Экзамен по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Билет № 1
Состав работы
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
БИЛЕТ 1
1.Какая длина волны соответствует нижней границе оптического диапазона:
1) 1 нм; 2) 10 нм; 3) 100 нм; 4) 1 мкм.
2.Световые волны – это:
1) оптическое излучение, характеризующееся какой-либо одной частотой световых колебаний;
2) электромагнитные волны оптического диапазона;
3) когерентное электромагнитное излучение, возникающее в результате взаимодействия с внешним электромагнитным полем;
4) когерентное испускание фотона при квантовом переходе системы;
3.Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области близкой к инфракрасному излучению:
1) 0,72 мкм; 2) 0,62 мкм; 3) 0,55 мкм; 4) 0,5 мкм.
4. Какой механизм генерации излучения реализуется в полупроводниках:
1) эффект термоэлектронной эмиссии;
2) эффект генерации электронно-дырочных пар;
3) эффект рекомбинации;
4) эффект фотолюминесценции.
5. К оптическим импульсам предъявляется два важнейших требования:
1) длительность единиц и нулей битов НЕ должна быть одинакова, импульс не
должен уширятся в пространстве и времени;
2) разброс значений циклических частот в волновом пакете должен быть
минимален, групповая скорость волнового пакета стремится к
бесконечности;
3) групповая скорость волнового пакета стремится к нулю, импульс должен
уширятся в пространстве и времени;
4) длительность единиц и нулей битов должна быть одинакова, импульс не
должен уширятся в пространстве и времени;
6. При комбинационном рассеянии света максимальная частота фотонов
определяется по формуле:
1) ; 2) ;
3) ; 4) ;
7. Укажите номер, который соответствует красному СИД:
8. Количество света, испускаемого светодиодом:
1) не зависит от тока возбуждения;
2) зависит от тока возбуждения и уменьшается с ростом плотности тока;
3) зависит от тока возбуждения и увеличивается с ростом плотности тока;
9. Используя рисунок, укажите номер, указывающий на металл:
10. При переходе между состояниями электронов с энергией EV и EC излучение
имеет частоту:
1) f=h/(EC -EV);
2) f=(EC -EV)/h;
3) f=(EC -EV)/hc;
4) f=hc/(EC -EV);
11. По какой формуле можно рассчитать токовую чувствительность к
освещенности:
1) – ;
2) – ;
3) – ;
4) – .
12. Что нужно сделать для продвижения в длинноволновую область в фотодиодах Шоттки?
1) уменьшить толщину базовой области
2) увеличить удельное сопротивление базовой области
3) увеличить толщину базовой области
4) уменьшить удельное сопротивление базовой области
13. Используя рисунок, выберите, какое преобразование реализуется узлом
оптрона соответствующий номеру 1:
1) преобразование электрического сигнала в электрический;
2) преобразование электрического сигнала в оптический;
3) преобразование оптического сигнала в электрический;
4) преобразование оптического сигнала в оптический.
14. Какая емкость характеризует работу СИД при прямом включении:
15. Используя рисунок, в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на стекло:
16. Потребляемая мощность при 20% засветке монитора оранжево-красного цвета свечения:
1) не более 30 Вт;
2) не более 12 Вт;
3) не более 20 Вт;
4) не более 34 Вт.
17. Выберите элемент, который выполняет операцию ИЛИ:
18. Указать цифру соответствующую правильному включению источника питания (обеспечивающего свечение светодиода):
Рис. Схема для изучения ВАХ светодиодов
19. Структурная схема цифрового оптоэлектронного приемного модуля содержит:
1. Таймер
2. Оптический разъем
3. Фотоприемник
4. Малошумяший предусилитель
5. Главный усилитель
6. Цепь принятия решения
7. Фильтр формы
Укажите цифрой местоположение малошумяшего предусилител
20. Передающий модуль ВОСП содержит нижеперечисленные элементы:
1. Входной электрический соединитель
2. Блок возбуждения
3. Блок обратной связи
4. Оптическое устройство
5. Термоэлектрический охладитель
6. Корпус
7. Оптическое волокно
Укажите цифрой местоположение функционального узла: термоэлектрического охладителя
1.Какая длина волны соответствует нижней границе оптического диапазона:
1) 1 нм; 2) 10 нм; 3) 100 нм; 4) 1 мкм.
2.Световые волны – это:
1) оптическое излучение, характеризующееся какой-либо одной частотой световых колебаний;
2) электромагнитные волны оптического диапазона;
3) когерентное электромагнитное излучение, возникающее в результате взаимодействия с внешним электромагнитным полем;
4) когерентное испускание фотона при квантовом переходе системы;
3.Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области близкой к инфракрасному излучению:
1) 0,72 мкм; 2) 0,62 мкм; 3) 0,55 мкм; 4) 0,5 мкм.
4. Какой механизм генерации излучения реализуется в полупроводниках:
1) эффект термоэлектронной эмиссии;
2) эффект генерации электронно-дырочных пар;
3) эффект рекомбинации;
4) эффект фотолюминесценции.
5. К оптическим импульсам предъявляется два важнейших требования:
1) длительность единиц и нулей битов НЕ должна быть одинакова, импульс не
должен уширятся в пространстве и времени;
2) разброс значений циклических частот в волновом пакете должен быть
минимален, групповая скорость волнового пакета стремится к
бесконечности;
3) групповая скорость волнового пакета стремится к нулю, импульс должен
уширятся в пространстве и времени;
4) длительность единиц и нулей битов должна быть одинакова, импульс не
должен уширятся в пространстве и времени;
6. При комбинационном рассеянии света максимальная частота фотонов
определяется по формуле:
1) ; 2) ;
3) ; 4) ;
7. Укажите номер, который соответствует красному СИД:
8. Количество света, испускаемого светодиодом:
1) не зависит от тока возбуждения;
2) зависит от тока возбуждения и уменьшается с ростом плотности тока;
3) зависит от тока возбуждения и увеличивается с ростом плотности тока;
9. Используя рисунок, укажите номер, указывающий на металл:
10. При переходе между состояниями электронов с энергией EV и EC излучение
имеет частоту:
1) f=h/(EC -EV);
2) f=(EC -EV)/h;
3) f=(EC -EV)/hc;
4) f=hc/(EC -EV);
11. По какой формуле можно рассчитать токовую чувствительность к
освещенности:
1) – ;
2) – ;
3) – ;
4) – .
12. Что нужно сделать для продвижения в длинноволновую область в фотодиодах Шоттки?
1) уменьшить толщину базовой области
2) увеличить удельное сопротивление базовой области
3) увеличить толщину базовой области
4) уменьшить удельное сопротивление базовой области
13. Используя рисунок, выберите, какое преобразование реализуется узлом
оптрона соответствующий номеру 1:
1) преобразование электрического сигнала в электрический;
2) преобразование электрического сигнала в оптический;
3) преобразование оптического сигнала в электрический;
4) преобразование оптического сигнала в оптический.
14. Какая емкость характеризует работу СИД при прямом включении:
15. Используя рисунок, в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на стекло:
16. Потребляемая мощность при 20% засветке монитора оранжево-красного цвета свечения:
1) не более 30 Вт;
2) не более 12 Вт;
3) не более 20 Вт;
4) не более 34 Вт.
17. Выберите элемент, который выполняет операцию ИЛИ:
18. Указать цифру соответствующую правильному включению источника питания (обеспечивающего свечение светодиода):
Рис. Схема для изучения ВАХ светодиодов
19. Структурная схема цифрового оптоэлектронного приемного модуля содержит:
1. Таймер
2. Оптический разъем
3. Фотоприемник
4. Малошумяший предусилитель
5. Главный усилитель
6. Цепь принятия решения
7. Фильтр формы
Укажите цифрой местоположение малошумяшего предусилител
20. Передающий модуль ВОСП содержит нижеперечисленные элементы:
1. Входной электрический соединитель
2. Блок возбуждения
3. Блок обратной связи
4. Оптическое устройство
5. Термоэлектрический охладитель
6. Корпус
7. Оптическое волокно
Укажите цифрой местоположение функционального узла: термоэлектрического охладителя
Дополнительная информация
Экзамен 27.09.2020 Отлично Уважаемый ...,Вы неверно ответили на тестовый вопрос 20. Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Оптоэлектроника и нанофотоника
lyolya
: 28 июня 2022
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить ...
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Задача No3:
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов д
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
novikova9409
: 25 февраля 2019
Вариант 16 (6) Решение задач Задача 2 и задача 4
100 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Билет №1
Roma967
: 24 сентября 2020
БИЛЕТ 1
1.Какая длина волны соответствует нижней границе оптического диапазона:
1) 1 нм;
2) 10 нм;
3) 100 нм;
4) 1 мкм.
2.Световые волны – это:
1) оптическое излучение, характеризующееся какой-либо одной частотой световых колебаний;
2) электромагнитные волны оптического диапазона;
3) когерентное электромагнитное излучение, возникающее в результате взаимодействия с внешним электромагнитным полем;
4) когерентное испускание фотона при квантовом переходе системы.
3.Какой длине волны соответствуе
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21.
№ варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Оптоэлектроника и нанофотоника Вариант 16
Евга
: 17 марта 2023
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля Тип фотоприемника (ФП)
6 Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Предпоследняя цифра пароля Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ
1 Si
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №77
IT-STUDHELP
: 14 февраля 2022
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Тип фотоприемника (ФП) – Фототранзистор
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задано:
Таблица 2
Вар
500 руб.
:Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №18
IT-STUDHELP
: 14 февраля 2022
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Тип фотоприемника (ФП) – Фототиристор
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задано:
Таблица 2
Вариа
500 руб.
Курсовая работа по дисциплине «Оптоэлектроника и нанофотоника»
Severniolen
: 11 апреля 2022
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник.
Таблица 1 – Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 Фотодиод на основе р-n перехода
Фотодиод со структурой р-i-n
Фотодиод с барьером Шоттки
Фотодиод с гетероструктурой
Лавинный фотодиод
Фотодиод - транзистор
Составной фототранз
200 руб.
Другие работы
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 1.1 Вариант 7
Z24
: 15 октября 2025
Для приема дополнительного объема воды, получающегося в процессе ее расширения при нагревании, к системе водяного отопления в верхней ее точке присоединяют расширительные резервуары, сообщающиеся с атмосферой.
Определить необходимый объем расширительного резервуара при нагревании воды от 10 до 90 ºС.
Коэффициент температурного расширения воды принять равным βt=0,00045 1/ºC. Объем воды в системе W=1,0 м³.
120 руб.
Гидравлика и гидравлические машины ТГСХА 2011 Задача 1.10
Z24
: 23 ноября 2025
Резервуары А и В частично заполнены пресной водой и газом. Определить избыточное давление газа на поверхности воды закрытого резервуара В, если избыточное давление на поверхности воды в закрытом резервуаре А равно ра = 99 кПа, разность уровней ртути в двухколенном дифманометре h = 0,35 м, мениск ртути в левой трубке манометра ниже уровня воды на величину h1 = 0,8м в правой трубке — h3 = 0,25h1 высота подъема ртути в правой трубке манометра h2 = 0,3 м. Пространство между уровнями ртути в мано
150 руб.
Проверка учетной политики
studypro3
: 16 июля 2021
Проверка учетной политики предприятия
Задание:
Осуществить оценку учетной политики предприятия (Приложение 2), оценку оформить в виде рабочего документа (Приложение 1)
Приложение 1
Рабочий документ аудитора
Проверка правильности документального оформления результатов проверки основных
положений учетной политики
Организация ЗАО АНТЕЙ Аудитор ООО «Аудит»
Проверяемый период 2013 год Дата начала проверки 28.04.2021
Предоставленные документы Учетная политика Дата окончания проверки 01.05.2021
Масшта
500 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Философия бизнеса
Alexija
: 3 июля 2013
Задание 1
Задание
Необходимо выбрать управляющего субъекта и управляемый объект и составить обобщённую модель механизма управления, определив все её элементы:
• содержание элемента «память»,
• возможных посредников,
• объекты и процессы внешней среды,
• цели управления (конкретизация целей для модели обязательна),
• содержание программы.
S — директор фирмы
O — персонал
Задание 2
Задание.
Придумайте ситуацию морального выбора в любой возможной сфере жизни человека (например: я буду переходить до
100 руб.