Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №32
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
BAS20
Лабораторная работа №2
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.
Приложение А Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
BC264D
Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
IКОМ = 0,6А
Е2 = 140В
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
BAS20
Лабораторная работа №2
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.
Приложение А Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
BC264D
Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
IКОМ = 0,6А
Е2 = 140В
Дополнительная информация
Оценка: Зачет
Дата оценки: 22.11.2021
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Дата оценки: 22.11.2021
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Элементная база электронной техники. Вариант №32
IT-STUDHELP
: 22 ноября 2021
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Вариант 2
300
360
Мостовая схема
580 руб.
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №1
IT-STUDHELP
: 22 ноября 2021
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должн
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 01
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И СТАБИЛИТРОНОВ
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы:
1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
ВАХ диода
Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерени
900 руб.
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №4
IT-STUDHELP
: 22 ноября 2021
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должн
900 руб.
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №2
IT-STUDHELP
: 22 ноября 2021
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должн
900 руб.
Лабораторная работа №№1-3 по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №6
IT-STUDHELP
: 22 ноября 2021
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должн
900 руб.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1, 2, 3 По дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 6
Ирина36
: 24 июля 2023
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
Номер варианта 6
диод Zelex BAS19
стабилитрон general GLL 4757
3.1 Расчётная часть работы
1. Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода:
- предельно-допустимый постоянный прямой ток ;
- предельно-допустимое обратное напряжение .
2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви ВАХ использовать формулу 2.2.
3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются п
1000 руб.
Контрольная и Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 01
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Контрольная работа
Задание No1
1 Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2 Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
No Варианта Последняя цифра 1
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 200
U2, В 220
Тип выпрямителя Двухполупериодный
Задание 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
1.Осуществить выбор стабилитрон
1300 руб.
Другие работы
Графы и частично упорядоченные множества
alfFRED
: 15 августа 2013
Графы и частично упорядоченные множества
Обе эти структуры являются частными случаями бинарных отношений. Пусть задано множество каких-то объектов и из этих объектов по какому-то определенному принципу формируются пары. Например, дано некоторое множество людей, а пары в нем выбираются по такому принципу: первый элемент пары - некий человек, а второй - один из его родителей. При этом один и тот же человек может присутствовать в двух и более парах, например, когда один и тот же человек имеет двоих
10 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Программно-конфигурируемые сети. Вариант №15
antoxa231
: 23 января 2026
1. Вариант задания определить двумя последними цифрами пароля. Если число, образованное этими цифрами, превышает 25, то номер вариант определяется суммой двух последних цифр пароля.
2. Построить модель замкнутой однородной СеМО, узлами которой являются узлы инфокоммуникационной системы, топология и параметры которой заданы в таблице 3.
Примечание: каналы, связывающие сетевые устройства, не моделируются узлами СеМО, но количество прилегающих к каждому устройству линий связи должно соответствова
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Компьютерное моделирование. Билет №1
Учеба "Под ключ"
: 13 октября 2020
«Компьютерное моделирование»
Билет 1
При ответе на вопросы нельзя копировать ЭУМК по курсу, должны быть использованы другие источники и приведены комментарии студента по рассматриваемому вопросу
1. Назначение модуляции при цифровой передаче сигналов.
2. Последовательность обработки сигнала в процессе симуляции.
500 руб.
Гибкие оптические сети (часть 1-я). Вариант №11
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
Задача 1
На основе данных табл.1.6 конспекта лекций определить длину линии оптического кабеля между оптическими усилителями (секции усиления) относительно нелинейных помех четырёхволнового смешивания (FWM) при организации числа оптических каналов по варианту табл. 1.1, для частотных интервалов и величин дисперсии стекловолокна по варианту табл. 1.2.
Использовать данные максимального уровня мощности передачи оптического канала из табл.1.6 по варианту, считать во всех вариантах уровень мощности н
800 руб.