Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3

Состав работы

material.view.file_icon 60298F52-A1AF-49FE-802F-2AEE308F7F15.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Билет №3

1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

=============================================

Дополнительная информация

Проверил(а):Борисов Александр Васильевич
Оценка: Зачет
Дата оценки: 18.09.2023г.

Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
Билет №2 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
User IT-STUDHELP : 29 сентября 2023
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
Билет №4 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную
User IT-STUDHELP : 26 апреля 2023
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
Билет №8 1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характерист
User IT-STUDHELP : 26 апреля 2023
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
Вопросы: 1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходны
User IT-STUDHELP : 12 ноября 2022
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Билет 1: 1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
User Леший : 18 января 2021
500 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №9
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
User IT-STUDHELP : 3 ноября 2019
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Приложения UNIX систем (ДВ 2.1). Лабораторная работа №3. Для всех вариантов
Приложения UNIX систем (ДВ 2.1). Лабораторная работа №3. Для всех вариантов Также подходит для Сетевые приложения UNIX (ДВ 10.2) Задание к лабораторной работе №3 Цель занятия: знакомство с сетевыми командами. Изучаемые команды: ifconfig, route, traceroute, ping. 1. Создать файл, содержащий MAC–адрес сетевого интерфейса eth0 и статистику переданных и принятых пакетов для этого интерфейса. 2. Создать файл, содержащий cписок доступных IP–адресов локальной сети. 3. Создать файл, содержащий IP–адре
User rmn77 : 17 августа 2019
75 руб.
promo
Проект отопления и вентиляции детского сада г. Иркутск
Содержание: 1. Общие данные. 2. Теплотехнический расчет ограждающих конструкций. 3. Теплотехнический расчет полов. 4. Расчет плиты перекрытия последнего этажа. 5. Определение потерь тепла. 6. Выбор нагревательных приборов. 7. Гидравлический расчёт трубопроводов систем водяного отопления. 8. Подбор элеватора. 9. Вентиляция. 10. Экспликация помещений 11. Спецификация оборудования 12. Список литературы. Проект отопления и вентиляции жилого дома разработан на основании задания на проектирование и а
User GnobYTEL : 21 мая 2012
44 руб.
Единица измерения ионизирующих излучений
Единица измерения ионизирующих излучений Ионизирующее излучение (проникающая радиация) — поток гамма лучей и нейтронов из зоны ядерного взрыва. За единицу измерения излучения (экспозиционной дозы) принят кулон на 1 кг (Кл/кг) в единицах СИ. В практике в качестве единицы экспозиционной дозы излучения часто пользуются внеснстемной единицей рентген (Р) . Поглощенная доза, т. е. доза ионизирующих излучении, поглощенная тканями организма, измеряется в радах или Греях (Гр)2 в единицах СИ. 1 рад прибл
User elementpio : 24 февраля 2013
5 руб.
Валютный рынок РФ
Содержание Введение. 2 Глава 1. Теоретические аспекты формирования и функционирования валютного рынка в современной экономике. 4 1.1. Понятие и сущность валютного рынка. 4 1.2. Роль в современной экономике. 8 1.3. Закономерности развития валютного рынка. 17 Глава 2. Основные валютные операции, валютные риски и субъекты валютного рынка 33 2.1. Виды валютных операций. 33 2.2. Валютные риски. 39 2.3. Взаимоотношение субъектов. 43 Глава 3. Развитие валютного рынка в современной РФ.. 47 3.1. Порядок
User VikkiROY : 6 ноября 2012
19 руб.
up Наверх