Лабораторная работа по физике № 4. 2-й семестр. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon EAD661EE-DC1C-4773-A0B2-76A201659618.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Отчет по лабораторной работе 6.8

Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,

и, поскольку полупроводник собственный, то

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый ,Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Контрольная работа №1 по Архитектуре вычислительных систем, Вариант №1
Глава 1. Способы организации и типы ВС 1.1. Какие бывают виды внешних устройств ВС? 1.2.Какие требования к ВС предъявляют задачи обработки и хранения данных? Задача. Самостоятельно рассмотрите указанную область применения в плане предьявляемых ею требований к ВС. Глава 2. Параллельная обработка информации. 1. Какие в настоящее время существуют классы ВС с мелкозернистым параллелизмом? Все задания и вопросы для варианта №1.
User sonya555941 : 15 сентября 2015
75 руб.
Направляющие системы электросвязи. Лабораторная работа №2, Вариант № 1.ДО, Семестр 4-й
ИССЛЕДОВАНИЕ ДИСПЕРСИОННЫХ ИСКАЖЕНИЙ ИМПУЛЬСОВ В ОПТИЧЕСКОМ ВОЛОКНЕ . ЦЕЛЬ РАБОТЫ Целью работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию влияния составляющих дисперсии на временные параметры передаваемых оптических импульсов: - модовой дисперсии ступенчатых оптических волокон; - модовой дисперсии градиентных оптических волокон; - материальной составляющей хроматической дисперсии; - волноводной составляющей хроматической дисперсии; - профильной составляющей хроматической дисп
User Игуана : 6 февраля 2013
105 руб.
Проблема использования монографических и сравнительных исследований в современных условиях
В исследованиях отдельных случаев для выделения уникальных путей решения проблем использование традиционных методов становится недостаточным. Ведь эти методы базируются на обобщении массовой статистики, использовании сложных математических моделей. Выход из этой ситуации представлен в социологии, которая изредка практикует так называемый монографический метод. Возможности монографического исследования обеспечивают понимание происходящих процессов, во-первых,в условиях высокодинамичного окружения
User alfFRED : 10 февраля 2014
10 руб.
Использование мобильного маркетинга для стимулирования продаж товаров массового спроса. "Товар по замыслу", "товар с подкреплением"
1. Вы владелец кинотеатра. Кто Ваши конкуренты? Если раньше кинотеатры считались довольно таки убыточным бизнесом, то на сегодня его развитие очень динамичное. Это и не странно, потому что владельцы кинотеатров получают очень неплохую прибыль, что является целью каждого бизнесмена. Многие сегодня предпочитают смотреть хорошие фильмы на больших экранах с хорошим качеством звука. А если это премьера фильма, то в большинстве кинозалах свободных мест просто не найти. Но перед тем как открывать так
User Elfa254 : 13 октября 2013
10 руб.
up Наверх