Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Для всех вариантов
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа No1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
5 Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике No2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике No3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.
Лабораторная работа No2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
5. Содержание отчета
5.1 Тип исследуемого транзистора .
5.2 Схемы исследования.
5.3 Таблицы результатов измерений
5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать каждую из характеристик. Например, при построении выходных характеристик в схеме с ОЭ около каждой характеристики необходимо указать чему равен ток базы. Примеры графиков даны ниже.
5.5 Осциллограммы входного и выходного сигналов транзисторного усилителя для трех случаев (режим отсечки, режим насыщения, активный режим).
5.6 Сделать выводы по работе.
Лабораторная работа No3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
5. Указания к составлению отчета
Отчет должен содержать:
5.1 Схемы исследований транзистора.
5.2 Таблицы с результатами исследований.
5.3 График характеристики прямой передачи
5.4 Семейство выходных характеристик
5.5 Определить крутизну в двух точках характеристики прямой передачи: при напряжении UЗИ= 0 В и UЗИ= 0,5∙UЗИ0
5.6 Привести осциллограммы работы усилителя
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
5 Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике No2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике No3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.
Лабораторная работа No2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
5. Содержание отчета
5.1 Тип исследуемого транзистора .
5.2 Схемы исследования.
5.3 Таблицы результатов измерений
5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать каждую из характеристик. Например, при построении выходных характеристик в схеме с ОЭ около каждой характеристики необходимо указать чему равен ток базы. Примеры графиков даны ниже.
5.5 Осциллограммы входного и выходного сигналов транзисторного усилителя для трех случаев (режим отсечки, режим насыщения, активный режим).
5.6 Сделать выводы по работе.
Лабораторная работа No3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
5. Указания к составлению отчета
Отчет должен содержать:
5.1 Схемы исследований транзистора.
5.2 Таблицы с результатами исследований.
5.3 График характеристики прямой передачи
5.4 Семейство выходных характеристик
5.5 Определить крутизну в двух точках характеристики прямой передачи: при напряжении UЗИ= 0 В и UЗИ= 0,5∙UЗИ0
5.6 Привести осциллограммы работы усилителя
Дополнительная информация
Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 28.10.2024
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 28.10.2024
Похожие материалы
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Леший
: 18 января 2021
Лабораторная работа 1
Тема работы
Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов
==============================
Лабораторная работа 2
Тема работы
Исследование статических характеристик
биполярного транзистора
==============================
Лабораторная работа 3
Тема работы
Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №1
svladislav987
: 9 ноября 2021
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Приме
200 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
IT-STUDHELP
: 25 декабря 2022
Вариант №10
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=========
400 руб.
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №22
IT-STUDHELP
: 29 декабря 2021
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1. Исследование полупроводниковых диодов при прямом включении
2. Исследование полупроводниковых диодов при обратном включении
3. Исследование стабилитрона
4. Исследование выпрямителя
Отчет по лабораторной работе №2
Исс
450 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
IT-STUDHELP
: 25 декабря 2022
Вариант №10
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=========
700 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
boeobq
: 21 ноября 2021
Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы.
Объем отчета составляет 2
55 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 1. Вариант 16.
nik200511
: 28 февраля 2023
Лабораторная работа 1
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля.
Таблица П.1.
6
D14A
D226D
KT315V
KP303D
160 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Другие работы
Труба утяжелённая бурильная стальная УБТС-146-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа-текст на украинском языке
leha.se92@mail.ru
: 3 февраля 2017
Труба утяжелённая бурильная стальная УБТС-146-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа-текст на украинском языке
276 руб.
Контрольная работа по дисциплине: История России. Вариант № 21
Amor
: 3 ноября 2013
III. ВОЗВЫШЕНИЕ МОСКВЫ. ФОРМИРОВАНИЕ ЕДИНОГО РУССКОГО ГОСУДАРСТВА
1.Что означают эти понятия.
АВТОКЕФАЛИЯ -
БОЯРСКАЯ ДУМА
"ДВОРЕЦ"
Дворяне
ДЬЯКИ
КАСИМОВСКИЕ ТАТАРЫ
КНЯЖАТА
КОРМЛЕНИЕ
КРЕМЛЬ
ПОМЕСТЬЕ
КРЕПОСТНИ́ЧЕСТВО
СОХА
ТРЕХПОЛЬЕ-
ТЯГЛО
ЦЕЛОВАЛЬНИК
ЧЕРНОСОШНЫЕ КРЕСТЬЯНЕ
2. Кому принадлежат эти имена.
Андре́й Рублёв
Аристотель Фиораванти
Афанасий Никитин
Василий II Темный
Дмитрий Донской
Иван Калита
Иван III
Иона
Марфа Посадница
Нил Сорский
Пересвет
Сергий Радонежский
Софья Палеоло
200 руб.
Современные технологии программирования (Часть 1-я). Зачёт. Билет №4
LowCost
: 1 февраля 2022
Билет №4
2.В контексте управления исключениями в C++ применяются ключевые слова:
a) free
b) catch
c) final
d) try
e) throw
5.Ключевое слово для обозначения блока кода, который может генерировать исключение
a) try
b) catch
c) throw
d) free
6.Прочтите программу и укажите, что будет выведено на экран
void func()
{ int* p = new int(8); throw p;}
int main(void )
{
try
{ func();}
catch(void*)
{ cout << "Exceptin class void*" << endl; }
catch( int)
{cout << "Exceptin class int" << endl;}
catch(
230 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Менеджмент и маркетинг в информационных технологиях. Вариант 4
Учеба "Под ключ"
: 2 октября 2016
4 вариант
1. При расчете параметров работ СГ табличным способом значение столбца 7 определяется как значение:
А. Столбца 5 минус столбца 3
В. Столбца 6 минус столбца 5
С. Столбца 6 минус столбца 4
2. При расчете параметров работ СГ табличным способом значение столбца 3 таблицы берется из:
А. Столбца 2 таблицы
В. Столбца 4 таблицы
С. Равно нулю для работ, выходящих из исходного события
3. Значение полного резерва времени работы по отношению к частному резерву времени работы может быть:
А. Больш
350 руб.