Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.

Цена:
83 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BDBFA3B3-1DFE-4F71-BF81-515B8F67A35C.rar [ 201 KB ]
material.view.file_icon 07.docx [ 223 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

зачтено без замечаний, январь 2023, Борисов А.В.

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User tusur : 25 июня 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.

Другие работы

Политические конфликты и революции
Введение Политические конфликты Исторические концепции политических конфликтов Политический кризис Типология политических конфликтов Виды политических конфликтов Причины политических конфликтов Стадии политического конфликта Функции политических конфликтов Политические изменения. Его типы: политическая реформа, революция и другие политические процессы. Основные понятия Революция и реформа как виды политического процесса Восстание, бунт, мятеж, путч как виды политического процесса Специфи
Политология Работа Контрольная
User GnobYTEL : 24 января 2012
20 руб.
Теоретические основы теплотехники.ти_ФРК (Темы 1-6) тест с ответами Синергия/МОИ/МТИ/МосТех/МОСАП
Теоретические основы теплотехники.ти_ФРК (Темы 1-6) тест с ответами Синергия/МОИ/МТИ/МосТех/МОСАП УЧЕБНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Текущие Тема 1. Энергосбережение и ресурсосберегающие технологии Тема 2. Первый закон термодинамики, термодинамические процессы Тема 3. Второй закон термодинамики Тема 4. Особенности термодинамики открытых систем Тема 5. Теплосиловые циклы Тема 6. Основы химической термодинамики Итоговая аттестация Итоговый тест Уравнение, в котором указан тепловой эффект процесса,
Теоретические основы теплотехники МФПУ Синергия / Московский открытый институт (МОИ) / Московский технологический институт (МТИ) / МОСАП Тесты
User Скиталец : 10 января 2026
290 руб.
Физические основы электроники. Зачет. Билет № 2
Билет № 2 1. Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводнике. 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение. Электрический ток может возникнуть в полупроводнике только при направленном движении носителей заряда, которое создается либо под воздействием электрического поля (дрейф), либо вследствие неравномерного распределения носителей заряда по объему кристалла (диффузия).
СибГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User varyag : 5 мая 2015
60 руб.
Автоматизированный электропривод главного движения карусельного станка
Автоматизация Карусельного станка, вариант 2.3. Содержание Введение. Глава 1. Расчет и выбор силовых элементов 1.1. Выбор электродвигателя 1.2. Выбор силового преобразователя 1.3. Выбор сглаживающего дросселя 1.4. Определение коэффициента передачи и постоянных времени силовых элементов. Глава 2. Компоновка и расчет статики СЭП 2.1. Выбор структуры САУ ЭП 2.2. Построение функциональной схемы САУ 2.3. Расчет статических характеристик СЭП 2.4. Выбор элементов САУ и расчет па
Автоматизация (АТПП) Работа Курсовая ПИМаш
User paul89 : 4 января 2012
up Наверх