Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №3
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором (МДП структура).
2.2.2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
2.2.3. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.
2.2.4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов с каналом “p” и “n”.
2.2.5. Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
2.2.6. Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа “p” и “n”.
2.2.7. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.
2.2.8. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.
На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.2 приведена схема для снятия статических выходных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.3 приведена схема усилителя. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа.
К входу ПТ (затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ. К выходу ПТ (сток-исток) прикладывается напряжение UCИ. Ток стока измеряется миллиамперметром.
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором (МДП структура).
2.2.2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
2.2.3. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.
2.2.4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов с каналом “p” и “n”.
2.2.5. Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
2.2.6. Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа “p” и “n”.
2.2.7. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.
2.2.8. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.
На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.2 приведена схема для снятия статических выходных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.3 приведена схема усилителя. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа.
К входу ПТ (затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ. К выходу ПТ (сток-исток) прикладывается напряжение UCИ. Ток стока измеряется миллиамперметром.
Дополнительная информация
зачет
Похожие материалы
Лабораторная работа №3 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
boeobq
: 21 ноября 2021
Тема работы: «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты).
Выполнено исследование передаточных характеристик полевого транзистора.
Выполнено исследование схемы усилителя при различных напряжениях ЕСМ (получен неискаженный и ис
55 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 3. Вариант 16.
nik200511
: 28 февраля 2023
Лабораторная работа 3
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля.
Таблица П.1.
6
D14A
D226D
KT315V
KP303D
160 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Леший
: 18 января 2021
Лабораторная работа 1
Тема работы
Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов
==============================
Лабораторная работа 2
Тема работы
Исследование статических характеристик
биполярного транзистора
==============================
Лабораторная работа 3
Тема работы
Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов
50 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Беспроводной широкополосный доступ. Вариант №5
hellofromalexey
: 6 сентября 2022
Задание и исходные данные
Задание и исходные данные для контрольной работы представлены в таблице 1.
Таблица 1 – Исходные данные согласно заданному варианту
Предпоследняя цифра номера студенческого билета Тип местности Значение холмистости Последняя цифра номера студенческого билета Используемый стандарт Тип антенны Параметры БС Параметры МС
Мощность передатчика, Вт Коэффициент усиления антенны, дБ Высота антенны, м Чувствительность приемника, дБм Мощность передатчика, Вт Коэффициент уси
400 руб.
Лабораторная работа № 2 по предмету «Объектно-ориентированный анализ и программирование»
ДО Сибгути
: 25 сентября 2013
Тема: Объекты и классы
Задание: построить объектную структуру на языке Java с использованием UML диаграммы классов.
Для построения программы необходимо использовать объекты и UML диаграмму классов, построенную на первых занятиях. Каждый класс диаграммы необходимо представить в виде самостоятельного (отдельного) класса.
30 руб.
Расчеты по теплообмену УрФУ Задача 2 Вариант 5
Z24
: 3 января 2026
Для цилиндрической стенки, имеющей три слоя футеровки (рис.1.4), необходимо рассчитать:
— погонную плотность теплового потока;
— количество теплоты, которое теряется через всю цилиндрическую стенку длиной l;
— значения температур на границе слоев.
В рассматриваемом примере температура внутренней поверхности t1, а температура наружной поверхности t4. Радиусы, характеризующие расположение слоев футеровки относительно оси цилиндра, равны соответственно r1; r2; r3; r4. Коэффициенты тепло
150 руб.
Опора. Вариант 23 Задание 6 ЧЕРТЕЖ
lepris
: 23 декабря 2025
Опора. Вариант 23 Задание 6 ЧЕРТЕЖ
Выпонить чертеж с исправлением допущенных на нём ошибок.
Чертеж выполнен на формате А4 + 3d модель + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С.
150 руб.