Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon EFD6AD81-4BCF-4607-A41D-885355E49350.doc [ 664 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .


Исходные данные:
Таблица 1.
Вариант Тип ПП материала Si Квантовая
эффективность, η 0.7 Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1.12

 Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля).

Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода  АЛ316А, Напряжение питания , В - 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом-680

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 01.12.2017
Рецензия:Уважаемый.............,Вы правильно решили задачи

Игнатов Александр Николаевич

Работа зачтена без замечаний.

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. № варианта: 8 Тип фотоприемника: Фототиристор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 1 Тип ПП материала: Si Квантовая эффективность, n: 0,7 Ши
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SibGOODy : 7 августа 2018
450 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №18
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 2 Вариант Тип ПП материала Квантовая эффекти
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User kakau : 15 декабря 2013
89 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Богарт : 2 июня 2011
199 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа. вариант №18
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. Вопрос №1: Закон Бугера - Ламберта. Поглощение света в твердом теле происходит в соответствии с законом Бугера-Ламберта: , где - коэффициент отражения; - поток световой энергии на расстоянии от поверхности (вдоль луча..... Раздел Излучатели. Вопрос №2: Источники некогерентного включения. Свет, характеризуемый соотношением , где - центральная часть в спектре, а - ширина этого спектра, обычно называют некогерентным. Некогерентное излучение
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Sibur54 : 16 марта 2019
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. 18 вариант
контрольная работа по предмету устройства оптоэлектроники Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника Фототиристор Фотоприемный прибор, имеющий три и более р-п перехода, в ВАХ которого имеется участок отрицательного дифференциального сопротивления, называются фототиристорами. На рисунки 1 изображена структура фототиристора с тремя р-n переходами. Крайние области такой структуры р и п называютс
СибГУТИ Работа Контрольная Вычислительные машины, системы и сети
User Темир : 23 ноября 2014
49 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.

Другие работы

Проект организации и управления маркетингом на предприятии
Введение В последние годы в связи с развитием в нашей стране рыночных отношений, расширением возможностей внешнеэкономической деятельности значительно возрос интерес к маркетингу как к концепции рыночного управления. После осознания руководством предприятия того, что в условиях рынка управлять предприятием на основе прежних принципов невозможно, начинается переориентация деятельности предприятия на использование концепции маркетинга как философии и совокупности практических приемов управления п
Менеджмент Работа
User Qiwir : 8 апреля 2014
19 руб.
Презентация . Различные теории формирования прав собственности
Континентальная и англосаксонская правовые традиции. Китайская правовая традиция. Право собственности в российском законодательстве.
Правоведение Работа
User Lokard : 5 апреля 2013
5 руб.
Влияние ионизирующего излучения на человека и меры защиты
Основные характеристики ионизирующих излучений Нормы радиационной безопасности Защита от действия ионизирующих излучений Заключение Список используемой литературы
Экология и защита окружающей среды Работа
User evelin : 9 марта 2015
35 руб.
Теплотехника Задача 17.27 Вариант 34
Определение параметров в характерных точках для идеального цикла газотурбинной установки с подводом теплоты в изобарном процессе Для идеального цикла газотурбинной установки (ГТУ) с подводом теплоты при p=const определить параметры в характерных точках, работу полезную, количество подведённой и отведённой теплоты, термический к.п.д. цикла, если дано: начальное давление р1, МПа; начальная температура t1, ºС, степень увеличения давления в адиабатном процессе сжатия β, температура в т.3 не должн
Задачи Теплотехника
User Z24 : 2 февраля 2026
200 руб.
Теплотехника Задача 17.27 Вариант 34
up Наверх