Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №3

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лаб раб 3.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором (МДП структура).
2.2.2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
2.2.3. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.
2.2.4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов с каналом “p” и “n”.
2.2.5. Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
2.2.6. Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа “p” и “n”.
2.2.7. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.
2.2.8. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.

На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.2 приведена схема для снятия статических выходных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.3 приведена схема усилителя. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа.

К входу ПТ (затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ. К выходу ПТ (сток-исток) прикладывается напряжение UCИ. Ток стока измеряется миллиамперметром.

Дополнительная информация

зачет
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Тема работы: «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов» Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты). Выполнено исследование передаточных характеристик полевого транзистора. Выполнено исследование схемы усилителя при различных напряжениях ЕСМ (получен неискаженный и ис
User boeobq : 21 ноября 2021
55 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 3. Вариант 16.
Лабораторная работа 3 1 . Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля. Таблица П.1. 6 D14A D226D KT315V KP303D
User nik200511 : 28 февраля 2023
160 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Лабораторная работа 1 Тема работы Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов ============================== Лабораторная работа 2 Тема работы Исследование статических характеристик биполярного транзистора ============================== Лабораторная работа 3 Тема работы Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
User Леший : 18 января 2021
150 руб.
Анализ систем автоматического регулирования разрежения в топке
Содержание : 1. Характеристики объекта управления, описание устройства и работы САР, составление её функциональной схемы. Принцип автоматического управления и вид схемы. Стр. 3-5 2. Составление структурной схемы системы. Стр.5-6 3. Определение закона регулирования системы. Стр.7 4. Определение передаточных функций системы по управляющему и возмущающему воздействия . Стр.7-8 5. Анализ устойчивости системы. Определение запасов усто
User 123478 : 10 февраля 2012
10 руб.
Защита информации. Вариант 8.
. Используя теорему Ферма, найдите правильный ответ для выражения 512(mod 13): а) 5 б) 1 в) 3 г) 2 2. Шифр RSA является а) блоковым б) совершенным в) c открытым ключом 3. В совершенной системе шифрования найти сообщение без знания ключа а) невозможно б) возможно при полном переборе ключей в) возможно при наличии компьютера и неограниченного времени вычислений 4. В России существует государственный стандарт для а) совершенного шифра б) потокового шифра в) блокового шифра г) идеал
User Михаил18 : 26 сентября 2019
100 руб.
Управление проектами в государственном и муниципальном управлении.Итоговый тест Синергия/МТИ 2023г
Сдано на 100 баллов в 2023году После покупки Вы получите файл с ответами на вопросы которые указаны ниже: 1. Государственные проекты являются: 2. Из перечисленного, к видам управления в зависимости от объектов управления относятся: 3. Из перечисленного, к видам управления в зависимости от структуры общественных отношений относятся: 4. Из перечисленного, к видам управления в зависимости от сфер общественной жизнедеятельности относятся: 5. Из перечисленного, к видам управления в зависимости от х
User annaserg : 13 августа 2024
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Интеллектуальные технологии информационной безопасности. Вариант №5
Контрольная работа Вариант No5 Выбор варианта: N = 5 Вариант выборки для метода ближайших соседей определяется по формуле: N_в=((N+13)mod11)+1=8 Вариант весовой функции определяется по формуле: N_вф=((N+7)mod4)+1=1 Вариант выборки для метода построения решающего дерева определяется по формуле: N_вд=((N*N+2)mod11)+1=6 Обучающая последовательность и тестовый объект для метода ближайших соседей: 8) (X,Y)={ (5,9,1), (2,9,1), (3,7,1), (8,8,2), (14,4,2), (10,1,2), (12,4,2), (7,7,2), (12,7,2), (9,13,3
User IT-STUDHELP : 19 июня 2023
700 руб.
promo
up Наверх