Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3

Состав работы

material.view.file_icon 60298F52-A1AF-49FE-802F-2AEE308F7F15.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Билет №3

1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

=============================================

Дополнительная информация

Проверил(а):Борисов Александр Васильевич
Оценка: Зачет
Дата оценки: 18.09.2023г.

Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
Билет №2 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
User IT-STUDHELP : 29 сентября 2023
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
Билет №4 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную
User IT-STUDHELP : 26 апреля 2023
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
Билет №8 1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характерист
User IT-STUDHELP : 26 апреля 2023
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
Вопросы: 1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходны
User IT-STUDHELP : 12 ноября 2022
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Билет 1: 1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
User Леший : 18 января 2021
450 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 1 Вариант 38
Расчет газовой смеси Газовая смесь состоит из нескольких компонентов, содержание которых в смеси задано в процентах по объему (табл.1.1). Определить: 1) кажущуюся молекулярную массу смеси; 2) газовую постоянную смеси; 3) средние мольную, объемную и массовую теплоемкости смеси при постоянном давлении в пределах температур от t1 до t2 (табл.1.2). 1. Что называется удельной газовой постоянной? Единица ее измерения в системе СИ. Чем она отличается от универсальной газовой постоянно
User Z24 : 2 декабря 2025
150 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 1 Вариант 38
Курсовой проект по дисциплине: Гидравлика
Задача 1. Определить силу давления воды на щит и центр давления воды на щит и центр давления. Задача 2. Определить силу манометрического давления воды на цилиндрическую поверхность и центр давления. Задача 3. Определить напор Н, необходимый для пропуска расхода Q через систему коротких трубопроводов.
User obugera : 29 августа 2016
200 руб.
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 2.47
Определить избыточное давление на поверхности воды в резервуаре (рис. 2.27), если высота подъема ртути в трубке h2=0,7 м (ρрт=13600 кг/м³), а высота h1=0,25 м.
User Z24 : 14 ноября 2025
150 руб.
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 2.47
Теплотехника КНИТУ Задача ТП-2 Вариант 71
По трубе длиной l=3 м и внутренним диаметром d, м движется жидкость со скоростью W, м/c. Средние по длине температуры стенки трубы tc, ºC, и жидкости tж, ºС. Рассчитать средний коэффициент конвективной теплоотдачи к жидкости или от нее к стенке.
User Z24 : 18 января 2026
150 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТП-2 Вариант 71
up Наверх