Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
06.09.2011
-
Размер:
94 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Murlishka
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
47B8F70E-4625-49D5-9C3D-880A873657E6.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Дополнительная информация
2010, СибГУТИ зачтено
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Теория массового обслуживания. Контрольная работа. Вариант №04
MN
: 1 февраля 2014
Задача 1. В учениях участвуют два корабля A и B, которые одновременно производят выстрелы друг в друга через равные промежутки времени. При каждом обмене выстрелами корабль A поражает корабль B с вероятностью 0.6, а корабль B поражает корабль A с вероятностью 0.75. Предполагается, что при любом попадании корабль выходит из строя. Определить матрицу вероятностей переходов, если состояниями цепи Маркова являются комбинации: Е1 – оба корабля в строю, Е2 – в строю только корабль A, Е3 – в строю толь
MN
: 1 февраля 2014
400 руб.
Системы коммутации. Курсовая работа. Проект ЦС СТС на базе SI 2000 V.5. Вариант: 1
Teuserer
: 2 февраля 2017
1. Назначение АТС: центральная станция типа SI-2000 V.5
2. Емкость станции:
2.1. Количество абонентов, включенных в центральную АТС: 5010
2.2. Количество местных таксофонов: 15
2.3. Количество междугородных таксофонов: 4
2.4. Количество кабин переговорных пунктов: 15
2.5. Количество оконечных устройств передачи данных: 12
2.6. Количество пользователей ISDN:
доступ 30B+D: 2
доступ 2B+D: 18
2.7. УПАТС, включенные в ЦС:
типа Мультиком D-4000 емкостью 305
3.Сведения о группах удаленных абонентов,
Teuserer
: 2 февраля 2017
70 руб.
Книга. Функции и свойства
Aronitue9
: 23 августа 2012
Оглавление
Введение. 3
Глава 1. Определение понятия «книга» 5
Глава 2. Функции книги 19
Глава 3. Свойства книги 29
Заключение. 36
Библиографический список 37
Книга с древнейших времен сопровождает и подталкивает мыслительную деятельность человека. На раннем – рукописном – этапе книга обладала ин-формационной и когнитивной функциями, позволяя передать накопленную информацию потомкам.
После изобретения печатного станка книга получает новый виток развития. Теперь становится возможным выпускат
Aronitue9
: 23 августа 2012
20 руб.
Информационные технологии управления
тантал
: 3 августа 2013
- ИН, 24 задания по 5 тестовых вопроса
ЗАДАНИЕ №1.
Вопрос № 1. Что должна обеспечивать идеальная управленческая информационная система?
1) интеграцию функций управления на всех уровнях управления;
2) обеспечивать связь между различными уровнями;
3) обеспечивать связь по горизонтали в рамках всей фирмы в целом;
4) обеспечивать связь применительно к планированию, руководству, осуществлению операций, контролю;
5) все вышеперечисленное.
Вопрос № 2. Для чего используются управленческие информационн
тантал
: 3 августа 2013
100 руб.
