Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Вариант 6
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №6.8 вариант 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением...
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на ....
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С.....
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением...
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на ....
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С.....
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
2011 г.
Вариант 6
Грищенко И.В.
Лабораторная работа 6.8 выполнена верно, замечаний нет. Лабораторная работа 6.8 зачтена.
Вариант 6
Грищенко И.В.
Лабораторная работа 6.8 выполнена верно, замечаний нет. Лабораторная работа 6.8 зачтена.
Похожие материалы
Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (часть 2-я). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №6
IT-STUDHELP
: 23 июня 2017
Вариант No6
Сила тока, мА = 7
Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные за
240 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
Учеба "Под ключ"
: 29 декабря 2016
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА
Вывод
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести фор
250 руб.
Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (спец.главы). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант № 6. 2-й семестр.
vindemia
: 13 сентября 2014
1.Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2.Теоретическое введение.
3.Описание лабораторной установки.
Сила тока I = 7мА.
4.Экспериментальные результаты.
Выводы
5.Ответы на контрольные вопросы.
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/T?
3.Вывес
120 руб.
Лабораторная работа №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников по дисциплине: Физика. Вариант № 6
Fatony
: 6 июня 2012
Лабораторная работа №6.8 вариант № 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источн
45 руб.
Лабораторная работа №6.8. 6-й вариант. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников По дисциплине: Физика
Ирина47
: 2 мая 2015
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением:
, (1)
где:
q+ и q- – соответственно заряд свободных положительных и свободных отрицательны
45 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 2(12)
Amor
: 20 октября 2013
1. Схема рассчитываемого усилителя.
2. Выбор режима работы транзистора.
3. Расчет цепей питания по постоянному току (сопротивлений схемы).
4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току (с обоснованием процесса построения).
5. Определение входного сопротивления усилительного каскада по переменному току.
6. Расчет стабилизации режима работы транзистора.
Список литературы
Условия задания смотрите на скрине!
450 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача С1 Рисунок 2 Вариант 6
Z24
: 7 ноября 2025
Равновесие произвольной плоской системы сил (Определение реакций опор твёрдого тела)
Найти реакции опор конструкции, схема которой изображена на рис. С1.0–С1.9. Необходимые исходные данные представлены в таблице С1.
150 руб.
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 34 Вариант 3
Z24
: 5 января 2026
По трубе диаметром d течёт жидкость Ж. Коэффициент кинематической вязкости равен ν, температура Ж 20°С. Объёмный расход равен Q.
Определить режим течения жидкости.
120 руб.
Чертежи конвейера
13048622
: 19 декабря 2011
Деталировка привода конвейера, сборочный чертеж, муфта и спецификация