Лабораторная работа по физике № 4. 2-й семестр. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon EAD661EE-DC1C-4773-A0B2-76A201659618.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Отчет по лабораторной работе 6.8

Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны

Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,

и, поскольку полупроводник собственный, то

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый ,Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Задание 77. Вариант 4 - Серьга. Исправление ошибок на чертеже
Возможные программы для открытия данных файлов: WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar) КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d Любая программа для ПДФ файлов. Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007. Задание 77. Вариант 4 - Серьга. Исправление ошибок на чертеже Выполнить чертеж с исправлением допущенных на нём ошибок. В состав выполненной работы входят 4 файла: 1. 3D модель детали, выполненная по данному заданию, расширение файла *
100 руб.
Задание 77. Вариант 4 - Серьга. Исправление ошибок на чертеже
Оперативно-производственное планирование на предприятии
Введение Теоретические аспекты оперативно-производственного планирования Место оперативно-производственного планирования в планировании на предприятии Сущность и задачи оперативно-производственного планирования на предприятии Виды оперативно-производственного планирования Методические основы оперативно-производственного планирования на предприятии Методы разработки оперативных планов производства Нормы и нормативы в оперативном планировании Системы оперативно-календарного планирования Оперативно
User Aronitue9 : 15 мая 2012
20 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика Хабаровск ТОГУ Задача 5 Вариант 5
В закрытом резервуаре с водой, температура которой 20 ºС, при помощи воздушной подушки поддерживается избыточное давление р0. Каковы показания ртутного манометра h, который установлен таким образом, что нижний уровень ртути находится на H ниже уровня воду в резервуаре (рис.4).
User Z24 : 26 ноября 2025
150 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика Хабаровск ТОГУ Задача 5 Вариант 5
Зарождение русской философии
Русская философия уже на ее начальном этапе характеризуется включенностью в мировые цивилизационные процессы. Философская традиция в Древней Руси формировалась по мере того, как развивалась традиция общекультурная. Облик древнерусской культуры в решающей степени определялся важнейшим историческим событием - крещением Руси. Усвоение византийского и южнославянского духовного опыта, становление письменности, новые формы культурного творчества - все это звенья единого культурного процесса, в ходе ко
User OstVER : 17 ноября 2012
5 руб.
up Наверх