Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №18

Состав работы

material.view.file_icon 4AAFB198-C51E-4C17-A15B-510A15836F26.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные:


Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные:

Задача 3.
Исходные данные:

Укажите на схеме полярность источника питания, соответствующую вашему варианту. Укажите, какую логическую функцию выполняет элемент. Поясните назначение каждого транзистора. Приведите таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики рассматриваемого Вами логического элемента. Используя данные задания Вашего варианта, приведите на передаточных характеристиках эпюру входного напряжения и определите, в каком логическом состоянии находится цепь, рассматриваемого вами элемента.

Рис. 1 – схемы логических элементов


Задача 4.
Исходные данные

Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.

Дополнительная информация

Оценка: зачет
Дата оценки: 18.11.2021

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
Вопросы билета. 1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
User boeobq : 21 ноября 2021
135 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
Лабораторная работа №2 по предмету "Основы организационно-правового обеспечения информационной безопасности сетей и систем" Вариант 3
Лабораторная работа № 2 Освоение методики патентного поиска 2.1 Цель Ознакомиться и получить практические навыки работы по патентному поиску. 2.2 Теоретические положения Патентоспособность – юридическое свойство объекта промышленной собственности, определяющее его способность охраняться документом исключительного права (патентом) на территории конкретной страны в течение срока действия патента. Существуют три критерия патентоспособности: § Полезность: изобретение должно быть полезным, в т.ч. д
User ZhmurovaUlia : 8 февраля 2019
120 руб.
Производственные процессы и принципы его организации
Эти 3 родовые функции характеризуют производственный процесс, таким образом, производственный процесс это совокупность отдельных действий по превращению исходного сырья и материалов готовой продукции и услуг. Виды производственных процессов можно представить в виде следующей классификации: По длительности: - непрерывные: практически нет остановок, только на плановый ремонт - дискретные или периодические процессы, в которых предусмотрены перерывы, могут быть межоперационными и междусменными 2. По
User Qiwir : 6 апреля 2014
19 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Обработка экспериментальных данных. Вариант №4 *
Лабораторная работа Определение параметров характеристики диода методом наименьших квадратов на основе экспериментальных данных Цель работы: измерение вольтамперной характеристики полупроводникового диода и определение аналитическое зависимости тока от напряжения по методу наименьших квадратов. Измеряем 10 точек напряжения и тока при прямом включении: i Напряжение, В Ток, мА Xi Yi XiYi Xi2 1 0 0,005 0 –5,298 0 0 2 0,112 0,01 0,112 –4,605 –0,5158 0,01254 3 0,223 0,188 0,223 –1,671 –0,3726 0,049
User IT-STUDHELP : 9 июля 2023
350 руб.
promo
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 3 Вариант 81
Расчет цикла Карно применительно к тепловому двигателю Рабочее тело в цикле Карно — 1 кг сухого воздуха. Предельные температуры рабочего тела в цикле: наибольшая t1, наименьшая t3 (табл.1). Предельные давления рабочего тела в цикле: наибольшее p1, наименьшее p3 (табл.2). Определить: 1) основные параметры рабочего тела в характерных точках цикла; 2) количество теплоты, подведенное в цикле; 3) количество теплоты, отведенное в цикле; 4) полезную работу, совершенную рабочим телом за ци
User Z24 : 12 января 2026
350 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 3 Вариант 81
up Наверх