Экзаменационная работа по электронике. Билет 14
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
06.02.2012
-
Размер:
88 KB
-
Покупок:
46
-
Добавил:
sanco25
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен по электронике. Билет 14..doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
В ПТ управление выходным током происходит под действием электрического поля. У полевых транзисторов со структурой МДП изменение выходного тока происходит за счет изменения концентрации носителей заряда.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
В ПТ управление выходным током происходит под действием электрического поля. У полевых транзисторов со структурой МДП изменение выходного тока происходит за счет изменения концентрации носителей заряда.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 20.01.2010
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 20.01.2010
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Экзаменационная работа по электронике
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные х
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Jurgen
: 12 января 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным
Jurgen
: 12 января 2012
170 руб.
Экзаменационная работа по электронике
nikodum
: 15 января 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и канал
nikodum
: 15 января 2011
150 руб.
Экзаменационная работа. Электроника.
Entimos
: 16 ноября 2018
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
Entimos
: 16 ноября 2018
75 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
rambox360
: 25 января 2016
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
rambox360
: 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
Teuserer
: 18 декабря 2015
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
Teuserer
: 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
pepol
: 16 декабря 2014
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
pepol
: 16 декабря 2014
50 руб.
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
SybNet
: 14 ноября 2012
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-
SybNet
: 14 ноября 2012
100 руб.
Другие работы
Основы проектирования и эксплуатации телекоммуникационных систем. Контрольная работа. Вариант 05
Romansuba
: 12 сентября 2020
Задача 1.
Рассчитать межстанционную нагрузку на ГТС по исходным данным из таблицы 1.
Задача 2.
Рассчитать емкость пучков соединительных линий на участках межстанционной связи. Расчет провести по результатам, полученным при решении задачи 1.
Задача 3.
Найти оптимальную трассу прокладки оптического кольца на сетке улиц города, используя результат расчетов задачи 2 и значения координат расположения ОС из таблицы 2.
Задача 4.
Разработать комплектацию мультиплексора ввода/вывода, заданного в таблице
Romansuba
: 12 сентября 2020
500 руб.
Курбатская Н.А. Основы гидравлики БГИТУ Задача 2.9 Вариант 43
Z24
: 15 января 2026
В результате опытной перекачки воды по горизонтальному трубопроводу диаметром, d, см, длиной, L, м, при измеренной разности давлений в начальном и конечном сечениях р1—р2, ат, получен расход Q, л/с. Температура воды 43ºС.
Определить величину эквивалентной шероховатости.
Z24
: 15 января 2026
200 руб.
Курсовая работа «Проектирование ГТС на базе SDH» по дисциплине «Сети связи» 10-й Вариант
gudrich
: 31 марта 2012
Содержание.
Задание к курсовому проекту. ………………………………………………… 2 стр.
Введение. ……………………………………………………………………….. 3 стр.
1. Разработка схемы построения ГТС. ……………………………………….. 4 стр.
1.1. Анализ способов построения телефонных сетей общего пользования. ... 4 стр.
1.2. Обоснование выбора способа построения проектируемой сети. ……….. 7 стр.
1.3. Разработка нумерации абонентских линий. ………………………………. 9 стр.
2. Расчет интенсивности нагрузки. …………………………………………… 12 стр.
2.
gudrich
: 31 марта 2012
300 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 1 Вариант 41
Z24
: 2 февраля 2026
Определение мощности электронагревателя для обогрева помещения
Две стены помещения с внутренними размерам, (1 ‒ a·h и 2 ‒ b·h) выложены из красного кирпича толщиной δкп, изолированного с наружной стороны сайдингом толщиной δсд, а с внутренней покрыта слоем штукатурки толщиной δшт.
3 и 4-я стены с размерами (3 ‒ b·h и 4 ‒ a·h) выполнены из панелей толщиной δпн, оштукатуренных с обеих сторон штукатуркой толщиной δшт. Пол и потолок выполнены из железобетонных плит толщиной δжб, где а – длина,
Z24
: 2 февраля 2026
200 руб.
