Контрольная работа по дисциплине "Элементная база электронной техники". Вариант 02
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ
НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
2 Intel Core 2 Duo E6600 KT316A 6С53Н ATF2500B
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
Таблица 1.2 – Параметры ЭВП
Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
6С53Н 130 6,3 9 120 5 11 20 2,5 447
Таблица 1.3 - Параметры транзисторов
Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
KT316A 40 5 6 4,5 0,6 23,01
Таблица 1.4 – Параметры БИС
Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
ATF2500B 110 6000 5,0 44 676 3,5 30 394
Таблица 1.5 – Параметры наноизделий
Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Техно-логия, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
Intel Core 2 Duo E6600 291 775 55 75 2,40 144 0,85 1,36 2,6 65 8216
------------------------------------------------------------------------------
1.1 Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.1 Определение выигрыша во времени безотказной работы
- интенсивность отказов λ наноэлектронного изделия указано в таблице 2.1
Таблица 2.1 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
2 Intel Core 2 Duo E6600 KT316A 6С53Н ATF2500B
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
Таблица 1.2 – Параметры ЭВП
Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
6С53Н 130 6,3 9 120 5 11 20 2,5 447
Таблица 1.3 - Параметры транзисторов
Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
KT316A 40 5 6 4,5 0,6 23,01
Таблица 1.4 – Параметры БИС
Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
ATF2500B 110 6000 5,0 44 676 3,5 30 394
Таблица 1.5 – Параметры наноизделий
Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Техно-логия, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
Intel Core 2 Duo E6600 291 775 55 75 2,40 144 0,85 1,36 2,6 65 8216
------------------------------------------------------------------------------
1.1 Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.1 Определение выигрыша во времени безотказной работы
- интенсивность отказов λ наноэлектронного изделия указано в таблице 2.1
Таблица 2.1 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
Дополнительная информация
Год сдачи: 2023 г.
Оценка: Зачет.
Оценка: Зачет.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №19
IT-STUDHELP
: 10 ноября 2023
Контрольная работа
Вариант No19
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Оп
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 7
Roma967
: 25 марта 2023
"Анализ технико-экономической эффективности внедрения наноэлектронных изделий"
1. Задание контрольной работы
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, тра
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 17
Roma967
: 26 января 2023
Задача №1
Выбор типа диодов для выпрямителей
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Вариант задания
№ варианта: 17
Rн,Ом: 200
U2,В: 220
Ток выпрямителя: Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
Задача №2
Выбор стабилитронов для вторичных источников питания
Задание:
1. Осуществить выбор стабилитрона из Приложения Б.
2.
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №5
IT-STUDHELP
: 16 ноября 2022
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
--------------------------------------------------------------
Задание:
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому о
950 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 12
Учеба "Под ключ"
: 7 ноября 2022
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 6
3. Расчёты 7
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 7
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 9
3.3. Определение выигрыша в массе 11
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 12
3.5. Определение выигрыша в стоимости 13
Список использованных источников 15
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффек
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 07
Учеба "Под ключ"
: 8 августа 2022
Задача №1
Выбор типа диодов для выпрямителей
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Вариант задания
№ варианта: 07
Rн,Ом: 200
U2,В: 220
Ток выпрямителя: Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
Задача №2
Выбор стабилитронов для вторичных источников питания
Задание:
1. Осуществить выбор стабилитрона из Приложения Б.
2.
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 01
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Контрольная работа
Задание No1
1 Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2 Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
No Варианта Последняя цифра 1
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 200
U2, В 220
Тип выпрямителя Двухполупериодный
Задание 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
1.Осуществить выбор стабилитрон
580 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. ВАРИАНТ 01
KVASROGOV
: 27 сентября 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Элементная база электронной техники
ВАРИАНТ 01
200 руб.
Другие работы
Технологическая схема установки комплексной подготовки газа УКПГ-Чертеж-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
lesha.nakonechnyy.92@mail.ru
: 13 сентября 2023
Технологическая схема установки комплексной подготовки газа УКПГ-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
238 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Объектно-ориентированное программирование». Билет №4
Roma967
: 29 мая 2015
Билет № 4
1. Требуется:
1) Оставить метод Proc только в классе TFigura;
2) Изменить программу так, чтобы после выполнения п.1 результат ее работы не изменился.
{TFigura – фигура; TLine – линия; TRectangl – прямоугольник}
Type int=integer;
TFigura=object
X, Y: int;
procedure Proc(X,Y:int);
procedure Display;
End;
TLine=object (TFigura)
procedure Proc(X,Y:int);
procedure Display();
End;
TRectangl=object (TLine)
procedure Proc(X,Y:int);
procedure Display;
End;
Procedure TFigura.Proc(X,Y:int);
250 руб.
Основы оптической связи. Контрольная работа. Вариант 11. 2 курс 4 семестр
Leka25
: 2 ноября 2025
Вариант 11.
1. Основы физической и квантовой оптики
Вопросы:
1. Почему применяют диапазона волн 0,4 - 1,8мкм в технике оптической связи?
2. Объяснить связь энергии фотона и длины волны излучения.
3. Объяснить законы, являющиеся основой геометрической оптики.
4. В чём физический смысл показателя преломления?
5. Почему поляризуются электромагнитные волны?
6. Что является результатом интерференции волн?
7. Перечислить оптические приборы техники связи, которые строятся на основе интерфе
500 руб.
Аннотация к семинару по средневековому рыцарскому роману "Тристан и Изольда"
Max2304
: 20 января 2019
Роман “Тристан и Изольда” является классическим примером средневекового творчества. Несмотря на время, роман не потерял своего внутреннего смысла и по сей день остаётся одним из выдающихся образчиков рыцарской литературы.
100 руб.