Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №24
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, ДО СИБГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
09.11.2021
-
Размер:
368 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
svladislav987
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
24 КП903В 14 -6
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар Тип БТ UКЭ, В
24 КТ605А 10
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Цифра студенческого пароля Принципиальная схема элемента Напряжение питания, В. Пороговые напряжения МДП
транзисторов VT1 и VT2 Уровень входного напряжения, В.
2 Рис. 1в 9 1 2
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
24 КП903В 14 -6
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар Тип БТ UКЭ, В
24 КТ605А 10
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Цифра студенческого пароля Принципиальная схема элемента Напряжение питания, В. Пороговые напряжения МДП
транзисторов VT1 и VT2 Уровень входного напряжения, В.
2 Рис. 1в 9 1 2
Дополнительная информация
зачет
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики тра
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
200 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
boeobq
: 21 ноября 2021
Вопросы билета.
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
boeobq
: 21 ноября 2021
135 руб.
Другие работы
Современные технические средства, используемые для создания и обработки документов
evelin
: 7 сентября 2013
Введение
С точки зрения технологии управление организацией, равно как и управление отраслью хозяйства или государством, представляет собой процесс получения, обработки и передачи информации. Документирование управленческой деятельности заключается в фиксации этой информации, т. е. в создании документов. Практически каждое управленческое действие находит отражение в соответствующем документе. Недокументируемые управленческие операции (не требующие создания документов) являются вспомогательными,
evelin
: 7 сентября 2013
5 руб.
Водоотводящие сети. Городская водоотводящая сеть
VikkiROY
: 25 января 2015
Задание на курсовое проектирование
Расчет расходов сточных вод в системе канализации
Определение расходов сточных вод от промышленного предприятия
Определение расходов сточных вод от жилых кварталов
Гидравлический расчет хозяйственно-фекальной канализационной сети
Расчет главной канализационной станции
Приток сточных вод к главной канализационной насосной станции
Определение требуемого напора насосов
Графики совместной работы насосов и напорных коллекторов
Расчет работы сети при аварийном режиме
VikkiROY
: 25 января 2015
45 руб.
Электрический ток в вакуме. Электронные лампы. Их применение
1112
: 17 ноября 2008
Электрический ток в вакуме. Электронные лампы. Их применение
1112
: 17 ноября 2008
Становление политических партий Российской Федерации: "Единая Россия" - партия-гегемон
alfFRED
: 19 января 2014
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава I. Теоретические аспекты категории «Политические партии»
§1. Понятие, структура и функции политических партий
§2. Генезис политических партий и процесс их развития в России
Глава II. Проблемно-хронологический анализ развития политических партий в Российской Федерации
§1. Институционализация политических партий в современной России
§2. Сравнительный анализ однопартийной системы СССР и системы партии-гегемона в Российской Федерации
§3. Партийная конфигурация современной Р
alfFRED
: 19 января 2014
10 руб.
