Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon EFD6AD81-4BCF-4607-A41D-885355E49350.doc [664 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .


Исходные данные:
Таблица 1.
Вариант Тип ПП материала Si Квантовая
эффективность, η 0.7 Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1.12

 Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля).

Задача 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода  АЛ316А, Напряжение питания , В - 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом-680

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 01.12.2017
Рецензия:Уважаемый.............,Вы правильно решили задачи

Игнатов Александр Николаевич

Работа зачтена без замечаний.

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. № варианта: 8 Тип фотоприемника: Фототиристор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 1 Тип ПП материала: Si Квантовая эффективность, n: 0,7 Ши
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SibGOODy : 7 августа 2018
450 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №18
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 2 Вариант Тип ПП материала Квантовая эффекти
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User kakau : 15 декабря 2013
89 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Богарт : 2 июня 2011
199 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа. вариант №18
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. Вопрос №1: Закон Бугера - Ламберта. Поглощение света в твердом теле происходит в соответствии с законом Бугера-Ламберта: , где - коэффициент отражения; - поток световой энергии на расстоянии от поверхности (вдоль луча..... Раздел Излучатели. Вопрос №2: Источники некогерентного включения. Свет, характеризуемый соотношением , где - центральная часть в спектре, а - ширина этого спектра, обычно называют некогерентным. Некогерентное излучение
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Sibur54 : 16 марта 2019
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. 18 вариант
контрольная работа по предмету устройства оптоэлектроники Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника Фототиристор Фотоприемный прибор, имеющий три и более р-п перехода, в ВАХ которого имеется участок отрицательного дифференциального сопротивления, называются фототиристорами. На рисунки 1 изображена структура фототиристора с тремя р-n переходами. Крайние области такой структуры р и п называютс
СибГУТИ Работа Контрольная Вычислительные машины, системы и сети
User Темир : 23 ноября 2014
49 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.

Другие работы

Курсовая работа по дисциплине: Программное обеспечение цифровых систем коммутации Вариант 1
Курсовая работа По дисциплине: Программное обеспечение цифровых систем Вариант 1 Задача 1 Изобразить схему алгоритма приема информации о новых вызовах в СКПУ (программ ПСК1 и ПСК2). Задача 2 Изобразить схему алгоритма поиска пути в КП. Для коммутационного поля изображенного на рисунке 6 и содержимое МСПЛав, МСПЛвс, МСН Задача 3 Изобразить схему алгоритмов формирования и выдачи последовательности периферийных команд.
СибГУТИ Программ. обеспеч. цифр. систем коммутации Работа Курсовая
User 8arracuda : 3 ноября 2015
300 руб.
Теплотехника 5 задач Задача 4 Вариант 56
Плоская стальная стенка толщиной δ1 (λ1 = 40 Вт/(м⸱К) с одной стороны омывается газами; при этом коэффициент теплоотдачи равен α1. С другой стороны стенка изолирована от окружающего воздуха плотно прилегающей к ней пластиной толщиной δ2 (λ2 = 0,15 Вт/(м⸱К). Коэффициент теплоотдачи от пластины к воздуху равен α2. Определить тепловой поток ql, Вт/м² и температуры t1, t2, и t3 поверхностей стенок, если температура продуктов сгорания tг, а воздуха — tв.
Задачи
User Z24 : 4 января 2026
150 руб.
Теплотехника 5 задач Задача 4 Вариант 56
Зачетная работа . "Теория массового обслуживания". Билет 4
1. Клаccификация cиcтем маccового обcлуживания. 2. Cети Джекcона.
СибГУТИ Работа Зачетная Теория массового обслуживания
User Lanisto : 12 марта 2015
150 руб.
Лабораторная работа №5 РАЗРАБОТКА ГРАФИЧЕСКОГО ИНТЕРФЕЙСА ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ И ОБРАБОТЧИКОВ СОБЫТИЙ ЭЛЕМЕНТОВ УПРАВЛЕНИЯ Вариант 2
Изучение средств разработки графических интерфейсов. Знакомство с основными элементами управления (виджетами) в XML формате и разработка программного Java-кода обработчиков событий к ним.
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Телекоммуникации
User defikz : 21 ноября 2016
500 руб.
up Наверх