Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №24
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, ДО СИБГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
09.11.2021
-
Размер:
368 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
svladislav987
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
24 КП903В 14 -6
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар Тип БТ UКЭ, В
24 КТ605А 10
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Цифра студенческого пароля Принципиальная схема элемента Напряжение питания, В. Пороговые напряжения МДП
транзисторов VT1 и VT2 Уровень входного напряжения, В.
2 Рис. 1в 9 1 2
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
24 КП903В 14 -6
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар Тип БТ UКЭ, В
24 КТ605А 10
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
Цифра студенческого пароля Принципиальная схема элемента Напряжение питания, В. Пороговые напряжения МДП
транзисторов VT1 и VT2 Уровень входного напряжения, В.
2 Рис. 1в 9 1 2
Дополнительная информация
зачет
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики тра
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
200 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
boeobq
: 21 ноября 2021
Вопросы билета.
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
boeobq
: 21 ноября 2021
135 руб.
Другие работы
Зачетная работа по дисциплине: Сети и системы мобильной связи. Билет №2
Учеба "Под ключ"
: 17 июля 2022
Ответьте на следующие вопросы:
1. В стандарте GSM обычно используются кластеры размерностью
- (7, 21)
- (4, 12)
- (3, 9)
2. Протокол LAPDm второго уровня логической модели стандарта GSM обеспечивает
- надежность передачи информации
- повторное упорядочивание кадров данных и управления
- расчет контрольных сумм
- передачу с подтверждением/ без подтверждения
- синхронизацию
3. В стандарте GSM длина слота составляет ... мкс
4. Для передачи медленного ассоциированного канала управления при
Учеба "Под ключ"
: 17 июля 2022
700 руб.
Информатика, 3 семестр, 2 вариант
Oleg72
: 15 ноября 2011
ЛР 1 Программирование разветвляющихся процессов
ЛР 2 Программирование простых циклических процессов
ЛР 3 Программирование типовых алгоритмов
ЛР 4 Обработка одномерных массивов
ЛР 5 Обработка двумерных массивов
Oleg72
: 15 ноября 2011
250 руб.
Проектирование и расчет моторного отделения АТП на 459 автомобилей ГАЗ-33075
OstVER
: 11 марта 2011
Содержание:
Введение
1 Общая часть
1.1 Цели и задачи курсового проектирования…
1.2 Характеристика отделения…
1.3 Характеристика автомобиля…………….....
1.4 Технические характеристики автомобиля….
2 Технологический расчет проектируемого предприятия
2.1 Исходные данные для рас…………….
2.2 Расчет годовой производственной программы….
2.2.1Корректирование периодичности ТО и пробега автомобилей до КР……………………
2.2.2 Расчёт годового пробега автомобилей……
OstVER
: 11 марта 2011
45 руб.
Факторинговые операции банков как разновидность посреднических операций
lihaja
: 10 ноября 2015
Содержание
Введение 3
1. Теоретические аспекты факторинговых операций банков 5
1.1. Понятие факторинга 5
1.2. Особенности факторинговых операций банков 6
1.3. Классификация факторинговых операций банков 8
2. Тенденции российского рынка банковских факторинговых услуг 12
2.1. Структура и динамика спроса на факторинговые услуги 12
2.2. Динамика развития факторинговых операций банков 18
3. Проблемы и перспективы развития факторинговых операций банков в России 26
Заключение 33
Список использованной л
lihaja
: 10 ноября 2015
700 руб.
