Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база электронной техники". Вариант 02ID: 236507Дата закачки: 22 Мая 2023 Продавец: apexgen (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Контрольная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1). Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС 2 Intel Core 2 Duo E6600 KT316A 6С53Н ATF2500B Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5. Таблица 1.2 – Параметры ЭВП Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб 6С53Н 130 6,3 9 120 5 11 20 2,5 447 Таблица 1.3 - Параметры транзисторов Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб KT316A 40 5 6 4,5 0,6 23,01 Таблица 1.4 – Параметры БИС Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб ATF2500B 110 6000 5,0 44 676 3,5 30 394 Таблица 1.5 – Параметры наноизделий Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Техно-логия, нм Цена, руб. Min Max Min Max Intel Core 2 Duo E6600 291 775 55 75 2,40 144 0,85 1,36 2,6 65 8216 ------------------------------------------------------------------------------ 1.1 Задания к практическим занятиям 1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 2.1 Определение выигрыша во времени безотказной работы - интенсивность отказов λ наноэлектронного изделия указано в таблице 2.1 Таблица 2.1 – Интенсивность отказов дискретных элементов Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час Транзисторы 0,01 Паяное соединение 0,0003 БИС 0,02 Наноиздение 0,03 ЭВП 0,25 Механическое соединение 0,01 Комментарии: Год сдачи: 2023 г. Оценка: Зачет. Размер файла: 47,7 Кбайт Фаил: 
(.rar)
------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! |
||||
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Элементная база электронной техники / Контрольная работа по дисциплине "Элементная база электронной техники". Вариант 02
Вход в аккаунт: