Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №24

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 6208B245-A4B8-4464-80F4-3A91FD059A7C.rar [ 368 KB ]
material.view.file_icon Контрольная работа.doc [ 554 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
24 КП903В  14 -6



Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар Тип БТ UКЭ, В
24 КТ605А 10


Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Цифра студенческого пароля Принципиальная схема элемента Напряжение питания, В. Пороговые напряжения МДП
транзисторов VT1 и VT2 Уровень входного напряжения, В.
2 Рис. 1в 9 1 2

Дополнительная информация

зачет

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
Вопросы билета. 1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User boeobq : 21 ноября 2021
135 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18

Другие работы

Лабораторная работа №3 по дисциплине: Электропитание устройств и систем связи. Вариант №8
Лабораторная работа № 3 Исследование неуправляемых выпрямителей 1. Цель работы: Исследование установившихся процессов в одно- и трехфазных схемах выпрямления. Экспериментальное определение кпд и выходного сопротивления, снятие внешних характеристик выпрямителей при работе на активную нагрузку. Оценка степени влияния параметров элементов схемы и индуктивности рассеяния трансформатора на качественные показатели трехфазных выпрямителей. Лабораторная работа №3.1 Исследование однофазного мост
ДО СИБГУТИ Электропитание устройств и систем телекоммуникаций Работа Лабораторная
User SibGOODy : 8 марта 2018
500 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 8
Лабораторная работа №2 «Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе» Цель работы: Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усиления на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Описание схемы исследуемого усилителя Принципиальная схема каскада изображена на рисунке 1. Исследуемый усилитель выполнен на полевом транзисторе 2П303Б с p-n - переходом и каналом n-тип
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User Roma967 : 9 июля 2023
500 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 8 promo
Контрольная работа по дисциплине: «Микропроцессорные системы (часть 1)». Вариант №06.
Задание №1 Перевести числа из 10-ой системы счисления в 2-ую, 8-ую, 16-ую. Преобразования провести делением и умножением в столбик. При преобразовании дробной части ограничиться 5 знаками после запятой в двоичной системе. Привести промежуточные результаты вычисления, и результаты проверки в каждом из заданий. , . Задание №2 Перевести число из 8-ой системы счисления в 10-ую, 2-ую, 16-ую. . Задание №3 Перевести число из 16-ой системы счисления в 10-ую, 2-ую, 8-ую. . Задание №4 Перевести чис
ДО СИБГУТИ Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов Работа Контрольная
User teacher-sib : 8 января 2019
500 руб.
promo
Контрольные работы по гидростатике и гидродинамике ИжГТУ Контрольная работа 1 Задача 5 Вариант 29
Вертикальный цилиндрический сосуд заполнен водой, находящейся под избыточным давлением, характеризуемым показанием пьезометра h. Нижнее днище сосуда плоское, верхнее имеет форму полусферы. Определить Rz, отрывающую верхнее днище от цилиндрической части, и силу Rx, разрывающую цилиндрическую часть сосуда по образующей, если диаметр сосуда D, высота цилиндрической части H. Построить эпюру давления на верхнюю часть, стенки и днище сосуда.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 23 ноября 2025
200 руб.
Контрольные работы по гидростатике и гидродинамике ИжГТУ Контрольная работа 1 Задача 5 Вариант 29
up Наверх