранзистор)
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.2).
Решение
Таблица 2. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А B C D E F G
7 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать, какую силу света обеспечивает светодиод при заданных и . Определить длину волны, соответственно максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице 2.
Таблица 2
№ варианта Тип Светодиода Напряжение питания ,
Номинал ограничительного сопротивления,
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
Игнатов Александр Николаевич, 2018
Похожие материалы
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
Алексей1222
: 12 февраля 2018
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр
Тип ПП материала – Ge;
Квантовая эффективность,y-0,2;
Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6
3
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
SibGOODy
: 14 сентября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Кван
400 руб.
Контрольная работа №1. Вариант 07. Устройства оптоэлектроники
Lanisto
: 12 марта 2015
1.Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
2.Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
3.Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходо
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. Вариант 07.
mirsan
: 15 мая 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
150 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Другие работы
Проектирование и исследование механизмов самоходного шасси. Задание-10. Вариант-2
Fair116
: 12 декабря 2012
Содержание.
Содержание. 2
Введение. 3
1.Структурный анализ механизма. 3
2.1. Кинематический синтез кривошипно-ползунного механизма. 4
2.2. План положений. 5
2.3. План скоростей и ускорений. 6
2.3.1. План скоростей. 6
2.3.2. План ускорений. 8
2.4. Кинематические диаграммы. 10
3. Силовой расчет. 12
3.1. Обработка индикаторной диаграммы. 12
3.2. Силовой расчёт группы Ассура второго класса. 13
3.2.1.Определение сил инерции. 13
3.2.2.Определение сил тяжести. 14
3.2.3. Определение реакций в кинемати
270 руб.
Переходные процессы, спектральный метод. Цепи с распределенными параметрами
romanoff81
: 26 ноября 2009
Контрольная работа по ОТЦ - Задание 2. Задание 3
ПГУТИ, 3 курс, специальность МТС, 37 вариант, 2 задачи, 7 страниц
Задача 2 (Условие: На входные зажимы цепи, схема которой изображена на рис.3, воздействует прямоугольный импульс напряжения Е длительностью t. Числовые значения параметров элементов равны: R=8 кОм, L=4 мГн, C=1/4 нФ. Определить переходную характеристику по напряжению h(t), выражение выходного напряжения u(t), комплексную передаточную функцию H(jw), построить графики выходного напря
14 руб.
Основы теплотехники МИИТ 2012 Задача 1.2 Вариант 3
Z24
: 4 марта 2026
Смесь идеальных газов заданного массового состава занимает объем V при постоянном абсолютном давлении p и температуре t. Требуется определить газовую постоянную смеси, среднюю молекулярную массу, массу смеси, объемный состав смеси, а также среднюю мольную, объемную и массовую теплоемкости смеси (при p=const) для интервала температур 0-t.
180 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине «Сетевые базы данных-1» 6 семестр
RishaDolos
: 10 февраля 2012
Лабораторная работа N 4
Обработка форм
Задание № 1
Создайте файл z4-1a.htm с HTML-формой, позволяющей выбрать
а) горизонтальное (align, варианты значений: left, center, right),
б) вертикальное (valign, варианты значений: top, middle, bottom)
расположение текста в таблице.
Для (а) использовать радиокнопки, для (б) - флажки.
Обработка формы выполняется в скрипте z4-1b.php по нажатии кнопки "Выполнить".
№ 2
На основе предыдущего задания создайте файл z4-2.php с HTML-формой, которая вызывает са
70 руб.