Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №24
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, ДО СИБГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
09.11.2021
-
Размер:
368 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
svladislav987
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
24 КП903В 14 -6
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар Тип БТ UКЭ, В
24 КТ605А 10
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Цифра студенческого пароля Принципиальная схема элемента Напряжение питания, В. Пороговые напряжения МДП
транзисторов VT1 и VT2 Уровень входного напряжения, В.
2 Рис. 1в 9 1 2
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
24 КП903В 14 -6
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар Тип БТ UКЭ, В
24 КТ605А 10
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Цифра студенческого пароля Принципиальная схема элемента Напряжение питания, В. Пороговые напряжения МДП
транзисторов VT1 и VT2 Уровень входного напряжения, В.
2 Рис. 1в 9 1 2
Дополнительная информация
зачет
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики тра
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
200 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
boeobq
: 21 ноября 2021
Вопросы билета.
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
boeobq
: 21 ноября 2021
135 руб.
Другие работы
Патологические механизмы развития тиреоидной патологии у лиц детского и подросткового возраста в Украине
alfFRED
: 4 февраля 2013
Диффузный нетоксический зоб (ДНЗ), наиболее распространенная тиреоидная патология у детей и подростков, характеризуется диффузным увеличением размеров щитовидной железы и клинически эутиреоидным состоянием. Подобная клиническая картина типична для эндемического зоба, аутоиммунного тиреоидита (АИТ) и дисгормонального зоба. В регионах йоддефицитных и/или экологически неблагополучных формируется зобная эндемия (ДНЗ имеет место у > 6% детей препубертатного возраста и у 7-9% детей пубертатного возрас
alfFRED
: 4 февраля 2013
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.10
Z24
: 23 октября 2025
Для проведения испытаний смонтирована сборка из пяти стальных листов толщиной 0,5 мм каждый. Между листами проложены прокладки изоляционной бумаги толщиной по 0,05 мм и теплопроводностью λб=0,116 Вт/(м·К). Найти эквивалентную теплопроводность λэкв сборки (в поперечном направлении). Как изменится λэкв, если учесть, что между слоями имеются воздушные зазоры толщиной 0,001 мм (температура воздуха 20 ºС)?
Ответ: λ1экв=1,5 Вт/(м·К), λ2экв=1,3 Вт/(м·К).
Z24
: 23 октября 2025
150 руб.
Создание форм в VBA Microsoft Word (на примере Word 2010)
Elfa254
: 21 мая 2013
Содержание:
Создание модуля.
Изменение имени модуля.
Создание формы.
Изменение имени и заголовка формы.
Вызов формы из модуля.
Размещение элементов управления (объектов) на форме.
Размещение надписи.
Размещение кнопки.
Ввод текста в элементы управления.
Ввод текста надписи.
Ввод текста кнопки.
Формирование процедур обработки для каждого элемента управления.
Перейти на страницу кода формы.
Размещение макросов (процедур обработки) на странице кода формы.
Отладка формы.
Elfa254
: 21 мая 2013
10 руб.
Технологическая схема разрушения дренажных и ловушечных эмульсий-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
leha.se92@mail.ru
: 16 ноября 2017
Технологическая схема разрушения дренажных и ловушечных эмульсий-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
leha.se92@mail.ru
: 16 ноября 2017
368 руб.
