Оптоэлектроника и нанофотоника (ДВ 11.1) Контрольная работа. Вариант 8. (2019)

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 2C64F9DE-7D2B-4016-8B69-7D70988BDB6A.docx [ 524 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Оптоэлектроника и нанофотоника (ДВ 11.1) Контрольная работа. Вариант 8. (2019)

Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Исходные данные.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор

Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Л гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность: 0,2
Ширина запрещенной зоны, эВ: 0,6

Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
Исходные данные
Последняя цифра пароля: 8

Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1. Исходные данные.
№ варианта: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В : 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 510

Дополнительная информация

20.02.2019 Уважаемый А_, Вы правильно решили задачи Игнатов Александр Николаевич

Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам для ДО, ЗО и ускоренников СибГУТИ.
Помогу написать выпускную квалификационную работу.
Сессия «под ключ»
E-mail: zloy.yozh77@mail.ru

Похожие материалы

Оптоэлектроника и нанофотоника (ДВ 11.1) ВАРИАНТ №11
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2
ДО СИБГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Иннокентий : 31 мая 2020
800 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить ... Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Задача No3: Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов д
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User lyolya : 28 июня 2022
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
Оптоэлектроника и нанофотоника
Вариант 16 (6) Решение задач Задача 2 и задача 4
Задачи СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника
User novikova9409 : 25 февраля 2019
100 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
Контрольная работа. Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №33
Контрольная работа по дисциплине: «Оптоэлектроника и нанофотоника» на тему: «Разработка оптоэлектронных устройств» Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник. Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Lгр и фоточувствительность приемника. Изобра
******* Не известно Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User astoria : 27 ноября 2019
300 руб.
Контрольная работа. Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Twinki : 10 апреля 2017
130 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника (ДВ 11.1). Экзамен. Билет 03. (2019)
Вопросы к экзамену по курсу «Оптоэлектроника и нанофотоника (ДВ 11.1)» Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Система обозначений оптоэлектронных приборов. Раздел Излучатели. 2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
ДО СИБГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Экзаменационная
User rmn77 : 16 августа 2019
30 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
******* Не известно Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
Контрольная работа по предмету Оптоэлектроника и нанофотоника. Цифры 64
1.Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник. 2.Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового и
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User yastreb1 : 15 сентября 2023
800 руб.
Контрольная работа по предмету Оптоэлектроника и нанофотоника. Цифры 64

Другие работы

Теплотехника СибАДИ 2009 Задача 4 Вариант 1
Определить литровую мощность и удельный индикаторный расход топлива четырехцилиндрового (i=4) четырехтактного (τ=4) двигателя, если среднее индикаторное давление равно pi (Па). Диаметр цилиндра D=0,12 м, ход поршня S=0,1 м, угловая скорость вращения коленчатого вала ω, (рад/c), механический КПД ηм и удельный расход топлива 0,008 кг/c.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 14 декабря 2025
150 руб.
Теплотехника СибАДИ 2009 Задача 4 Вариант 1
Контрольная работа по дисциплине "Страхование"
Задание 1. Отличительные особенности обязательного страхования гражданской ответственности владельцев автотранспортных средств в РФ. Задание 2. Петров А.С. заключил договор имущественного страхования на сумму 75 тысяч рублей. Страховая стоимость имущества определена страховщиком в размере 150 тысяч рублей. Страховой случай наступил до наступления срока уплаты страховой премии (2000 тысячи рублей), которая по условиям договора подлежит уплате с отсрочкой платежа, то есть через определенный пери
СибГУТИ Страхование Работа Контрольная
User ДО Сибгути : 26 декабря 2015
100 руб.
promo
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Программирование на языке высокого уровня (часть 2) вариант 1. Язык Си. Выполню другие
Программирование алгоритмов циклической структуры и обработка статических массивов Задание 1. Составьте 3 варианта программ циклической структуры типа for , while, do…while и сравните полученные результаты. Задание 2. Даны вещественные числа a, b. Значения функции (согласно вариантам) записать в массив. Вычислить значение интеграла, используя: 1) Формулу трапеций I1=h*[f(a)/2+f(a+h)+f(a+2h)+…+f(a+(n-1)h)+f(b)/2] 2) Формулу Симпсона I2=h/3*(f(a)+f(b)+4*(f(a+h)+f(a+3h)+…+f(a+(n-1)h))+ 2*(f(
СибГУТИ Программирование Работа Лабораторная
User plinio : 10 октября 2015
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: химия радиоматериалов
Как связана ширина запрещенной зоны с электропроводностью полупроводниковых материалов ? С ростом ширины запрещенной зоны число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление увеличивается. Запрещённая зона — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. В полупроводниках запрещённой зоной называют область энергий, отделяющую полностью заполненную электронами валентную зон
СибГУТИ Химия радиоматериалов Работа Зачетная
User barjel : 25 февраля 2012
75 руб.
up Наверх