Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
-
Категории:
Электротехника и электроника, ДО СИБГУТИ, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
04.02.2025
-
Размер:
468 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
holm4enko87
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Комментарии: Оценка - отлично!
2024 ГОД
2024 ГОД
Похожие материалы
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
Roma967
: 11 октября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным канал
Roma967
: 11 октября 2015
350 руб.
Электротехника и электроника. Зачет. Билет №5
Damovoy
: 28 апреля 2022
Билеты к экзамену по курсу «Электротехника и электроника» для специальности «Безопасность технологических процессов и производств».
Билет 5
1. Классический метод расчета переходных процессов.
2. Выпрямительные диоды. Параметры. Устройство диодного выпрямителя
3. МДП транзисторы. Принцип работы. Характеристики, параметры
Damovoy
: 28 апреля 2022
110 руб.
Электротехника и электроника. Зачет. Билет №5
pvlaasuh
: 3 апреля 2017
Билет № 5
Для зачета по дисциплине "Электротехника и электроника"
1. Переходная характеристика цепи g(t). Ее применение.
Ответ:
Переходная характеристика цепи g(t) – временная характеристика. Однозначно определяет параметры линейной цепи, то есть по переходной характеристике можно найти другие характеристики: импульсную амплитудно-частотную, фазо-частотную.
Переходная характеристика это реакция цепи на единичное ступенчатое воздействие при нулевых начальных условиях.
pvlaasuh
: 3 апреля 2017
200 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №7
Учеба "Под ключ"
: 8 сентября 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передат
Учеба "Под ключ"
: 8 сентября 2017
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №18
Amor
: 21 октября 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
Amor
: 21 октября 2016
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №11
Roma967
: 25 сентября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа.
Roma967
: 25 сентября 2015
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: “Электротехника и электроника”. Билет №16
Jack
: 6 сентября 2014
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, к
Jack
: 6 сентября 2014
150 руб.
Зачет по дисциплине: Электротехника и электроника. Билет №5
Елена22
: 1 марта 2016
Билет №5
1. Переходная характеристика цепи g(t). Ее применение.
2. Определить i1(0+) - ток в момент коммутации.
E=10 B,
R=1 кОм.
Схема показана на рисунке (см. скрин)
Елена22
: 1 марта 2016
100 руб.
Другие работы
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 9 Вариант 1
Z24
: 7 декабря 2025
По трубопроводу (длина l, диаметр d, трубы стальные, сварные, умеренно заржавленные, Σξ = Σξ0) вода при t °C подается к пожарному брандспойту с расходом Q. Превышение обреза сопла над осью трубопровода равно h.
Определить необходимый диаметр сопла dc и избыточное давление в начальном сечении трубопровода ри, исходя из условия, что струя воды должна достигать высоты H. Сопротивлением воздуха пренебречь.
Z24
: 7 декабря 2025
200 руб.
Системное программное обеспечение Лабораторные работы 1,2,3 Вариант 6
aiki
: 31 января 2020
Лабораторная 1. Аппаратное обеспечение современного компьютера
Лабораторная 2 Необходимые сведения об операционных системах
Лабораторная 3 Представление данных в компьютере
aiki
: 31 января 2020
500 руб.
Технология структур кремния на изоляторе
alfFRED
: 16 сентября 2013
Введение
1. Преимущества технологии КНИ
2. Конструктивное исполнение структур КНИ
3. Технологии создания структур КНИ
3.1 Ионное внедрение
3.2 Сращивание пластин
3.3 Управляемый скол
3.4 Эпитаксия
4. Технологический маршрут и операции получения структур КНИ методом управляемого скалывания
5. Использование технологии КНИ в технике
6. Перспективы
Список литературы
Введение
Структура КНИ представляет собой технологию изготовления полупроводниковых приборов, основанной на п
alfFRED
: 16 сентября 2013
10 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Экзаменационная работа. Экзамен. Билет 7
holm4enko87
: 3 декабря 2024
1. Спектр периодического сигнала произвольной формы. Ряд Фурье.
2. Определить UL(0+).
E=10 B,
R=2 кОм.
holm4enko87
: 3 декабря 2024
200 руб.
