Лабораторная работа по физике № 4. 2-й семестр. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
18.01.2012
-
Размер:
153 KB
-
Покупок:
22
-
Добавил:
ramzes14
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
EAD661EE-DC1C-4773-A0B2-76A201659618.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по лабораторной работе 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
и, поскольку полупроводник собственный, то
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
и, поскольку полупроводник собственный, то
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый ,Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый ,Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Единая концепция стиля как объединение позиции когнитивного, деятельного и личностного подходов
evelin
: 15 октября 2013
1. Единая концепция стиля как объединение позиции когнитивного, деятельного и личностного подходов
2. Дифференциальная психология и психотерапия
3. Социальная идентификация в кризисном обществе
4. Роль темперамента в трудовой и учебной деятельности человека
5. Минесотский многомерный личностный опросник (методика MMPI)
Список литературы
1. Единая концепция стиля как объединение позиции когнитивного, деятельного и личностного подходов
С 1948 по 1954 г. В.С.Мерлин работал в Казанском универс
evelin
: 15 октября 2013
Проектування та розрахунок виконання земляних робіт ділянкою розміром 160х120 м
OstVER
: 30 сентября 2013
Згідно завдання на навчальний курсовий проект необхідно спланувати площадку розміром 160х120 м з нульовим балансом земляних мас, тобто без ввозу додаткової землі чи вивозу надлишку за межі площадки.
Рельєф площадки заданий горизонталями з кроком 0,5 м. Спланована площадка повинна мати проектні ухили вздовж більшої сторони і1=0,004 та вздовж короткої сторони і2=0,004 (дивись завдання).
Ґрунти на площадці представлені супісками.
На сторонах квадратів, які мають робочі відмітки різних знаків графіч
OstVER
: 30 сентября 2013
40 руб.
Модернизация разбрасывателя удобрений ПРТ-10
mihanxxx
: 22 апреля 2020
Анализ современного вопроса механизации внесения твердых органических удобрений показал, что для внесения удобрений используются разбрасыватели, различные по конструкции и типу применяемых рабочих органов
Предложенная конструкция разбрасывателя требует изменения конструкции рабочих органов. Применение предлагаемого устройства позволит улучшить равномерность внесения удобрений и увеличить ширину захвата, что приведет в конечном итоге к повышению урожайности, снижению себестоимости сельскохозяйств
mihanxxx
: 22 апреля 2020
600 руб.
Экзамен.Макроэкономика. Вариант №2
7059520
: 21 марта 2015
Смотрите фото
1. Фаза кризиса характеризируется:
а) падением цен, переполнением рынка товарами.
б) резким сокращением объемов производства.
в) массовым банкротством и гибелью множества предприятий.
г) ростом безработицы и снижением заработной платы.
д) паникой на фондовой бирже и массовым падением курса акций.
е) кризисом кредитной системы, массовым банкротством банков и резким ростом ссудного процента.
Ответьте на вопросы:
1. Чем обусловливается необходимость существования единой международн
7059520
: 21 марта 2015
50 руб.
