Курсовая работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант 08
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Оптоэлектроника и нанофотоника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
07.11.2023
-
Размер:
526 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
xtrail
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
C2005764-FBB3-408D-83DC-ECA889E1B578.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Тип фотоприемника (ФП) – Фототиристор
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Дано:
Тип полупроводникового материала Ge;
Квантовая эффективность, n=0,2;
Ширина запрещенной зоны dW=0,6эВ;
Найти: Лгр; SФ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.
Номер варианта: 8
Входной код: 1 0 0 0
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответсвующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжения питания Uпит=5 В
Наминал ограничительного сопротивления Rогр=510 Ом
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Тип фотоприемника (ФП) – Фототиристор
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Дано:
Тип полупроводникового материала Ge;
Квантовая эффективность, n=0,2;
Ширина запрещенной зоны dW=0,6эВ;
Найти: Лгр; SФ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.
Номер варианта: 8
Входной код: 1 0 0 0
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответсвующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжения питания Uпит=5 В
Наминал ограничительного сопротивления Rогр=510 Ом
Дополнительная информация
Без замечаний. Отлично
2022 год
Преподаватель: Игнатов А.Н.
2022 год
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Похожие материалы
Курсовая работа по дисциплине «Оптоэлектроника и нанофотоника»
Severniolen
: 11 апреля 2022
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник.
Таблица 1 – Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 Фотодиод на основе р-n перехода
Фотодиод со структурой р-i-n
Фотодиод с барьером Шоттки
Фотодиод с гетероструктурой
Лавинный фотодиод
Фотодиод - транзистор
Составной фототранз
Severniolen
: 11 апреля 2022
200 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
lyolya
: 28 июня 2022
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить ...
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Задача No3:
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов д
lyolya
: 28 июня 2022
150 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника
novikova9409
: 25 февраля 2019
Вариант 16 (6) Решение задач Задача 2 и задача 4
novikova9409
: 25 февраля 2019
100 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №14
IT-STUDHELP
: 12 декабря 2023
Вариант №14
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
------------------------------------------------------------------------------
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней.
Исходные данные для решения задачи пр
IT-STUDHELP
: 12 декабря 2023
500 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №20
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Вариант No20
Задача No 1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Тип фотоприемника - фотодиод на основе р-n перехода.
Задача No 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Тип ПП материала – GaAs.
Квантовая эффективность: h=0,6.
Ширина запрещенной зоны: ΔW=1,41(эВ).
З
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
500 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №26
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Вариант No26
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник.
Вариант 6 - составной фототранзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные:
Тип ПП материала - GaAs
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
500 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант №10
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Вариант No10
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Тип фотоприемника - фотодиод на основе р-n перехода
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задано:
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
500 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Оптоэлектроника и нанофотоника. Вариант 30
ditools1
: 17 апреля 2023
1. Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник.
Вариант 0. Тип фотоприемника (ФП) - Фотодиод на основе р-n перехода.
2. Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант - 3. Тип П
ditools1
: 17 апреля 2023
250 руб.
Другие работы
Зачётная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Билет 16
Алёна25
: 21 декабря 2023
Билет № 16 для зачета по дисциплине "Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1) "
1. Основные элементы дискретной цепи.
2. Рассчитать i1 до коммутации. Е=20 В,
R=2 кОм.
Алёна25
: 21 декабря 2023
130 руб.
Зачетная работа по дисциплине: «Управление сетями связи». БИЛЕТ №11
58197
: 13 сентября 2014
БИЛЕТ №11
1. Логическая архитектура TMN (пирамида). Функции отдельных уровней.
2. Дерево описания информационных объектов (корневые элементы).
3. Задача: Определить из приведенного сообщения:
1. Версию протокола сетевого уровня
2. Приоритет сетевого уровня для данной дейтаграммы
3. Протокол транспортного уровня (Dec’код и название)
4. Сетевой адрес назначения
5. Транспортный порт отправителя
6. Транспортный порт получателя
7. Тип и класс тэга протокола прикладного уровня
8. Длину сообщения прот
58197
: 13 сентября 2014
80 руб.
Сети ЭВМ и телекоммуникации. Курсовая работа. Вариант №19.
nik200511
: 29 декабря 2015
Курсовая работа должна содержать следующие разделы:
1. Синхронизация в системах ПДС
1.1 Классификация систем синхронизации.
1.2 Поэлементная синхронизация с добавлением и вычитанием
импульсов (принцип действия).
1.3 Параметры системы синхронизации с добавлением и
вычитанием импульсов.
1.4 Расчет параметров системы синхронизации с добавлением и
вычитанием импульсов (задачи).
2. Кодирование в системах ПДС.
Классификация кодов.
Циклические коды (теория).
Построение кодера и декодера циклич
nik200511
: 29 декабря 2015
134 руб.
Разделение властей по Монтескье
Elfa254
: 10 января 2014
Введение……………………………………………………………………..2-3
Биография Ш.Л. Монтескье……………………………………...4-5
Теория разделения властей Ш.Л. Монтескье…………………...6-12
Заключение………………………………………………………………….13
Список литературы…………………………………………………………14
Введение
Теория разделения властей зародилась во Франции в середине 18 века и была связана, прежде всего, с борьбой крепнувшей буржуазии против феодального абсолютизма, борьбой с системой, тормозившей развитие общества и государства.
Конечно же, теория разделения властей возни
Elfa254
: 10 января 2014
5 руб.
