Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Билет №3
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а):Борисов Александр Васильевич
Оценка: Зачет
Дата оценки: 18.09.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Зачет
Дата оценки: 18.09.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
aikys
: 18 июня 2016
1. Статические характеристики полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные ха
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Билет №2
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №8
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характерист
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
Вопросы:
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходны
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Леший
: 18 января 2021
Билет 1:
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
500 руб.
Другие работы
Расчет линейной цепи постоянного тока. Схема 10, вариант 1
Slolka
: 4 июля 2013
Задание:
Для заданного варианта изобразить расчетную схему и записать в таблицу значения параметров.
Составить на основании законов Кирхгофа систему уравнений для расчета токов во всех ветвях схемы.
Определить токи во всех ветвях схемы методом контурных токов.
Определить токи во всех ветвях схемы методом узловых потенциалов.
Результаты расчета токов свести в таблицу и сравнить между собой.
Составить баланс мощностей в схеме, вычислив суммарную мощность источников и суммарную нагрузку сопротивлен
5 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Управление качеством инфокоммуникационных услуг. Вариант 02
Учеба "Под ключ"
: 25 августа 2022
Вариант задания № 02
1. Сообщение №1
0000: 00 00 1d 90 02 20 00 00 aa e8 02 8e 08 00 45 40
0010: 01 1a 0b 25 00 00 60 11 00 09 c0 58 95 ca c4 95
0020: a8 66 c0 7c 00 a1 01 06 4a 51 30 81 fb 02 01 00
0030: 04 06 64 65 73 2d 30 32 a0 81 ed 02 04 35 97 ac
0040: 55 02 01 00 02 01 00 30 81 de 30 0c 06 08 2b 06
0050: 01 02 01 01 03 00 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02
0060: 01 02 02 01 05 01 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02
0070: 01 02 02 01 08 01 05 00 30 0e 06 0a 2b 06 01 02
800 руб.
Электроника. Экзаменационная работа
aleks797
: 20 января 2013
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
100 руб.
Безопасность жизнедеятельности. Тестовые вопросы и ответы
тантал
: 8 августа 2013
- БЖ, 12 заданий по 5 тестовых вопроса
Задание № 1.
Вопрос 1. Общее количество твёрдых отходов производства и потребления, находящихся в отвалах, полигонах, хранилищах и свалках в России достигает:
1. 120 млрд. т.
2. 100 млрд. т.
3. 90 млрд. т.
4. 80 млрд. т.
5. 58 млрд. т.
Вопрос 2. В результате деградации водной среды пользоваться загрязнённой водой в быту вынуждены около:
1. 2 млрд. чел.
2. 1,5 млрд. чел.
3. 1, 3 млрд. чел.
4. 1,1 млрд. чел.
5. 1 млрд. чел.
Вопрос 3. Водная и ветровая эрозия
100 руб.