Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2021 г, оценка хорошо, Борисов А.В стр 7 вариант 5(15)
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики тра
200 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
boeobq
: 21 ноября 2021
Вопросы билета.
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
135 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №18
IT-STUDHELP
: 18 ноября 2021
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные:
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполяр
400 руб.
Другие работы
Обоснование технологий разработки месторождений полезных ископаемых
DocentMark
: 10 сентября 2011
Анализ данных по условиям залегания; Формирование комплексов горных выработок для вскрытия подготовки и разработки месторождения; Анализ необходимости и сущности БВР; Анализ возможностей и сущностей проведений подготовительных выработок по механизированной технологии; Вспомогательные процессы при проветривании горных выработок; Анализ и обоснование параметров очистной выемки полезного ископаемого; Процессы подземного транспортирования; Анализ разработки месторождения открытым способом; Комплексы
45 руб.
Базы данных. Лабораторные работы 1-5. Общий вариант. Контрольная работа. Вариант 10. Экзаменационная работа. Билет 9
Bodibilder
: 5 июня 2019
Лабораторная работа 1
Задание 1. Создание новой таблицы в режиме таблицы. Данный режим позволяет пользователю создать таблицу, не определяя предварительно ее структуру. После выбора режима открывается пустая таблица, в которую можно ввести данные. При сохранении
Задание 2. Создание новой таблицы с помощью Мастера таблиц. В этом режиме автоматически создается новая таблица по одному из шаблонов, хранимых в MS Access. Каждая таблица шаблона содержит набор полей, из которых можно выбрать необходим
130 руб.
Экономические блага: экономическая ценность и альтернативная стоимость
Slolka
: 4 ноября 2013
Введение. 3
1. Общая характеристика экономических благ. 5
1.1 Понятие экономических потребностей и благ. 5
1.2 Экономические блага в общей классификации благ. 10
1.3 Экономические блага в народнохозяйственном кругообороте. 14
2. Ценность и альтернативная стоимость. 17
2.1 Товар и его свойства. 17
2.2 Проблемы соизмерения благ. 21
2.3 Концепция альтернативной стоимости. 26
Заключение. 33
Список литературы.. 35
Введение
В основе жизнедеятельности человека лежат потребности.
Потреб
5 руб.
Международный туризм на примере Турции
evelin
: 2 января 2014
Содержание:
1.Введение……………………………………2
2.Международный туризм: понятие и
классификация……………………………..4
3.Туристические ресурсы Турции………...6
4.Литература………………………………...17
Введение. Роль туризма в мировой экономике
В настоящее время индустрия туризма является одной из наиболее динамично развивающихся форм в международной торговле услугами. В последние 20 лет среднегодовые темпы роста числа прибытий иностранных туристов в мире составили 5,1%, валютных поступлений- 14%.Т
15 руб.