Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

Цена:
500 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DA1C439F-2722-41CF-99DD-13BF905D6F4F.zip [469 KB]
material.view.file_icon экзамен электротехника.doc [522 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

2021 г, оценка хорошо, Борисов А.В стр 7 вариант 5(15)

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
Вопросы билета. 1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User boeobq : 21 ноября 2021
135 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №18
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные: Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполяр
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 18 ноября 2021
400 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №18 promo

Другие работы

Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 3 Вариант 36
Определить удельный лучистый тепловой поток q (в ваттах на квадратный метр) между двумя параллельно расположенными плоскими стенками, имеющими температуру t1 и t2 и степени (коэффициенты) черноты ε1 и ε2, если между ними нет экрана. Определить q при наличии экрана со степенью (коэффициентом) черноты εэ (с обеих сторон).
Задачи Теплотехника
User Z24 : 12 января 2026
200 руб.
Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 3 Вариант 36
Корпус ЧМ.06.40.03.00 Сварные соединения
Корпус ЧМ.06.40.03.00 Сварные соединения Из литой детали корпуса выполнить вариант сварного соединения деталей по ГОСТ 5264-80 в масштабе 1:1. Все чертежи и 3d модели (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса. Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer. По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отве
Начертательная геометрия и инженерная графика БГПК Практические занятия и отчеты
User coolns : 14 декабря 2022
250 руб.
Корпус ЧМ.06.40.03.00 Сварные соединения promo
Лабораторные работы 1-3 Информатика СибГУТИ ДО (1 Вариант)
Лабораторная работа №1 - Формирование и обработка одномерных массивов. Лабораторная работа №2 - Обработка текстовых файлов. Лабораторная работа №3 - Типовые и бестиповые подпрограммы - функции. 1 Вариант (см. скриншоты)
ДО СИБГУТИ Информатика Работа Лабораторная
User alcopec : 13 февраля 2024
100 руб.
Лабораторные работы 1-3 Информатика СибГУТИ ДО (1 Вариант)
Экономика отрасли инфокоммуникаций. Контрольная работа №1. (8-й вариант)
1 Вопрос: Показатели и пути улучшения использования основных фондов Стоимостные показатели являются едиными для различных подотраслей и организаций связи, а натуральные – учитывают особенности основных фондов и их использования в конкретных подотраслях связи. 2 Задача: Определите доходы от реализации услуг за первое полугодие текущего периода в виде абонементной платы за предоставление абонентских точек доступа. Исходные данные: 1 Наличие на 1.01 – 260 тыс. точек доступа. 2 Прирост в 1 квартале
СибГУТИ Экономика отраслевая Работа Контрольная
User Decoy2k : 17 февраля 2014
55 руб.
up Наверх