Контрольная работа. Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №33
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Контрольная работа по дисциплине:
«Оптоэлектроника и нанофотоника»
на тему: «Разработка оптоэлектронных устройств»
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник.
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Lгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Lгр.
Исходные данные:
Тип ПП материала – PbS
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны = 0,29 эВ.
Задача №3 (номер варианта 3)
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код, и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода – АЛ102Д
Напряжение питания – Uпит = 15 В
Номинал ограничительного сопротивления Rогр = 1200 Ом.
Электрические и световые справочные параметры при Токр = 25°С:
Сила света, не менее: 0,4 мкд
Постоянное прямое напряжение, не более 2,8 В
Цвет свечения зеленый
Максимум спектрального распределения излучения на длине волны 0,53 мкм.
«Оптоэлектроника и нанофотоника»
на тему: «Разработка оптоэлектронных устройств»
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник.
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Lгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Lгр.
Исходные данные:
Тип ПП материала – PbS
Квантовая эффективность = 0,2
Ширина запрещенной зоны = 0,29 эВ.
Задача №3 (номер варианта 3)
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код, и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Исходные данные:
Тип светодиода – АЛ102Д
Напряжение питания – Uпит = 15 В
Номинал ограничительного сопротивления Rогр = 1200 Ом.
Электрические и световые справочные параметры при Токр = 25°С:
Сила света, не менее: 0,4 мкд
Постоянное прямое напряжение, не более 2,8 В
Цвет свечения зеленый
Максимум спектрального распределения излучения на длине волны 0,53 мкм.
Дополнительная информация
2019г.
Похожие материалы
Оптоэлектроника и нанофотоника
lyolya
: 28 июня 2022
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить ...
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Задача No3:
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов д
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
novikova9409
: 25 февраля 2019
Вариант 16 (6) Решение задач Задача 2 и задача 4
100 руб.
Контрольная работа. Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №1.
Twinki
: 10 апреля 2017
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
130 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21.
№ варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Контрольная работа по предмету Оптоэлектроника и нанофотоника. Цифры 64
yastreb1
: 15 сентября 2023
1.Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник.
2.Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового и
800 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант 03
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 3
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод с гетероструктурой
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффек
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант 20
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант 29
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 9
Тип фотоприемника (ФП): Фоторезистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Предпоследняя цифра пароля: 2
Тип ПП материала: GaAs
600 руб.
Другие работы
Производственный менеджмент. Контрольная работа "Технико-экономический проект участка первичной сети" вариант 18
Sibur54
: 16 марта 2019
Содержание
Задание на контрольную работу 3
1. Выбор эффективного варианта организации связи 4
2. Расчет оборудования 5
3. Расчет капитальных затрат 9
4. Доходы услуг связи 14
5. Расчет численности производственных работников 16
6. Расчет затрат на производство услуг связи 17
7. Основные экономические показатели, характеризующие эффективность капитальных вложений 22
8. Оценка эффективности инвестиционных проектов 23
Список использованной литературы 29
Вариант 18
Количество оконечных каналов, ш
150 руб.
Кривые поверхности №2229 2005 года. Вариант №5. РУТ (МИИТ)
werchak
: 9 февраля 2021
Методические указания к выполнению работы по начертательной геометрии
Для студентов всех институтов университета кроме ИПСС
При рассмотрении примеров «Взаимное пересечение поверхностей», поверхности на ортогональном чертеже были заданы линиями их очертания. Однако, следует напомнить что поверхности на ортогональном чертеже могут задаваться аксонометрическими проекциями или геометрической частью определителя, который записывается в квадратных скобках и является набором постоянных геометрических
550 руб.
Инвестиционный климат в Российской Федерации
Elfa254
: 30 октября 2013
Введение
Необходимым условием развития экономики является высокая инвестиционная активность. Она достигается посредством роста объемов реализуемых инвестиционных ресурсов и наиболее эффективного их использования в приоритетных сферах материального производства и социальной сферы. Инвестиции формируют производственный потенциал на новой научно-технической базе и предопределяют конкурентные позиции стран на мировых рынках. При этом далеко не последнюю роль для многих государств, особенно вырывающ
10 руб.
Росдистант. Основы САПР. Практическое задание 2 . Вариант 8 (Г,К,Х)
coolns
: 22 июля 2023
Росдистант. Основы САПР. Практическое задание 2 . Вариант 8 (Г,К,Х)
Варианты букв (Г,К,Х)
N_a - 72
N_b – 49,2
N_c - 38,4
N_m - 9
N_k - 4,8
N_t - 9,6
N_d - 12
D_1 – 96
D_2 – 60
D_3 – 30
D_4 - 24
D_5 - 36
D_6 - 48
Практическое задание № 2
Создайте чертеж в соответствии с заданием в программе Компас-3D.
Выставите изображение таким образом, чтобы полностью видны были рамка и созданная модель.
Выполните снимок с экрана, для этого нажмите кнопку Print Screen на клавиатуре.
Откройте текстовый докум
250 руб.