Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
18.09.2023
-
Размер:
378 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
IT-STUDHELP
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
60298F52-A1AF-49FE-802F-2AEE308F7F15.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Билет №3
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а):Борисов Александр Васильевич
Оценка: Зачет
Дата оценки: 18.09.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Зачет
Дата оценки: 18.09.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
aikys
: 18 июня 2016
1. Статические характеристики полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные ха
aikys
: 18 июня 2016
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Билет №2
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №8
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характерист
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
Вопросы:
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходны
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Леший
: 18 января 2021
Билет 1:
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Леший
: 18 января 2021
450 руб.
Другие работы
Спроектировать настенный консольный кран
proekt-sto
: 1 июня 2013
Вихідні дані:
вантажопідйомність Q = 5 т
швидкість підйому вантажу Vгр = 10 м/хв.
швидкість руху електроталі VT = 18 м/хв.
виліт L = 4 м
висота підйому вантажа Н = 10 м
група режиму роботы крана важкий
ЗМІСТ
ВИХІДНІ ДАНІ
РОЗРАХУНОК ПІДІЙМАЛЬНОГО МЕХАНІЗМУ ЕЛЕКТРОТАЛЯ
РОЗРАХУНОККОЛОДКОВОГО ГАЛЬМА
РОЗРАХУНОК ВАНТАЖОУПОРНОГО ГАЛЬМА
РОЗРАХУНОК МЕХАНІЗМУПЕРЕСУВАННЯ
РОЗРАХУНОК МЕТАЛОКОНСТРУКЦІЇ
РОЗРАХУНОК СИЛИ ОПОРУ ПЕРЕСУВАННЮ КРАНА
РОЗРАХУНОК ПОТУЖНОСТІ ДВИГУН
proekt-sto
: 1 июня 2013
10 руб.
Физические основы оптической связи (ФООС). Контрольная работа. Вариант №22. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 23 мая 2016
Вариант 22
Ответы на четные вопросы.
ЗАДАЧА №1
Определить затухание (ослабление), дисперсию, полосу пропускания и максимальную скорость передачи двоичных импульсов в волоконно-оптической системе с длиной секции L (км), километрическим (погонным) затуханием (ослаблением) a (дБ/км) на длине волны излучения передатчика l 0 (мкм), ширине спектра излучения D l 0,5 на уровне половины максимальной мощности излучения.
ЗАДАЧА №2
По данным таблицы 3.1 построить зависимость выходной мощности источн
TheMrAlexey
: 23 мая 2016
50 руб.
Розробка програми, яка дозволяє розв’язувати систему рівнянь за формулами Крамера
SerFACE
: 11 октября 2013
Лістинг програми на мові С++:
#include <iostream.h>
#include <iomanip.h>
#include <conio.h>
void Kramer(double C[3][3],double D[3][1]);//Prototip funkcii
int main() {
int i,j;
double A[3][3],B[3][1];
char z='y';
cout<<"\n"<<endl;
cout<<"\n"<<endl;
while (z=='y')
Висновок: навчився будувати програму, яка вирішує матриці методом Крамера.
SerFACE
: 11 октября 2013
4 руб.
Контрольная работа по дискретной математике
ty4ka
: 23 сентября 2020
Вариант 15
No1 Доказать равенства, используя свойства операций над множествами и определения операций. Проиллюстрировать при помощи диаграмм Эйлера-Венна. а) (A\B) \ C = (A\C) \ B б) (A\B)C=((AB)C)\(BC).
No2 Даны два конечных множества: А={a,b,c}, B={1,2,3,4}; бинарные отношения P1 AB, P2 B2. Изобразить P1, P2 графически. Найти P = (P2P1)–1. Выписать области определения и области значений всех трех отношений: P1, P2, Р. Построить матрицу [P2], проверить с ее помощью, является ли отношени
ty4ka
: 23 сентября 2020
200 руб.
