Лабораторная работа №1. Схемотехника. Тема Выпрямители и стабилизаторы на кремниевых диодах и стабилитронах. ЛЭТИ
-
Категории:
Схемотехника, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
10.04.2023
-
Размер:
2 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
DiKey
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лаб 1.doc
|
Screenshot_691.jpg
|
|
Screenshot_692.jpg
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Программа для просмотра изображений
Описание
Лабораторная работа №1. Схемотехника. Тема Выпрямители и стабилизаторы на кремниевых диодах и стабилитронах.
Цель работы состоит в ознакомлении с принципами построения выпрямителей и параметрических стабилизаторов, реализуемых на кремниевых диодах и стабилитронах, и в экспериментальном исследовании их основных технических характеристик с использованием учебной лабораторной станции виртуальных приборов NI ELVIS.
1.1. Основные характеристики кремниевых диодов и стабилитронов
1.1.1. Общая часть
1.1.2. Экспериментальная часть
1.2. Выпрямители на полупроводниковых диодах
с емкостным фильтром
1.2.1. Общая часть
1.2.2. Экспериментальная часть
1.3. Параметрические стабилизаторы на кремниевых стабилитронах
1.3.1. Общая часть
1.3.2. Экспериментальная часть
1.4. Содержание отчета
1.5. Контрольные вопросы.
Цель работы состоит в ознакомлении с принципами построения выпрямителей и параметрических стабилизаторов, реализуемых на кремниевых диодах и стабилитронах, и в экспериментальном исследовании их основных технических характеристик с использованием учебной лабораторной станции виртуальных приборов NI ELVIS.
1.1. Основные характеристики кремниевых диодов и стабилитронов
1.1.1. Общая часть
1.1.2. Экспериментальная часть
1.2. Выпрямители на полупроводниковых диодах
с емкостным фильтром
1.2.1. Общая часть
1.2.2. Экспериментальная часть
1.3. Параметрические стабилизаторы на кремниевых стабилитронах
1.3.1. Общая часть
1.3.2. Экспериментальная часть
1.4. Содержание отчета
1.5. Контрольные вопросы.
Дополнительная информация
2020
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине Схемотехника. Тема RC-цепи. Фильтры высоких и низких частот. ЛЭТИ
DiKey
: 8 апреля 2023
Лабораторная работа №1 по дисциплине Схемотехника. Тема RC-цепи. Фильтры высоких и низких частот.
Цель работы
Исследование RC-фильтров нижних и верхних частот во временной и частотной областях.
Задачи
1) построить компьютерные модели RC-фильтров нижних и верхних частот в среде NI Multisim;
2) исследовать реакцию моделей при подаче на их вход различных гармонических сигналов с помощью виртуального осциллографа;
3) построить амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) и фазо-частотные характеристи
DiKey
: 8 апреля 2023
150 руб.
Лабораторная работа №1,2,4,5,6. По дисциплине Цифровая схемотехника. ЛЭТИ. 2022
DiKey
: 3 мая 2023
Лабораторная работа №1. По дисциплине Цифровая схемотехника.
Тема - ОЗНАКОМЛЕНИЕ С ЛАБОРАТОРНЫМ СТЕНДОМ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОСТЕЙШИХ КОМБИНАТОРНЫХ ЛОГИЧЕСКИХ СХЕМ.
Цель работы: ознакомление с лабораторным стендом, содержащим цифровые микросхемы серии 7400 подсемейства HCT, и исследование таблиц истинности ЛЭ.
Вывод: в данной лабораторной работе были ознакомлены с лабораторным стендом, содержащим цифровые микросхемы серии 7400 подсемейства HCT, и исследованы таблиц истинности ЛЭ.
Из таблицы истинн
DiKey
: 3 мая 2023
300 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине Схемотехника. Тема Решающие усилители. ЛЭТИ
DiKey
: 10 апреля 2023
Лабораторная работа №2 по дисциплине Схемотехника. Тема Решающие усилители. ЛЭТИ
Цель работы заключается в ознакомлении с принципами построения RC- генераторов на операционных усилителях (ОУ) и простейшими способами стабилизации амплитуды генерируемых сигналов на базе учебной лабораторной станции виртуальных приборов NI ELVIS.
DiKey
: 10 апреля 2023
150 руб.
Лабораторная работа №5. По дисциплине Схемотехника. Тема Синтез комбинационной схемы. ЛЭТИ
DiKey
: 9 апреля 2023
Лабораторная работа №5. По дисциплине Схемотехника. Тема Синтез комбинационной схемы.
Цель работы.
Ознакомиться с принципами проектирования и разработки комбинационных цифровых устройств. Спроектировать и разработать схему комбинационного цифрового устройства, предназначенного для управления семисегментным индикатором. Под управлением устройства на индикаторе должны отображаться символы A, B, C, D, E, как это показано в табл. 1.
Схема комбинационного цифрового устройства (КЦУ) должна быть пос
DiKey
: 9 апреля 2023
150 руб.
Лабораторные работы №№ 1- 2 по "Схемотехнике"
te86
: 18 февраля 2013
Лабораторная работа 1
ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТОРНОГО КАСКАДА ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛЕНИЯ НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ
Лабораторная работа 2
ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТОРНОГО КАСКАДА ШИРОКОПОЛОСНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ.
te86
: 18 февраля 2013
180 руб.
Основы схемотехники, Лабораторная работа №1
Devide
: 22 ноября 2011
Тема
Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Исходные данные
Транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rбб = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА.
Devide
: 22 ноября 2011
45 руб.
Лабораторная работа №3. По дисциплине Схемотехника Тема Функциональные узлы на базе транзисторов. ЛЭТИ
DiKey
: 8 апреля 2023
Лабораторная работа №3. По дисциплине Схемотехника
Тема Функциональные узлы на базе транзисторов. ЛЭТИ
Цель работы.
Ознакомиться с принципами работы биполярных транзисторов в ключевом режиме на примере схемы симметричного мультивибратора. Исследовать свойства симметричного мультивибратора.
Задачи.
1) Построить компьютерную модель симметричного мультивибратора в среде NI Multisim;
2) Исследовать влияние параметров схемы симметричного мультивибратора на выходной сигнал при помощи виртуального ос
DiKey
: 8 апреля 2023
150 руб.
Лабораторная работа 1 - Схемотехника телекоммуникационных устройств
Рома11
: 12 августа 2024
Лабораторная работа номер 1,по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств.
Рома11
: 12 августа 2024
1200 руб.
Другие работы
Калькулятор р-ичных чисел
mel3010
: 4 октября 2017
Лабораторные работы 1-6 по дисциплине "Современные технологии программирования".
mel3010
: 4 октября 2017
1500 руб.
Методи оцінки та засоби підвищення надійності програмного забезпечення
Slolka
: 6 октября 2013
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Актуальність теми. Програмне забезпечення (ПЗ) сучасних обчислювальних систем та інформаційно-управляючих систем (ІУС) повинне відповідати не тільки своїм функціональним параметрам. При його розробці накладаються певні обмеження на вартість і час, а також висуваються жорсткі вимоги до надійності, безпеки, готовності, цілісності та, відповідно, якості функціонування, оскільки відмова ПЗ може викликати катастрофічні нас
Slolka
: 6 октября 2013
10 руб.
Расчёт и проектирование артиллерийского ствола
alfFRED
: 3 сентября 2013
Содержание:
Проектирование канала ствола.
Проектирование каморы.
Проектирование нарезной части канала.
Расчёт поперечной прочности ствола – моноблока.
Определение длины отката для ствола – моноблока.
Расчёт поперечной прочности ствола – моноблока.
Определение нагрузок, действующих на казённик и затвор.
Расчёт массы и положения центра тяжести ствола.
Расчёт нагрева ствола при стрельбе.
Расчёт живучести ствола.
alfFRED
: 3 сентября 2013
10 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
550 руб.
