Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
600 Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе - Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №7ID: 242252Дата закачки: 07 Января 2024 Продавец: Roma967 (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: Лабораторная работа №1 "Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе" 1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). 2.Принципиальная схема исследуемого каскада Принципиальная схема резисторного каскада приведена на рисунке 1. 3. Предварительный расчет Таблица 1 - Исходные данные для предварительного расчета Вариант: 7 Тип транзистора: KT 3102А Параметр h21э: 300 Ск, пФ: 16 fh21э, МГц: 2,2 rб\'б, Ом: 135 Напряжение источника питания E0, В: 19 Ток покоя транзистора iк0, мА: 5,5 Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя: Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада. Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4. Коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. Время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада: Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности (tи = 5000мкс). Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен: 4. Контрольные вопросы 1) Изобразить принципиальную схему резисторного каскада на биполярном транзисторе и пояснить назначение элементов схемы. 2) Для схемы резисторного каскада показать пути прохождения постоянных и переменных составляющих токов. 3) Объяснить, как происходит инвертирование напряжения сигнала при усилении в схеме включения транзистора с ОЭ. 4) Изобразить принципиальную схему двухкаскадного усилителя с резисторно-емкостной связью между каскадами. Определить сопротивления коллекторной нагрузки по переменному току для транзистора первого каскада. 5) Объяснить частотные свойства транзистора. Изобразить и пояснить упрощенную эквивалентную схему транзистора для широкой полосы частот в системе физических параметров. 6) Построить выходные динамические характеристики каскада (нагрузочные прямые) для постоянного и переменного токов. 7) Изобразить эквивалентные схемы входной и выходной цепи каскада для широкой полосы частот. Преобразовать схему для области нижних, средних и верхних частот. 8) По эквивалентной схеме для области нижних частот объяснить причины частотных искажений. 9) Изобразить переходные характеристики каскада в области больших и малых времен. Объяснить причины переходных искажений. Какими параметрами они оцениваются? 10) Объяснить влияние эмиттерной высокочастотной коррекции с помощью малой емкости в цепи эмиттера на частотную и переходную характеристики. 11) Объяснить, как влияет изменение величин элементов схемы на амплитудно-частотную и переходную характеристики (Rист, Rн, Ср.вх, Ср.вых, Сн). 12) Объяснить влияние обратной связи на характеристики резисторного каскада. Показать, как она образуется в схеме исследуемого усилителя. 13) Объяснить влияние большой емкости в цепи эмиттера на амплитудно-частотную и переходную характеристики. 14) Пояснить процесс составления и преобразования эквивалентных схем для заданного диапазона частот на примере схемы исследуемого усилителя. Список использованных источников Комментарии: Без замечаний! Год сдачи: 2023 г. Преподаватель: Бородихин М.Г. Помогу с другим вариантом. Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам. E-mail: LRV967@ya.ru Размер файла: 360 Кбайт Фаил: (.docx) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе. Вариант №2Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1). Тема: «Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе». Вариант №8 Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №1 Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Схемотехника (углубленный курс). Вариант №4 Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Схемотехника (углубленный курс). Вариант №8 Лабораторная работа 1 по дисциплине: Схемотехника (углубленный курс). Вариант 4 Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Схемотехника (углубленный курс). Вариант №7 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Схемотехника телекоммуникационных устройств / Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе - Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №7
Вход в аккаунт: