Физика. Лабораторная работа № 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы:
 Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Теоретическое введение:
 Электропроводность материалов определяется выражением:
(1), где: q+ и q- – еличина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n+ = n- = n.
Тогда (2).
Здесь µn и µp - подвижность электронов проводимости и дырок, соответственно.
Строго говоря, от температуры зависят и концентрация, и подвижности носителей заряда. Однако, во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью подвижностей от температуры можно пренебречь и считать подвижности постоянными, не зависящими от температуры. В данной работе рассматривается именно этот случай.