Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon E738E1AF-0892-4DDB-9628-CEF07A18E6D3.rar [ 191 KB ]
material.view.file_icon Электроникаэкзамен.3семестр2вариант.doc [ 360 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.

Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Жидкокристаллические индикаторы составляют особую группу индикаторных приборов. В этих приборах используются вещества, имеющие свойства, промежуточные между свойствами твердого кристалла и жидкости. Эти свойства проявляются в том, что в определенном диапазоне температур вещество может образовывать капли, не имеет формы для большого объема и, кроме этого, обладает анизотропией различных свойств: характеризуется различными для разных направлений сопротивлениями, диэлектрическими постоянными показателями преломления.

Дополнительная информация

2010 год, Игнатов А.Н., зачет.

Похожие материалы

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alex-180672 : 14 апреля 2011
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника» 1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели. Принцип действия излучающих полупроводнико
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sibgutimts : 22 июня 2010
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Sandra197 : 9 января 2016
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. При
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User astor : 25 мая 2015
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User настя2014 : 16 января 2015
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Применение генераторов тока в ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User user888 : 21 апреля 2013
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и
Электроника Работа Экзаменационная
User VaS3012 : 24 сентября 2012
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и кан
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 20 апреля 2012
350 руб.

Другие работы

Термодинамика и теплопередача ИРНИТУ 2019 Задача 1 Вариант 90
Считая теплоемкость идеального газа зависящей от температуры, определить: параметры газа в начальном и конечном состояниях, изменение внутренней энергии, теплоту, участвующую в процессе и работу расширения. Исходные данные, необходимые для решения задачи, выбрать из таблицы 1. Указание: зависимость величины теплоемкости от температуры дана в табл. (приложение Б).
Задачи Теплотехника
User Z24 : 9 апреля 2026
200 руб.
Термодинамика и теплопередача ИРНИТУ 2019 Задача 1 Вариант 90
МОСКОВСКИЙ ПОЛИТЕХ Теоретическая механика Задание Д4 Вариант 14
ЗАДАНИЕ Д-4 Плоскопараллельное движение твердого тела Барабан радиуса R весом P имеет проточку (как у катушки) радиуса r = 0,5R (рис.4.1, табл. Д-4). К концам намотанных на барабан нитей приложены постоянные силы и , направления которых определяются углом β. Кроме сил на барабане действует пара с моментом M. При движении, начинающимся из состояния покоя, барабан катится без скольжения по шероховатой наклонной плоскости с углом наклона α так, как показано на рисунках. Пренебрегая сопро
Задачи Теоретическая механика
User Z24 : 4 марта 2026
220 руб.
МОСКОВСКИЙ ПОЛИТЕХ Теоретическая механика Задание Д4 Вариант 14
Проектирование защищенных телекоммуникационных систем. Контрольная работа. Проектирование защищенной телекоммуникационной системы ООО "Торекс"
Разработать проект ЗТКС (с учетом требований информационной безопасности [1]) предприятия ООО «Х». При этом необходимо разместить выбранное Вами оборудование, в соответствии со структурной схемой ЛВС (рисунок 2) на площадях предприятия (рисунок 1). Причем в помещениях под номерами 1, 2, 3 должен быть реализован беспроводный доступ к сети (с помощью беспроводного маршрутизатора)
Проектирование и эксплуатация сетей связи ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User mirsan : 9 декабря 2016
500 руб.
Лабораторная работа №1 На тему: Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера По дисциплине: Физика Вариант №4
Лабораторная работа №1 На тему: Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера По дисциплине: Физика Вариант №4 Задание Выбрать линзу “Л2”, задав фокусное расстояние L от 25 до 35 см. Получить интерференционную картину на экране. Установить красный светофильтр. Измерить расстояние l1 от середины максимума первого порядка до середины центрального максимума по шкале экрана. Записать полученное значение в отчет по лабораторной работе. Повторить измерения для максимума вт
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Dhtvc : 14 октября 2020
200 руб.
up Наверх