Экзаменационная работа по электронике. Билет 14
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
В ПТ управление выходным током происходит под действием электрического поля. У полевых транзисторов со структурой МДП изменение выходного тока происходит за счет изменения концентрации носителей заряда.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
В ПТ управление выходным током происходит под действием электрического поля. У полевых транзисторов со структурой МДП изменение выходного тока происходит за счет изменения концентрации носителей заряда.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 20.01.2010
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 20.01.2010
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Экзаменационная работа по электронике
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные х
70 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Jurgen
: 12 января 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным
170 руб.
Экзаменационная работа по электронике
nikodum
: 15 января 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и канал
150 руб.
Экзаменационная работа. Электроника.
Entimos
: 16 ноября 2018
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
75 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
rambox360
: 25 января 2016
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
100 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
Teuserer
: 18 декабря 2015
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
pepol
: 16 декабря 2014
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
50 руб.
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
SybNet
: 14 ноября 2012
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-
100 руб.
Другие работы
Контрольная работа. Теория массового обслуживания. Вариант №3.
alyonka249
: 11 августа 2016
Задача №1
В комнате имеется три окна (назовем их первое, второе и третье) на одном из окон стоит цветок. В зависимости от погодных условий хозяйка каждый день переставляет цветок на другое окно (или оставляет на том же окне) со следующими вероятностями:
.Система описывается однородной цепью Маркова. Определить вероятности состояний системы на 3-й и 5-й дни для всех векторов начальных вероятностей (в нулевой день цветок может стоять на любом окне).
Задача №2
Рассмотрим процесс размножения и гиб
90 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 7 Вариант 69
Z24
: 1 января 2026
Из резервуара при постоянном манометрическом давлении рм = (20 + 0,2·y) кПа и постоянном уровне H = (1,0 + 0,1·z) м вода вытекает по вертикальной трубе переменного сечения, нижний конец которой погружен в открытый резервуар.
Определить расход Q в трубе и полное гидростатическое давление р2 в сечении 2 – 2, расположенном на высоте h = (0,5 + 0,02·y) = 0,58 м от свободной поверхности нижнего резервуара, если d1 = (50 + 5·z) = 95 мм, d2 = (75 + 2·y) = 83 мм (рис. 7).
Учитывать только местные
250 руб.
Лабораторная работа № 3.4 Измерение напряжения электрических сигналов вариант 05
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 12 ноября 2017
Выбор типа электронного вольтметра, частоты и напряжения сигнала
к заданию 1, 2
Вид
параметра Последняя цифра номера студенческого билета
5
Показание электродинамического вольтметра, В
(для п. 6.1) 2,0
Тип образцового электронного милливольтметра
(для п. 6.1) Электронный милливольтметр средневыпрямленного значения
Частота, Гц
(для п. 6.2) 100
Показание электронного пикового вольтметра, В
(для п. 6.2) 2,0
Форма сигнала
(для п. 6.2) Син
Пря
Коэффициент, форма сигнала
(для п. 6.3) Кф
Пря
350 руб.
Универсальный миксер RE-22 (сборочный чертеж)
AgroDiplom
: 27 мая 2024
Рассмотрим конструкцию универсального миксера RE-22, представленного на рисунке 3.7.
К лакированной чугунной подставке 1 привинчена стойка в с боковинами из нержавеющей стали, к которой прикреплена коробка передач 3. В стойке на подвижной панели размещен электромотор 4, на боковом кожухе размещена панель управления 5, на фронтальной стороне установлен регулируемый держатель для дежей 6 непосредственно с самой дежой 7.
Вне коробки передач, на валу 10, размещен шкив 8. С помощью шестерни, вал 1
490 руб.