Лабораторная работа по физике № 4. 2-й семестр. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
18.01.2012
-
Размер:
153 KB
-
Покупок:
22
-
Добавил:
ramzes14
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
EAD661EE-DC1C-4773-A0B2-76A201659618.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по лабораторной работе 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
и, поскольку полупроводник собственный, то
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
и, поскольку полупроводник собственный, то
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый ,Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый ,Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Газотурбинные установки ТОГУ 2018 Вариант 75
Z24
: 2 февраля 2026
Расчет теоретического и действительного циклов ГТУ
Выполняется расчет простого цикла ГТУ для условной двухвальной установки. Схема установки и теоретический цикл в координатах «давление — удельный объем » представлены на рис. 1.
Исходные данные:
— параметры окружающей среды р0=0,1 МПа; Т0=293 К;
— степень повышения давления в компрессоре πК;
— степень повышения температуры в КС θ;
— изоэнтропический (адиабатический) КПД компрессора ηК;
— внутренний КПД турбины ηТ.
При ра
Z24
: 2 февраля 2026
700 руб.
Конституция в зарубежных странах
Aronitue9
: 23 августа 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение…………………………………………………………………………………...3
Глава 1. Понятие конституции. Возникновение первых конституций в зарубежных странах………………………………………………………..……………………………5
1.1. Значение конституции в законодательной деятельности...…………………...6
1.2. Функции конституции……………………...……………………………………8
Глава 2. Содержание конституций...……………………………………………………..9
Глава 3. Классификация конституций………………………………………………….11
3.1. Разделение по форме…………………………………………………………....12
3.2. Конституционные реформы……………
Aronitue9
: 23 августа 2012
20 руб.
Философия бизнеса
tanya090388
: 22 октября 2017
Выполнение контрольной работы является необходимым видом самостоятельной деятельности при изучении курса.
Учебный курс «Философия бизнеса» имеет три модуля. Каждый модуль содержит лекции, тексты дополнительной литературы и тесты (по изданию: Томилов В. В. Культура предпринимательства. Учебное пособие. — СПб.: Издательство «Питер», 2000. — 176 с.).
Модуль 1
Оценка специалиста на соответствие его индивидуальных особенностей основным чертам профессии руководителя (бизнесмена).
Оценка способнос
tanya090388
: 22 октября 2017
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Теория языков программирования и методы трансляции. Билет №3 2022 г.
Alexey312451
: 19 марта 2024
Билет No3
1) Алгоритм преобразования грамматики к каноническому виду; подробно – алгоритмы устранения пустых правил и циклов. Проиллюстрировать на примере (пример должен быть свой).
2) Табличные распознаватели языков – общая характеристика, алгоритм Кока-Янгера-Касами. Проиллюстрировать на примере (пример должен быть свой).
3) Дана грамматика G ({+,–,/,*,a,b,(,)}, {S, R, T, F, E}, P, S), где правила P:
S TTR, R +T–T+TR–TR
T EEF, F *E/E*EF/EF
E (S)ab.
Выполнить нисходящий разбор с возвр
Alexey312451
: 19 марта 2024
300 руб.
