Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Для всех вариантов

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon 1.doc
material.view.file_icon 2.doc
material.view.file_icon 3.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа No1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

5 Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике No2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике No3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.



Лабораторная работа No2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
1. Цель работы

Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

5. Содержание отчета
5.1 Тип исследуемого транзистора .
5.2 Схемы исследования.
5.3 Таблицы результатов измерений
5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать каждую из характеристик. Например, при построении выходных характеристик в схеме с ОЭ около каждой характеристики необходимо указать чему равен ток базы. Примеры графиков даны ниже.
5.5 Осциллограммы входного и выходного сигналов транзисторного усилителя для трех случаев (режим отсечки, режим насыщения, активный режим).
5.6 Сделать выводы по работе.



Лабораторная работа No3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
1. Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

5. Указания к составлению отчета
Отчет должен содержать:
5.1 Схемы исследований транзистора.
5.2 Таблицы с результатами исследований.
5.3 График характеристики прямой передачи
5.4 Семейство выходных характеристик
5.5 Определить крутизну в двух точках характеристики прямой передачи: при напряжении UЗИ= 0 В и UЗИ= 0,5∙UЗИ0
5.6 Привести осциллограммы работы усилителя

Дополнительная информация

Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 28.10.2024
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Лабораторная работа 1 Тема работы Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов ============================== Лабораторная работа 2 Тема работы Исследование статических характеристик биполярного транзистора ============================== Лабораторная работа 3 Тема работы Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
User Леший : 18 января 2021
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №1
2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов. 2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов. 2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Приме
User svladislav987 : 9 ноября 2021
200 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
Вариант №10 Лабораторная работа N1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. ============================================= Лабораторная работа N2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора =========
User IT-STUDHELP : 25 декабря 2022
400 руб.
promo
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №22
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1. Исследование полупроводниковых диодов при прямом включении 2. Исследование полупроводниковых диодов при обратном включении 3. Исследование стабилитрона 4. Исследование выпрямителя Отчет по лабораторной работе №2 Исс
User IT-STUDHELP : 29 декабря 2021
450 руб.
promo
Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
Вариант №10 Лабораторная работа N1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. ============================================= Лабораторная работа N2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора =========
User IT-STUDHELP : 25 декабря 2022
700 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10 promo
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы. Объем отчета составляет 2
User boeobq : 21 ноября 2021
55 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 1. Вариант 16.
Лабораторная работа 1 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля. Таблица П.1. 6 D14A D226D KT315V KP303D
User nik200511 : 28 февраля 2023
160 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Лабораторные работы №№1,4 по дисциплине: Электромагнитные поля и волны. Вариант №4
Лабораторная работа No1 Цель работы: Исследование влияния параметров реальных сред на процесс распространения электромагнитных волн. Задание для предварительного расчета: Для прямоугольного волновода сечением abмм, заполненного различными средами (смотреть таблицу 2), рассчитать для заданных в таблице 1 вариантов частотf: коэффициент затухания α, фазовую постоянную β, модуль характеристического сопротивления |Zс|, длину волны Λ и фазовую скоростьVф.напр. в прямоугольном волноводе, заполненном с
User IT-STUDHELP : 22 ноября 2021
600 руб.
promo
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА по дисциплине «Современные технологии программирования (часть 1)». Вариант №02.
Контрольная работа Тема: Последовательные контейнеры STL и модульное тестирование Цель: Сформировать практические навыки разработки абстракций данных на основе контейнеров STL и модульного тестирования средствами VisualStudio. Задание Реализовать обработку данных пользовательского типа (объектов класса) с помощью контейнера в соответствии с вариантом задания и со следующей спецификацией: • приложение заполняет контейнер данными, которые вводятся пользователем с консоли; • выводит содержимое кон
User teacher-sib : 14 июня 2022
450 руб.
promo
Проект автоцентра по сервисному обслуживанию автомобилей Хёндэ
Введение Технико-экономическое обоснование темы дипломной работы Характеристика предприятия Характеристика производственной базы предприятия Характеристика транспортных средств Организационная структура управления Общий технологический процесс заказа, ТО и ремонта Недостатки предприятия Технологическая часть Исходные данные Расчет годовых объемов работ Распределение годовых объемов работ по видам и месту выполнения Расчет численности рабочих Расчет числа постов Определение состава и площадей пом
User DoctorKto : 3 июля 2013
555 руб.
Проект автоцентра по сервисному обслуживанию автомобилей Хёндэ
Великие информатики
Презентация о 4-х личностях внёсших большой вклад в науку информатику: Касперский Евгений Валентинович. Дейкстра Эдсгер Вибе. Лебедев Сергей Алексеевич. Линус Бенедикт Торвальдс.
User DoctorKto : 24 февраля 2013
up Наверх