Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 1.
Вариант Тип ПП материала Si Квантовая
эффективность, η 0.7 Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1.12
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля).
Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода АЛ316А, Напряжение питания , В - 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом-680
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 1.
Вариант Тип ПП материала Si Квантовая
эффективность, η 0.7 Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1.12
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля).
Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода АЛ316А, Напряжение питания , В - 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом-680
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 01.12.2017
Рецензия:Уважаемый.............,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Работа зачтена без замечаний.
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 01.12.2017
Рецензия:Уважаемый.............,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Работа зачтена без замечаний.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
SibGOODy
: 7 августа 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ши
450 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №18
kakau
: 15 декабря 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 2
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффекти
89 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа. вариант №18
Sibur54
: 16 марта 2019
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
Вопрос №1: Закон Бугера - Ламберта.
Поглощение света в твердом теле происходит в соответствии с законом Бугера-Ламберта: , где - коэффициент отражения; - поток световой энергии на расстоянии от поверхности (вдоль луча.....
Раздел Излучатели.
Вопрос №2: Источники некогерентного включения.
Свет, характеризуемый соотношением , где - центральная часть в спектре, а - ширина этого спектра, обычно называют некогерентным. Некогерентное излучение
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. 18 вариант
Темир
: 23 ноября 2014
контрольная работа по предмету устройства оптоэлектроники
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника
Фототиристор
Фотоприемный прибор, имеющий три и более р-п перехода, в ВАХ которого имеется участок отрицательного дифференциального сопротивления, называются фототиристорами.
На рисунки 1 изображена структура фототиристора с тремя р-n переходами. Крайние области такой структуры р и п называютс
49 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Другие работы
Основы физической и квантовой оптики. Вариант №03
89370803526
: 27 июня 2020
Вариант 03 все на скринах
Задание:
Задача 1 к модулю 1
Оптическое волокно имеет следующие параметры:
n1 - абсолютный показатель преломления сердцевины волокна;
n2 - абсолютный показатель преломления оболочки волокна.
Определить:
предельный угол ( ), результат представить в градусах;
числовую апертуру оптического волокна (NA);
апертурный угол (), результат представить в градусах.
Значения n1, n2 приведены в таблицах 1.1 и 1.2., n0 принять равным 1.
200 руб.
Насос масляный 02.013 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 22 декабря 2023
Насос масляный 02.013
Данный насос - шестеренного типа, с всасывающей и нагнетательной камерами, служит для подачи масла в смазочную систему машины.
При вращении зубчатых колес в направлении, указанном на чертеже стрелками, масло из всасывающей камеры захватывается свободными впадинами зубьев колес, переносится вдоль стенок корпуса и в зоне зацепления выдавливается в нагнетательную камеру. Герметичность камер обеспечивается тщательной обработкой торцовых поверхностей зубчатых колес, корпуса и к
500 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТП-1 Вариант 70
Z24
: 18 января 2026
Определить плотность теплового потока q, передаваемого теплопроводностью:
1) через однослойную плоскую металлическую стенку толщиной δc;
2) через двухслойную плоскую стенку: первая стенка покрыта плоским слоем изоляции толщиной δи.
Температуры внешних поверхностей tc1 и tc2 в обоих случаях одинаковы.
150 руб.
Склад готової продукції склозаводу
VikkiROY
: 16 июля 2015
Архітектурно-будівельний розділ
Розрахунково-конструктивний розділ
Основи та фундаменти
Технологія та організація будівельного виробництва
Економіка будівництва
Науково-дослідний розділ
Охорона праці
+звіт з практики
450 руб.