Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3

Состав работы

material.view.file_icon 60298F52-A1AF-49FE-802F-2AEE308F7F15.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Билет №3

1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

=============================================

Дополнительная информация

Проверил(а):Борисов Александр Васильевич
Оценка: Зачет
Дата оценки: 18.09.2023г.

Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
Билет №2 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
User IT-STUDHELP : 29 сентября 2023
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
Билет №4 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную
User IT-STUDHELP : 26 апреля 2023
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
Билет №8 1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характерист
User IT-STUDHELP : 26 апреля 2023
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
Вопросы: 1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходны
User IT-STUDHELP : 12 ноября 2022
200 руб.
promo
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Билет 1: 1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
User Леший : 18 января 2021
500 руб.
Расчет линейной цепи постоянного тока. Схема 10, вариант 1
Задание: Для заданного варианта изобразить расчетную схему и записать в таблицу значения параметров. Составить на основании законов Кирхгофа систему уравнений для расчета токов во всех ветвях схемы. Определить токи во всех ветвях схемы методом контурных токов. Определить токи во всех ветвях схемы методом узловых потенциалов. Результаты расчета токов свести в таблицу и сравнить между собой. Составить баланс мощностей в схеме, вычислив суммарную мощность источников и суммарную нагрузку сопротивлен
User Slolka : 4 июля 2013
5 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Управление качеством инфокоммуникационных услуг. Вариант 02
Вариант задания № 02 1. Сообщение №1 0000: 00 00 1d 90 02 20 00 00 aa e8 02 8e 08 00 45 40 0010: 01 1a 0b 25 00 00 60 11 00 09 c0 58 95 ca c4 95 0020: a8 66 c0 7c 00 a1 01 06 4a 51 30 81 fb 02 01 00 0030: 04 06 64 65 73 2d 30 32 a0 81 ed 02 04 35 97 ac 0040: 55 02 01 00 02 01 00 30 81 de 30 0c 06 08 2b 06 0050: 01 02 01 01 03 00 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02 0060: 01 02 02 01 05 01 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02 0070: 01 02 02 01 08 01 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02
User Учеба "Под ключ" : 25 августа 2022
800 руб.
promo
Электроника. Экзаменационная работа
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
User aleks797 : 20 января 2013
100 руб.
Безопасность жизнедеятельности. Тестовые вопросы и ответы
- БЖ, 12 заданий по 5 тестовых вопроса Задание № 1. Вопрос 1. Общее количество твёрдых отходов производства и потребления, находящихся в отвалах, полигонах, хранилищах и свалках в России достигает: 1. 120 млрд. т. 2. 100 млрд. т. 3. 90 млрд. т. 4. 80 млрд. т. 5. 58 млрд. т. Вопрос 2. В результате деградации водной среды пользоваться загрязнённой водой в быту вынуждены около: 1. 2 млрд. чел. 2. 1,5 млрд. чел. 3. 1, 3 млрд. чел. 4. 1,1 млрд. чел. 5. 1 млрд. чел. Вопрос 3. Водная и ветровая эрозия
User тантал : 8 августа 2013
100 руб.
up Наверх