Курсовая работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант 08

Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.

Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Тип фотоприемника (ФП) – Фототиристор

Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Дано:
Тип полупроводникового материала Ge;
Квантовая эффективность, n=0,2;
Ширина запрещенной зоны dW=0,6эВ;
Найти: Лгр; SФ.

Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.
Номер варианта: 8
Входной код: 1 0 0 0

Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответсвующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжения питания Uпит=5 В
Наминал ограничительного сопротивления Rогр=510 Ом

Без замечаний. Отлично
2022 год
Преподаватель: Игнатов А.Н.