Экзамен по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Билет № 1
Состав работы
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
БИЛЕТ 1
1.Какая длина волны соответствует нижней границе оптического диапазона:
1) 1 нм; 2) 10 нм; 3) 100 нм; 4) 1 мкм.
2.Световые волны – это:
1) оптическое излучение, характеризующееся какой-либо одной частотой световых колебаний;
2) электромагнитные волны оптического диапазона;
3) когерентное электромагнитное излучение, возникающее в результате взаимодействия с внешним электромагнитным полем;
4) когерентное испускание фотона при квантовом переходе системы;
3.Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области близкой к инфракрасному излучению:
1) 0,72 мкм; 2) 0,62 мкм; 3) 0,55 мкм; 4) 0,5 мкм.
4. Какой механизм генерации излучения реализуется в полупроводниках:
1) эффект термоэлектронной эмиссии;
2) эффект генерации электронно-дырочных пар;
3) эффект рекомбинации;
4) эффект фотолюминесценции.
5. К оптическим импульсам предъявляется два важнейших требования:
1) длительность единиц и нулей битов НЕ должна быть одинакова, импульс не
должен уширятся в пространстве и времени;
2) разброс значений циклических частот в волновом пакете должен быть
минимален, групповая скорость волнового пакета стремится к
бесконечности;
3) групповая скорость волнового пакета стремится к нулю, импульс должен
уширятся в пространстве и времени;
4) длительность единиц и нулей битов должна быть одинакова, импульс не
должен уширятся в пространстве и времени;
6. При комбинационном рассеянии света максимальная частота фотонов
определяется по формуле:
1) ; 2) ;
3) ; 4) ;
7. Укажите номер, который соответствует красному СИД:
8. Количество света, испускаемого светодиодом:
1) не зависит от тока возбуждения;
2) зависит от тока возбуждения и уменьшается с ростом плотности тока;
3) зависит от тока возбуждения и увеличивается с ростом плотности тока;
9. Используя рисунок, укажите номер, указывающий на металл:
10. При переходе между состояниями электронов с энергией EV и EC излучение
имеет частоту:
1) f=h/(EC -EV);
2) f=(EC -EV)/h;
3) f=(EC -EV)/hc;
4) f=hc/(EC -EV);
11. По какой формуле можно рассчитать токовую чувствительность к
освещенности:
1) – ;
2) – ;
3) – ;
4) – .
12. Что нужно сделать для продвижения в длинноволновую область в фотодиодах Шоттки?
1) уменьшить толщину базовой области
2) увеличить удельное сопротивление базовой области
3) увеличить толщину базовой области
4) уменьшить удельное сопротивление базовой области
13. Используя рисунок, выберите, какое преобразование реализуется узлом
оптрона соответствующий номеру 1:
1) преобразование электрического сигнала в электрический;
2) преобразование электрического сигнала в оптический;
3) преобразование оптического сигнала в электрический;
4) преобразование оптического сигнала в оптический.
14. Какая емкость характеризует работу СИД при прямом включении:
15. Используя рисунок, в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на стекло:
16. Потребляемая мощность при 20% засветке монитора оранжево-красного цвета свечения:
1) не более 30 Вт;
2) не более 12 Вт;
3) не более 20 Вт;
4) не более 34 Вт.
17. Выберите элемент, который выполняет операцию ИЛИ:
18. Указать цифру соответствующую правильному включению источника питания (обеспечивающего свечение светодиода):
Рис. Схема для изучения ВАХ светодиодов
19. Структурная схема цифрового оптоэлектронного приемного модуля содержит:
1. Таймер
2. Оптический разъем
3. Фотоприемник
4. Малошумяший предусилитель
5. Главный усилитель
6. Цепь принятия решения
7. Фильтр формы
Укажите цифрой местоположение малошумяшего предусилител
20. Передающий модуль ВОСП содержит нижеперечисленные элементы:
1. Входной электрический соединитель
2. Блок возбуждения
3. Блок обратной связи
4. Оптическое устройство
5. Термоэлектрический охладитель
6. Корпус
7. Оптическое волокно
Укажите цифрой местоположение функционального узла: термоэлектрического охладителя
1.Какая длина волны соответствует нижней границе оптического диапазона:
1) 1 нм; 2) 10 нм; 3) 100 нм; 4) 1 мкм.
2.Световые волны – это:
1) оптическое излучение, характеризующееся какой-либо одной частотой световых колебаний;
2) электромагнитные волны оптического диапазона;
3) когерентное электромагнитное излучение, возникающее в результате взаимодействия с внешним электромагнитным полем;
4) когерентное испускание фотона при квантовом переходе системы;
3.Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области близкой к инфракрасному излучению:
1) 0,72 мкм; 2) 0,62 мкм; 3) 0,55 мкм; 4) 0,5 мкм.
4. Какой механизм генерации излучения реализуется в полупроводниках:
1) эффект термоэлектронной эмиссии;
2) эффект генерации электронно-дырочных пар;
3) эффект рекомбинации;
4) эффект фотолюминесценции.
5. К оптическим импульсам предъявляется два важнейших требования:
1) длительность единиц и нулей битов НЕ должна быть одинакова, импульс не
должен уширятся в пространстве и времени;
2) разброс значений циклических частот в волновом пакете должен быть
минимален, групповая скорость волнового пакета стремится к
бесконечности;
3) групповая скорость волнового пакета стремится к нулю, импульс должен
уширятся в пространстве и времени;
4) длительность единиц и нулей битов должна быть одинакова, импульс не
должен уширятся в пространстве и времени;
6. При комбинационном рассеянии света максимальная частота фотонов
определяется по формуле:
1) ; 2) ;
3) ; 4) ;
7. Укажите номер, который соответствует красному СИД:
8. Количество света, испускаемого светодиодом:
1) не зависит от тока возбуждения;
2) зависит от тока возбуждения и уменьшается с ростом плотности тока;
3) зависит от тока возбуждения и увеличивается с ростом плотности тока;
9. Используя рисунок, укажите номер, указывающий на металл:
10. При переходе между состояниями электронов с энергией EV и EC излучение
имеет частоту:
1) f=h/(EC -EV);
2) f=(EC -EV)/h;
3) f=(EC -EV)/hc;
4) f=hc/(EC -EV);
11. По какой формуле можно рассчитать токовую чувствительность к
освещенности:
1) – ;
2) – ;
3) – ;
4) – .
12. Что нужно сделать для продвижения в длинноволновую область в фотодиодах Шоттки?
1) уменьшить толщину базовой области
2) увеличить удельное сопротивление базовой области
3) увеличить толщину базовой области
4) уменьшить удельное сопротивление базовой области
13. Используя рисунок, выберите, какое преобразование реализуется узлом
оптрона соответствующий номеру 1:
1) преобразование электрического сигнала в электрический;
2) преобразование электрического сигнала в оптический;
3) преобразование оптического сигнала в электрический;
4) преобразование оптического сигнала в оптический.
14. Какая емкость характеризует работу СИД при прямом включении:
15. Используя рисунок, в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на стекло:
16. Потребляемая мощность при 20% засветке монитора оранжево-красного цвета свечения:
1) не более 30 Вт;
2) не более 12 Вт;
3) не более 20 Вт;
4) не более 34 Вт.
17. Выберите элемент, который выполняет операцию ИЛИ:
18. Указать цифру соответствующую правильному включению источника питания (обеспечивающего свечение светодиода):
Рис. Схема для изучения ВАХ светодиодов
19. Структурная схема цифрового оптоэлектронного приемного модуля содержит:
1. Таймер
2. Оптический разъем
3. Фотоприемник
4. Малошумяший предусилитель
5. Главный усилитель
6. Цепь принятия решения
7. Фильтр формы
Укажите цифрой местоположение малошумяшего предусилител
20. Передающий модуль ВОСП содержит нижеперечисленные элементы:
1. Входной электрический соединитель
2. Блок возбуждения
3. Блок обратной связи
4. Оптическое устройство
5. Термоэлектрический охладитель
6. Корпус
7. Оптическое волокно
Укажите цифрой местоположение функционального узла: термоэлектрического охладителя
Дополнительная информация
Экзамен 27.09.2020 Отлично Уважаемый ...,Вы неверно ответили на тестовый вопрос 20. Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Оптоэлектроника и нанофотоника
lyolya
: 28 июня 2022
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить ...
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Задача No3:
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов д
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
novikova9409
: 25 февраля 2019
Вариант 16 (6) Решение задач Задача 2 и задача 4
100 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Билет №1
Roma967
: 24 сентября 2020
БИЛЕТ 1
1.Какая длина волны соответствует нижней границе оптического диапазона:
1) 1 нм;
2) 10 нм;
3) 100 нм;
4) 1 мкм.
2.Световые волны – это:
1) оптическое излучение, характеризующееся какой-либо одной частотой световых колебаний;
2) электромагнитные волны оптического диапазона;
3) когерентное электромагнитное излучение, возникающее в результате взаимодействия с внешним электромагнитным полем;
4) когерентное испускание фотона при квантовом переходе системы.
3.Какой длине волны соответствуе
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21.
№ варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Оптоэлектроника и нанофотоника Вариант 16
Евга
: 17 марта 2023
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля Тип фотоприемника (ФП)
6 Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Предпоследняя цифра пароля Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ
1 Si
150 руб.
:Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №18
IT-STUDHELP
: 14 февраля 2022
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Тип фотоприемника (ФП) – Фототиристор
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задано:
Таблица 2
Вариа
500 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №77
IT-STUDHELP
: 14 февраля 2022
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Тип фотоприемника (ФП) – Фототранзистор
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задано:
Таблица 2
Вар
500 руб.
Курсовая работа по дисциплине «Оптоэлектроника и нанофотоника»
Severniolen
: 11 апреля 2022
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник.
Таблица 1 – Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 Фотодиод на основе р-n перехода
Фотодиод со структурой р-i-n
Фотодиод с барьером Шоттки
Фотодиод с гетероструктурой
Лавинный фотодиод
Фотодиод - транзистор
Составной фототранз
200 руб.
Другие работы
Основы инфокоммуникационных технологий. Реферат. 1-й семестр. 18-й вариант
bograd19
: 2 октября 2012
1. ИСТОРИЯ РАДИОСВЯЗИ
1.1. Изобретение радио как начало системы беспроводной связи
1.2. Истоки радио (беспроводной) связи
1.3. Изобретение А.С. Попова
1.4. История развития теоретических основ радиотехники
1.5. История радиорелейной связи
1.6. История спутниковых систем связи
2. ВИДЫ СВЯЗИ
3. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
100 руб.
Сеть информационных систем отелей
Slolka
: 5 октября 2013
Введение
1. Построение и анализ информационной модели объекта, для которого создается ЛВС
2. Анализ требований предъявляемых к хранению, передаче и использованию данных, выбор и обоснование структуры ЛВС, а так же выбор аппаратных средств и их описание
3. Смета затрат на создание ЛВС организации
4. Построение функциональной модели ЛВС в пакете Packet Tracer
Заключение
Список литературы
Введение
Перед нами поставлена задача - связать информационные системы ряда отелей.
В настоящее время
10 руб.
Принципы устройства и работы, электронно-вычислительных машин
evelin
: 30 сентября 2013
Современные персональные ЭВМ оснащаются разнообразными техническими устройствами и по своему составу могут значительно отличаться друг от друга. Однако для всех типов ПЭВМ можно выделить минимальный (базовый) состав аппаратуры. Дисплей системный, блок, клавиатура.
Конструкции ПЭВМ конкретного типа могут отличаться друг от друга составом и расположением технических устройств. Например, в последних моделях компьютеров внешние запоминающие устройства (накопители) на жестком и гибких магнитных диск
10 руб.
Инженерная и компьютерная графика. Курсовая работа.
Laguz
: 27 июля 2025
Вариант 25
РАЗРАБОТКА ПРОЕКТНОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ ЖИЛЫХ ЗДАНИЙ
Сделано в компасе 16, компас 11 и автокаде. В автокад переведено полностью, с учетом шрифтов, слоев.
Открывается так же нанокадом.
Сохранено в джпг
300 руб.