Контрольная и Лабораторная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №04

Контрольная работа
Вариант №04

Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП303Д; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.

------------------------------------------------------------------------------

Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ605А; U_KЭ=6B.

------------------------------------------------------------------------------

Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 0.5В.

------------------------------------------------------------------------------

Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±10В; R_1=11кОм; R_2=330кОм; R_3=12кОм; U_вх=60мВ.

=============================================
=============================================

Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Ход работы

Выводы:

Литература:

=============================================

Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Ход работы
1. Технические характеристики МП37A.
2. Снимем входную ВАХ транзистора МП37A результаты приведем в таблице 2.
*****

Выводы:

Литература:

=============================================

Лабораторная работа N3
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов

Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Ход работы
1. На рисунке 1 приведена схема для снятия статических характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом n-типа.
Ко входу ПТ ( участок затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ. К выходу ПТ (участок сток-исток) прикладывается напряжение UCИ.
2. Снимем передаточную характеристику IC=F(U3И). Результаты измерений занесем в таблицу 1. Определим напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА)
******

Выводы:

Литература:

=============================================

Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Зачет
Дата оценки: 04.07.2023г.

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru