РГР Общая теория связи Вариант 68

1. К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение
u(t)=U_m1 cosω_1 t+U_m2 cosω_2 t
Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом: i_c=a_0+a_1 u+a_2 u^2
где ic – протекающий через полупроводниковый прибор ток;
u – воздействующее на полупроводниковый прибор напряжение

2. Ток в полупроводниковом диоде i связан с приложенным напряжением U кусочно-линейной зависимостью:
i={(0,u<U_0@S(u-U_0 ),u≥U_0 )
где S – крутизна,
U0 – напряжение отсечки.

3. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением:

где ik - ток коллектора транзистора;
uб - напряжение на базе транзистора;
S - крутизна вольт-амперной характеристики;
u0 - напряжение отсечки ВАХ.

4. Вольт-амперная характеристика диода амплитудного детектора аппроксимирована отрезками прямых