Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №3
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором (МДП структура).
2.2.2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
2.2.3. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.
2.2.4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов с каналом “p” и “n”.
2.2.5. Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
2.2.6. Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа “p” и “n”.
2.2.7. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.
2.2.8. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.
На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.2 приведена схема для снятия статических выходных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.3 приведена схема усилителя. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа.
К входу ПТ (затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ. К выходу ПТ (сток-исток) прикладывается напряжение UCИ. Ток стока измеряется миллиамперметром.
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором (МДП структура).
2.2.2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
2.2.3. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.
2.2.4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов с каналом “p” и “n”.
2.2.5. Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
2.2.6. Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа “p” и “n”.
2.2.7. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.
2.2.8. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.
На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.2 приведена схема для снятия статических выходных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.3 приведена схема усилителя. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа.
К входу ПТ (затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ. К выходу ПТ (сток-исток) прикладывается напряжение UCИ. Ток стока измеряется миллиамперметром.
Дополнительная информация
зачет
Похожие материалы
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
boeobq
: 21 ноября 2021
Тема работы: «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты).
Выполнено исследование передаточных характеристик полевого транзистора.
Выполнено исследование схемы усилителя при различных напряжениях ЕСМ (получен неискаженный и ис
55 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 3. Вариант 16.
nik200511
: 28 февраля 2023
Лабораторная работа 3
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля.
Таблица П.1.
6
D14A
D226D
KT315V
KP303D
160 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Леший
: 18 января 2021
Лабораторная работа 1
Тема работы
Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов
==============================
Лабораторная работа 2
Тема работы
Исследование статических характеристик
биполярного транзистора
==============================
Лабораторная работа 3
Тема работы
Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов
150 руб.
Другие работы
Анализ систем автоматического регулирования разрежения в топке
123478
: 10 февраля 2012
Содержание :
1. Характеристики объекта управления, описание устройства и работы САР, составление её функциональной схемы. Принцип автоматического управления и вид схемы. Стр. 3-5
2. Составление структурной схемы системы. Стр.5-6
3. Определение закона регулирования системы. Стр.7
4. Определение передаточных функций системы по управляющему и возмущающему воздействия . Стр.7-8
5. Анализ устойчивости системы. Определение запасов усто
10 руб.
Защита информации. Вариант 8.
Михаил18
: 26 сентября 2019
. Используя теорему Ферма, найдите правильный ответ для выражения 512(mod 13):
а) 5
б) 1
в) 3
г) 2
2. Шифр RSA является
а) блоковым
б) совершенным
в) c открытым ключом
3. В совершенной системе шифрования найти сообщение без знания ключа
а) невозможно
б) возможно при полном переборе ключей
в) возможно при наличии компьютера и неограниченного времени вычислений
4. В России существует государственный стандарт для
а) совершенного шифра
б) потокового шифра
в) блокового шифра
г) идеал
100 руб.
Управление проектами в государственном и муниципальном управлении.Итоговый тест Синергия/МТИ 2023г
annaserg
: 13 августа 2024
Сдано на 100 баллов в 2023году
После покупки Вы получите файл с ответами на вопросы которые указаны ниже:
1. Государственные проекты являются:
2. Из перечисленного, к видам управления в зависимости от объектов управления относятся:
3. Из перечисленного, к видам управления в зависимости от структуры общественных отношений относятся:
4. Из перечисленного, к видам управления в зависимости от сфер общественной жизнедеятельности относятся:
5. Из перечисленного, к видам управления в зависимости от х
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Интеллектуальные технологии информационной безопасности. Вариант №5
IT-STUDHELP
: 19 июня 2023
Контрольная работа
Вариант No5
Выбор варианта:
N = 5
Вариант выборки для метода ближайших соседей определяется по формуле:
N_в=((N+13)mod11)+1=8
Вариант весовой функции определяется по формуле:
N_вф=((N+7)mod4)+1=1
Вариант выборки для метода построения решающего дерева определяется по формуле:
N_вд=((N*N+2)mod11)+1=6
Обучающая последовательность и тестовый объект для метода ближайших соседей:
8) (X,Y)={ (5,9,1), (2,9,1), (3,7,1), (8,8,2), (14,4,2), (10,1,2), (12,4,2), (7,7,2), (12,7,2), (9,13,3
700 руб.