Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант №8
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Инженерная и компьютерная графика, Работа Контрольная
-
Добавлен:
26.12.2023
-
Размер:
2 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Roma967
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
|
|
Лист 1.cdw
|
|
Лист 2.cdw
|
|
Лист 3.cdw
|
|
Лист 4.cdw
|
|
|
Лист 1.jpg
|
|
Лист 2.jpg
|
|
Лист 3.jpg
|
|
Лист 4.jpg
|
Задание КР_Вариант 8.docx
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Компас или КОМПАС-3D Viewer
- Программа для просмотра изображений
- Microsoft Word
Описание
Лист 1 – Диаграммы функциональных зависимостей
Тема: Диаграммы функциональных зависимостей
Содержание: В соответствии с вариантом начертить диаграмму и нанести соответствующие надписи.
Вариант 8
Построить диаграмму зависимости тока коллектора Iк от тока базы Iб
для биполярного транзистора 2Т911А при фиксированных значениях Uкэ.Iк = f (Iб); Uкэ =const.
Iб, мкА 600 900 1200 1500
Iк, мкА Uкэ = 13 В 9,67 14,86 20,27 25,92
Uкэ = 29 В 10,15 15,58 21,23 27,12
Лист 2 – Плоские сечения
Тема: Плоские сечения
Содержание: По двум заданным проекциям (фронтальной и горизонтальной) построить третью (профильную). Отверстие, показанное на фронтальной плоскости, построить на горизонтальную и профильную плоскость.
Лист 3 – Проекционное черчение
Тема: Проекционное черчение
Содержание: По двум заданным видам (вид спереди и вид сверху) построить третий вид (слева), нанести размеры. Изображения оформить в соответствии с ГОСТ 2.305 – 2008
Вариант 8: Корпус штекера
Лист 4 – Схема электрическая принципиальная
Тема: Схема электрическая принципиальная
Содержание: по предложенным вариантам выполнить лист 4 - схема электрическая принципиальная.
Вариант 8:
Схема электрическая принципиальная
Наименование изделия: Система синхронизации по несущей
Тема: Диаграммы функциональных зависимостей
Содержание: В соответствии с вариантом начертить диаграмму и нанести соответствующие надписи.
Вариант 8
Построить диаграмму зависимости тока коллектора Iк от тока базы Iб
для биполярного транзистора 2Т911А при фиксированных значениях Uкэ.Iк = f (Iб); Uкэ =const.
Iб, мкА 600 900 1200 1500
Iк, мкА Uкэ = 13 В 9,67 14,86 20,27 25,92
Uкэ = 29 В 10,15 15,58 21,23 27,12
Лист 2 – Плоские сечения
Тема: Плоские сечения
Содержание: По двум заданным проекциям (фронтальной и горизонтальной) построить третью (профильную). Отверстие, показанное на фронтальной плоскости, построить на горизонтальную и профильную плоскость.
Лист 3 – Проекционное черчение
Тема: Проекционное черчение
Содержание: По двум заданным видам (вид спереди и вид сверху) построить третий вид (слева), нанести размеры. Изображения оформить в соответствии с ГОСТ 2.305 – 2008
Вариант 8: Корпус штекера
Лист 4 – Схема электрическая принципиальная
Тема: Схема электрическая принципиальная
Содержание: по предложенным вариантам выполнить лист 4 - схема электрическая принципиальная.
Вариант 8:
Схема электрическая принципиальная
Наименование изделия: Система синхронизации по несущей
Дополнительная информация
Без замечаний!
Год сдачи: 2023 г.
Преподаватель: Кашуба А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Год сдачи: 2023 г.
Преподаватель: Кашуба А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант 8
Roma967
: 8 июля 2023
Лист 1 – ДИАГРАММЫ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ (лекции п. 2.3.4)
Содержание: изучить лекционный материал, по предложенным вариантам вычертить диаграмму и нанести соответствующие надписи.
Вариант 8
На основании расчета статических характеристик биполярного транзистора 2Т502А построить диаграмму зависимости Н-параметров от тока базы Iб при значении напряжения Uкэ=5В. Н11=f( Iб), Н21=f(Iб).
Iэ, мА 3 203 403 603 803 1003
Н11,Ом 154.12 107.90 61.90 41.35 29.43 21.40
Н21,Ом 56.37 95.07 82.81 70.55 5
Roma967
: 8 июля 2023
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Инженерная и компьютерная графика". Вариант №8.
ДО Сибгути
: 4 декабря 2017
Лист 1 – Схемы алгоритмов (лекции п. 2.1.4).
Содержание:
Вычертить схему и нанести соответствующие надписи.
Лист 2 – Плоские сечения (лекции п.п. 1.2, 1.3).
Содержание:
По двум заданным проекциям (фронтальной и горизонтальной) построить третью (профильную). Отверстие, показанное на фронтальной плоскости, построить на горизонтальную и профильную плоскость.
Лист 3 – Схемы электрические структурные (лекции п2.3)
Содержание: по предложенным вариантам выполнить лист 3 - схема электрическая принципи
ДО Сибгути
: 4 декабря 2017
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика
Владимир191
: 18 декабря 2022
Вариант 9
Построить диаграмму зависимости H – параметров от тока базы Iб
биполярного транзистора 2Т803А при значении напряжения Uкэ = 1 В;
H11 = f (Iб); H21 = f (Iб); H22 = f (Iб)
Вариант 9 заданий к Листу 2 «Плоские сечения»
Вариант 9 заданий к Листу 3 «Проекционное черчение»
Вариант 9 к Листу3 «Схема электрическая принципиальная»
Владимир191
: 18 декабря 2022
480 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика
rawsik
: 8 апреля 2012
Инженерная и компьютерная графика, зачёт
Вариант 08
Чертежи и описание. Чертежи приложены в виде фотографий с оригиналов.
1.Плоские сечения поверхностей.
Построение трех изображений геометрического тела с вырезом.
По координатам точек в табл. 1.2 строим условие - фронтальную и горизонтальную проекции сферы с четырехугольным вырезом АВСD. Четырехугольный вырез сформирован 4-мя плоскостями, перпендикулярными фронтальной плоскости проекций. Продолжим все 4 заданные плоскости до пересечения со с
rawsik
: 8 апреля 2012
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант 4.
MasterGammi
: 15 сентября 2025
Контрольная работа 1
Комментарии: Уважаемый ..., Штейнбах (Конюкова) Ольга Леонидовна
Проверил(а): Штейнбах (Конюкова) Ольга Леонидовна
Оценка: Зачет
Дата оценки: 31.10.2023г.
MasterGammi
: 15 сентября 2025
239 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант 9
Учеба "Под ключ"
: 24 декабря 2024
Лист 1 - Диаграммы функциональных зависимостей
Тема: Диаграммы функциональных зависимостей
Содержание: В соответствии с вариантом начертить диаграмму и нанести соответствующие надписи.
Вариант 9
Построить диаграмму зависимости H-параметров от тока базы Iб
биполярного транзистора 2Т803А при значении напряжения Uкэ = 1 В;
H11 = f(Iб); H21 = f(Iб); H22 = f(Iб).
Iб, мкА 1000 1500 2000 2500 3000 3500
H11, Ом 21,25 18,62 16,72 14,82 13,26 12,30
H21, Ом 16,61 17,90 19,20 19,59 19,58 20,25
H22, Ом 1,
Учеба "Под ключ"
: 24 декабря 2024
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант 10
Учеба "Под ключ"
: 24 декабря 2024
Лист 1 – ДИАГРАММЫ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ (лекции п. 2.3.4)
Содержание: изучить лекционный материал, по предложенным вариантам вычертить диаграмму и нанести соответствующие надписи.
ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ «ДИАГРАММЫ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ»
Вариант 10
Построить диаграмму выходной характеристики биполярного транзистора 2Т803А при постоянных значениях тока на базе Iб=50000, 100000мкА. Iк=∫(Uкэ), Iб=const.
Uкэ, В 5 10 15 20 25
Ia,мА Iб=5000мкА 1041.97 1062.80 1083.63 1104.47 1125.30
Iб=100
Учеба "Под ключ"
: 24 декабря 2024
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика Вариант №5
Znayka
: 7 августа 2024
Лист 1 (Лекции часть 1, лекция 2.3.4 (стр. 81-83 ))
Тема: Диаграммы функциональных зависимостей
Содержание: В соответствии с вариантом начертить диаграмму и нанести соответствующие надписи.
Оформление: Формат А4 (вертикально).
Выполнить внутреннюю рамку сплошной основной линией:
Слева - 20мм,
Справа, сверху, снизу – 5 мм.
Оформить как рисунок пояснительной записки (текстовый конструкторский документ, последующий лист, основная надпись по форме 2а)
Варианты заданий Листа 1 «Диаграммы функциона
Znayka
: 7 августа 2024
1650 руб.
Другие работы
Физика. Лабораторная работа № 7.3.
sanco25
: 18 марта 2012
1. Цель работы:
Исследовать явление дифракции электромагнитной волны. С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн видимого диапазона.
2. Краткие теоретические сведения:
Дифракцией называется совокупность явлений, наблюдаемых при распространении света в среде с резкими неоднородностями и связанных с отклонениями от законов геометрической оптики. Явление дифракции заключается в перераспределении светового потока в результате суперпозиции волн, возбуждаемы
sanco25
: 18 марта 2012
МИ 2273-93 ГСИ. Области использования средств измерений, подлежащих поверке
evelin
: 7 мая 2013
Настоящая рекомендация содержит методические материалы по составлению перечней средств измерений, которые в соответствии с Законом Российской Федерации "Об обеспечении единства измерений" подлежат поверке.
Рекомендация разработана с учетом Международного документа МОЗМ № 12 "Области использования средств измерений, подлежащих поверке".
evelin
: 7 мая 2013
10 руб.
Зачет по дисциплине: Цифровая обработка сигналов. Билет №2
IT-STUDHELP
: 14 августа 2020
Билет 2
Исходные данные итогового задания зависят от:
- номера группы, в которой обучается студент (двузначное число),
- две последние цифры пароля студента (двузначное число).
группа 83 пароль 20
1. Дано: аналоговый сигнал
Построить график аналогового сигнала.
Дискретизировать сигнал, если ,
записать , построить график дискретного сигнала,
построить спектр дискретного сигнала.
2. Дано разностное уравнение дискретной цепи.
Изобразить каноническую схему дискретной цепи.
Записать пер
IT-STUDHELP
: 14 августа 2020
190 руб.
Схемотехника. Контрольная работа №2: "Расчет двухкаскадного УМЗЧ". Вариант 04
MN
: 21 мая 2015
Студент должен расчитать двухкаскадный или трехкаскадный усилитель мощности звуковых частот (УМЗЧ) по данным таблицы 4. (скриншот)
Номер варианта контрольной работы, который должен выполнить студент, определяется по последней цифре пароля.
Оглавление
1. Исходные данные для проектирования 3
2. Обоснование выбора схемы и ее отдельных узлов 3
3. Расчет схемы усилителя 7
3.1. Расчет простого выходного двухтактного бестрансформаторного каскада на комплементарных транзисторах в режиме "В" 7
3.2. Расч
MN
: 21 мая 2015
300 руб.
