Лабораторная работа по физике “ Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников”.
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
19.09.2009
-
Размер:
93 KB
-
Покупок:
14
-
Добавил:
ChrisTref
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лабораторная работа № 4 Физика.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа по физике No4 (работа 6.8), вариант 6.
Тема работы: “ Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников”.
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
Вопрос 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вопрос 3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Тема работы: “ Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников”.
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
Вопрос 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вопрос 3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Лабораторная работа ЗАЧТЕНА в 2009.
Есть незначительные замечания к работе.
Замечания рецензированы красным шрифтом.
Преподаватель Грищенко.
Есть незначительные замечания к работе.
Замечания рецензированы красным шрифтом.
Преподаватель Грищенко.
Похожие материалы
Лабораторная работа 6.8. Физика - Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
antoxa231
: 15 марта 2025
Лабораторная работа №6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Черевко - зачёт
antoxa231
: 15 марта 2025
250 руб.
Лабораторная работа 6.8 по физике. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
madamm
: 11 июня 2008
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех те
madamm
: 11 июня 2008
200 руб.
Лабораторная работа 6.8 по физике «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №8
faraon666
: 9 февраля 2014
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
faraon666
: 9 февраля 2014
50 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
sasha92
: 9 июня 2014
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где и - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, и - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, и - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуетс
sasha92
: 9 июня 2014
50 руб.
Лабораторная работа №6.8 по физике(спецглавы) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
Zenkoff
: 25 марта 2014
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей з
Zenkoff
: 25 марта 2014
30 руб.
Лабораторная работа №6.8 по физике (спецглавы) "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант 08.
Jecksson
: 28 марта 2015
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Данные по пункту 4 для 8 варианта: Сила тока, мА - 8,6
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Jecksson
: 28 марта 2015
60 руб.
Лабораторная работа по физике № 3 (6.8) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 10 вариант
Despite
: 25 января 2013
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1)Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2) Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от ?
3) Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Despite
: 25 января 2013
60 руб.
Лабораторная работа по физике № 3 (6.8) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 3 вариант
Despite
: 25 января 2013
Лабораторная работа 6.8 3-й вариант!
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Despite
: 25 января 2013
60 руб.
Другие работы
Стойка. Задание №77. Вариант №16
bublegum
: 22 декабря 2020
Стойка Задание 77 вариант 16
Задание 77 вариант 16 Стойка
Выполнить чертеж с исправлением допущенных на нем ошибок.
3d модель и чертеж (все на скриншотах изображено) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19 и выше версиях компаса.
Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
bublegum
: 22 декабря 2020
100 руб.
Учет расчетов по оплате труда и анализ фонда оплаты труда на примере ресторана "Индиго"
evelin
: 8 сентября 2013
Содержание
Введение
Глава 1. Теоретические основы организации учета оплаты труда
1.1 Сущность, заработной платы, значение и задачи бухгалтерского учета оплаты
1.2 Виды, формы и системы оплаты труда
Глава 2. Бухгалтерский учет расчетов по оплате труда на примере ресторана «Индиго»
2.1 Технико-экономическая характеристика ресторана «Индиго»
2.2 Порядок начисления заработной платы персоналу предприятия
2.3 Порядок расчета удержаний, производимых из заработной платы
Глава 3. Анализ фонда оп
evelin
: 8 сентября 2013
45 руб.
Проект одноэтажного инструментального цеха
GnobYTEL
: 1 августа 2012
Введение 4
1 Исходные данные для проектирования 5
2 Генеральный план 6
3 Технологический процесс производства 7
4 Объемно-планировочное решение 8
5 Инженерное оборудование 11
6 Расчет оборудования бытовых помещений 12
7 Теплотехнический расчет 13
8 Светотехнический расчет 15
Список использованных источников 17
Приложение А 18
Исходные данные для проектирования
район строительства г. Пенза;
климатический район II В;
снеговой район III = 1,3 кПа;
ветровой район II = 0,30 кПа;
нормативная гл
GnobYTEL
: 1 августа 2012
44 руб.
Экзамен ЭМПиВ Билет №16
hbifn
: 6 марта 2015
1.Согласование линий передачи. Четвертьволновый трансформатор. Многоступенчатые, экспоненциальные трансформаторы. Согласование комплексных нагрузок.
2.Элементарный электрический излучатель возбужден током, амплитуда которого I = 1 А, частота f = 900 МГц. Определить амплитуды напряженностей электрического и магнитного полей в точке, расположенной на расстоянии r = 700 м от него, под углом . Длина излучателя L = 10 см. Среда, в которой находится диполь – вакуум.
3.При каких условиях наблюдается
hbifn
: 6 марта 2015
100 руб.
