Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
06.09.2011
-
Размер:
94 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
Murlishka
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
47B8F70E-4625-49D5-9C3D-880A873657E6.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Дополнительная информация
2010, СибГУТИ зачтено
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Политический конфликт
alfFRED
: 25 июня 2013
Содержание
Введение………………………………………………………………………..….3
1.Источники и формы политических конфликтов………..........……………….4
2.Структура политического конфликта…………………………...........………..7
3.Способы и методы разрешения конфликтов……..........……………………...8
4.Особенности политического конфликта в России……..........………………10
Заключение……………………………………………………………………….14
Список литературы………………………………………………………………15
Современная наука о конфликтах представляет собой обширную область знаний, где среди прочих проявлений
alfFRED
: 25 июня 2013
5 руб.
Развитие познавательной самостоятельности учащихся при работе с историческим текстом
VikkiROY
: 29 октября 2012
Введение
Глава первая. Психолого-педагогические и методические аспекты проблемы
Психолого-педагогические основания активизации познавательной деятельности школьников
Исторические тексты, используемые в ходе учебного процесса, и требования, предъявляемые к ним
Исторический документ и его виды
Требования, которым должен отвечать исторический текст
Документально-методические комплекты
Развитие идеи применения исторических документов в образовательных и развивающих целях
Разработки отечественны
VikkiROY
: 29 октября 2012
10 руб.
Разработка системы управления многосвязных систем автоматического регулирования исполнительного уровня
OstVER
: 6 декабря 2012
Неуклонный рост материальных и духовных потребностей общества стимулирует развитие всех видов науки, техники и промышленных технологий. В результате этого происходит модернизация старых и создание новых технических средств и систем различного целевого назначения. От устаревших их отличают улучшенные потребительские и эксплуатационно-технические характеристики (производительность, точность, сложность функций и качество их исполнения, энергопотребление, надежность, конструктивная сложность, число
OstVER
: 6 декабря 2012
5 руб.
Рынок ценных бумаг.Тест Синергия 2023г (97 баллов)
annaserg
: 12 августа 2024
Сдано на 97 баллов в 2023г. Верно 29 из 30.Скриншот с отметкой прилагается к работе. Ответы выделены цветом.
После покупки Вы получите файл с ответами на вопросы которые указаны ниже:
1. Дивиденды по акциям устанавливаются по отношению
к курсовой стоимости акции на дату, официально объявленную АО
к цене, по которой производилось размещение акций (эмиссионной цене)
к сумме, специально сговоренной условиями выпуска акций
к номиналу акции независимо от ее курсовой стоимости
2. Общим между догово
annaserg
: 12 августа 2024
199 руб.
