Контрольная работа № 4 по физике 2 семестр Вариант 07
-
Категории:
СибГУТИ, Физика. Физика математическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
13.05.2011
-
Размер:
322 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
geidenreich
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
kontr4 pr.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No707.Над серединой чертёжной доски, образующей с горизонтальной плоскостью угол в 30o, на высоте 2 м висит лампа с силой света 200 кд. Определить освещённость, яркость и светимость листа бумаги на доске, если коэффициент отражения бумаги 60%. Лампы считать точечными источниками света.
Задача No717. Как и во сколько раз изменится поток излучения абсолютно чёрного тела, если максимум испускательной способности переместится с красной границы видимого спектра ( нм) на фиолетовую ( нм)?
Задача No727. На поверхность металла падает монохроматический свет с длиной волны мкм. Красная граница фотоэффекта мкм. Какая доля энергии фотона расходуется на сообщение электрону кинетической энергии?
Задача No737.Задача No747.Задача No757.Задача No807.Задача No827.
Задача No717. Как и во сколько раз изменится поток излучения абсолютно чёрного тела, если максимум испускательной способности переместится с красной границы видимого спектра ( нм) на фиолетовую ( нм)?
Задача No727. На поверхность металла падает монохроматический свет с длиной волны мкм. Красная граница фотоэффекта мкм. Какая доля энергии фотона расходуется на сообщение электрону кинетической энергии?
Задача No737.Задача No747.Задача No757.Задача No807.Задача No827.
Дополнительная информация
2011, СибГУТИ, Стрельцов А.И., зачет без замечаний
Другие работы
Электроника, Экзамен, Вариант 18
artinjeti
: 28 октября 2018
Экзаменационная работа по электронике
I. Эквивалентные схемы полевых транзисторов
II. 1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
artinjeti
: 28 октября 2018
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 33
Z24
: 1 января 2026
Круглое отверстие в вертикальной стенке закрытого резервуара с водой перекрыто сферической крышкой. Радиус сферы R = (0,5 + 0,02·y) м. угол α = (120 + 0,1·z)º, глубина погружения центра тяжести отверстия H = (1,0 + 0,1·y) м.
Определить давление воды на крышку, если на свободной поверхности рм = (147 + 0,2·z) = 148,8 кПа (рис. 4).
Z24
: 1 января 2026
200 руб.
Капитилистическое развитие Японии в конце 19 - начале 20 вв.
Aronitue9
: 16 февраля 2013
Министерство общего и профессионального образования Саратовская Государственная Экономическая Академия Кафедра экономической и политической истории Р е ф е р а т на тему Подготовил студент 3-го курса 1 группа ФЭАПП Голубев С. H. Проверил Гусарова Л. Ф. Cаратов 1999 Буржуазная революция 1867-1868 гг.
Реставрация Мэйдзи открыла новую историческую полосу в жизни Японии. Сильные феодальные пережитки еще сохранились, однако ликвидация феодальной раздробленности, уничтожение крупного феодального земл
Aronitue9
: 16 февраля 2013
19 руб.
Материаловедение и технология материалов
VikkiROY
: 17 апреля 2011
Курс лекций по дисциплине
“Материаловедение и технология материалов”
Часть 1 Технология материалов
Тема 1 Основы металлургического производства
Тема 4 Теоретическое материаловедения
Тема 5 Практическое материаловедение
Часть 2 Технология материалов
Тема 1 Основы получения металлических заготовок
VikkiROY
: 17 апреля 2011
5 руб.
