Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
19.12.2010
-
Размер:
191 KB
-
Покупок:
31
-
Добавил:
qawsedrftgyhujik
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Электроникаэкзамен.3семестр2вариант.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Жидкокристаллические индикаторы составляют особую группу индикаторных приборов. В этих приборах используются вещества, имеющие свойства, промежуточные между свойствами твердого кристалла и жидкости. Эти свойства проявляются в том, что в определенном диапазоне температур вещество может образовывать капли, не имеет формы для большого объема и, кроме этого, обладает анизотропией различных свойств: характеризуется различными для разных направлений сопротивлениями, диэлектрическими постоянными показателями преломления.
СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Жидкокристаллические индикаторы составляют особую группу индикаторных приборов. В этих приборах используются вещества, имеющие свойства, промежуточные между свойствами твердого кристалла и жидкости. Эти свойства проявляются в том, что в определенном диапазоне температур вещество может образовывать капли, не имеет формы для большого объема и, кроме этого, обладает анизотропией различных свойств: характеризуется различными для разных направлений сопротивлениями, диэлектрическими постоянными показателями преломления.
Дополнительная информация
2010 год, Игнатов А.Н., зачет.
Похожие материалы
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
alex-180672
: 14 апреля 2011
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
alex-180672
: 14 апреля 2011
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
sibgutimts
: 22 июня 2010
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
Принцип действия излучающих полупроводнико
sibgutimts
: 22 июня 2010
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Sandra197
: 9 января 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передато
Sandra197
: 9 января 2016
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
astor
: 25 мая 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
При
astor
: 25 мая 2015
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
настя2014
: 16 января 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
настя2014
: 16 января 2015
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
user888
: 21 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Применение генераторов тока в ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
user888
: 21 апреля 2013
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
VaS3012
: 24 сентября 2012
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и
VaS3012
: 24 сентября 2012
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Ekaterina-Arbanakova
: 20 апреля 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и кан
Ekaterina-Arbanakova
: 20 апреля 2012
350 руб.
Другие работы
Диэлектрические композиты на основе модифицированного субмикронного титаната бария и цианового эфира ПВС
Elfa254
: 28 сентября 2013
Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
1.1 Органо-неорганические композиционные материалы
1.2 Диэлектрические материалы
1.2.1Основные виды диэлектрических материалов
1.2.2 Основные типы и особенности сегнетоэлектриков
1.2.3 Важнейшие характеристики диэлектриков
1.2.4 Факторы, влияющие на свойства диэлектрических материалов
1.3 Материалы с высокой диэлектрической проницаемостью
1.3.1 Диэлектрические полимерные материалы
1.3.2 Неорганические диэлектрические материалы
1.3.3 Титанат
Elfa254
: 28 сентября 2013
Дослідження основних етапів програмування крана – маніпулятора
SerFACE
: 11 декабря 2013
Тема: дослідження основних етапів програмування крана – маніпулятора
Мета: ознайомитися з режимами і прийомами роботи крана маніпулятора; навчитися самостійно складати програму керування, редагування і підраховувати робочу програму.
Хід роботи
Лабораторна робота виконується за допомогою комп’ютерної програми «CARGO».
Програма керувань складається з команд операторів:
R – переміщення робочого органу на 1 крок праворуч
L - переміщення робочого органу на 1 крок ліворуч
U – переміщення р
SerFACE
: 11 декабря 2013
5 руб.
Шпоры по Основам Российского закондательства
alfFRED
: 7 мая 2013
Вопросы к зачету по дисциплине «Правоведение»
Теория происхождения государства и права.
Правовое государство, функции государства.
Суверенитет государства: понятие и основные его черты.
Право: понятие, сущность, функции.
Норма права: понятие, виды и структура правовых норм.
Источники (формы) права, нормативные акты, их виды.
Понятие отрасли права, системы права, основные отрасли права.
Правоотношения, его содержание и участники.
Правонарушения и юридическая ответственность.
Конституционный строй
alfFRED
: 7 мая 2013
11 руб.
Презентация - Дебиторская задолженность
OstVER
: 18 сентября 2012
Понятие
Состав дебиторской задолженности
Формирование задолженности
примеры
проводки по задолженности по договору с особым порядком перехода права собственности
задолженность, выраженную в условных денежных единицах
задолженность, оформленную векселем
выданные авансы
Погашение или списание дебиторской задолженности
Создание резерва и списание его
OstVER
: 18 сентября 2012
2 руб.
